三極管結(jié)構(gòu)、符號和分類_第1頁
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文檔簡介

(SemiconductorTransistor)

晶體三極管一、結(jié)構(gòu)、符號和分類NNP發(fā)射極E基極B集電極C發(fā)射結(jié)集電結(jié)—基區(qū)—發(fā)射區(qū)—集電區(qū)emitterbasecollectorNPN型PPNEBCPNP型分類：按材料分：硅管、鍺管按結(jié)構(gòu)分：

NPN、PNP按使用頻率分：

低頻管、高頻管按功率分：小功率管<500mW中功率管0.51W大功率管>1WECBECB基區(qū)：最薄，摻雜濃度最低發(fā)射區(qū)：摻雜濃度最高發(fā)射結(jié)集電結(jié)BECNNP基極發(fā)射極集電極結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：集電區(qū)：面積最大發(fā)射極是輸入回路、輸出回路的公共端共發(fā)射極電路

二、三極管認(rèn)識實驗IC輸入回路輸出回路EBmAAUCEUBERBIBEC––++RcIC輸入回路輸出回路EBmAAUCEUBERBIBEC––++Rc三極管特性認(rèn)識方法：IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.10<0.0010.701.502.303.103.95<0.0010.721.542.363.184.05IC輸入回路輸出回路EBmAAUCEUBERBIBEC––++Rc截止區(qū)：截止區(qū)：iB=0iC=00iB截止區(qū)：輸出回路Ic=0輸出回路在三極管處斷開三極管截止輸出回路電流IC輸入回路輸出回路EBmAAUCEUBERBIBEC––++Rc放大區(qū)：截止區(qū)：iB=0iC=00iB放大作用放大區(qū)：iC=βiBiC/iB=β控制作用△iC=β△

iB△

iC/△

iB=βIC輸入回路輸出回路EBmAAUCEUBERBIBEC––++Rc飽和區(qū)：截止區(qū)：iB=0iC=00iB放大區(qū)：iC=βiB

iC/iB=β控制作用放大作用飽和區(qū)：原因：輸出回路電源提供最大電流為Ec/R飽和特征：ic=icmax=Ec/RUce=0（相當(dāng)于ce短路）截止區(qū)：iB=0iC=00iB放大區(qū)：iC=βiB

iC/iB=β控制作用放大作用截止區(qū)：iB=0iC=00iB放大區(qū)：iC=βiB

iC/iB=β控制作用放大作用問題：iE

iB

iC三者之間什么關(guān)系？基爾霍夫電流定律：IE=IB+IC。IC輸入回路輸出回路EBmAAUCEUBERBIBEC––++Rc小結(jié)：三極管的三種狀態(tài)

截止區(qū)：iB=0iC=0飽和區(qū)：iB增加iC=常數(shù)（Ec/R）0iBIC輸入回路輸出回路EBmAAUCEUBERBIBEC––+

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