高介電常數(shù)電介質

高介電陶瓷的介電響應機理李濤2012.5.29電容器的用途（1）能量儲存（2）調諧、振蕩（3）濾波旁路一、高介電電介質陶瓷的應用陶瓷電容器（按介質分類）鐵電陶瓷電容器反鐵電陶瓷電容器非鐵電陶瓷電容器半導體陶瓷電容器表層陶瓷電容器晶界層陶瓷電容器電容器的種類電解電容器有機介質電容器無機介質電容器可變電容器獨石電容器

云母電容器玻璃釉電容器陶瓷電容器平行板電容器示意圖無介質有介質介電常數(shù)：表征電介質極化能力的參數(shù)二、電介質的介電常數(shù)I=iωC0V理想電容器加上交變電壓回路電流：實際情況：物理意義：相對介電常數(shù)（實部和虛部）隨所加電場的頻率而變化。電介質在恒定電場作用下，從建立極化到其穩(wěn)定狀態(tài)，一般來說要經(jīng)過一定時間；建立電子位移極化和離子位移極化，到達其穩(wěn)態(tài)所需時間約為10-16~10-12秒在無線電頻率（5×1012Hz以下）范圍，仍可認為是極短的，因此這類極化又稱為無慣性極化或瞬時位移極化；這類極化幾乎不產(chǎn)生能量損耗；偶極子轉向極化和空間電荷極化，在電場作用下則要經(jīng)過相當長的時間（10-10秒或更長）才能達到其穩(wěn)態(tài)，所以這類極化稱為有慣性極化或馳豫極化；這種極化損耗能量；三、鐵電體BaTiO3的極化機理一般鐵電體的晶體結構和成鍵特點和電子分布BaTiO3的電子構型BaTiO3極化特性的解釋對居里點的解釋電滯出現(xiàn)的條件外來離子的影響B(tài)aTiO3晶體結構一般鐵電體的晶體結構：一般為層狀鈣鈦礦型。鐵電體的成鍵特點和電子分布：正離子一般為多層多電子型，以較弱的離子鍵成鍵。Ti-O-Ti以網(wǎng)格狀分布與一層中，Ba離子單獨于一層中。（見圖）離子位移極化Ba正離子:Ti正離：O負離子：E作用下電子的偏移Ba離子核外空軌道：4f.5p.5d.6S。能量均較低，可以比較容易地容納電子。Ti-O-Ti層電子的丟失：Ba外層電子軌道俘獲從Ti-O-Ti層偏移來電子電滯（Pr）出現(xiàn)：電子在Ba層中的滯留BaTiO3極化特性的解釋：BaTiO3的電子構型正反電滯的出現(xiàn)：BaTiO3晶體層狀對稱性，反向電場(-E)使電子偏向Ti-O-Ti層另一側的Ba層，表現(xiàn)為反向的電滯（-Pr）。Pr的出現(xiàn)使電滯回線不再沿開始的極化曲線返回原點BaTiO3的居里溫度：鐵電體向順電體轉變的溫度。對居里點得解釋：電子的能量也可以依靠熱運動來獲得。一定的溫度使得Ba的外層電子軌道無法再俘獲外來的電子，使得極化不再出現(xiàn)，這一溫度叫居里點。利用經(jīng)典的方法：

可見越大居里點越高。當然這只是一種趨向，不能由此計算居里點（經(jīng)典理論不適用于原子尺寸）。電滯出現(xiàn)的條件：溫度在居里點以下正離子為多質子核，且n/r足夠大正離子核外有空的且能級比較低的軌道負離子為非強電負性晶體結構為對稱的層狀結構外來離子的影響：如在Ba層中引入結構比較復雜的離子如：La系，由于La系有(n-2)f,(n-1)d等能級更低的軌道，故電滯Pr較大；若在Ti-O-Ti層中引入La等，則電子不易偏向Ba層，從而使Pr更小。（圖）。二、CCTO及陶瓷的介電、壓敏特性CCTO晶體結構1.CCTO陶瓷的晶體結構非鐵電體無相變（目前未發(fā)現(xiàn)）極化主要是空點電荷極化2001年，Ramirez和Subramanian等人發(fā)現(xiàn)具有類鈣鈦礦結構的CaCu3Ti4O12（CCTO）具有優(yōu)異的介電性能介電常數(shù)高，可達105以上介電常數(shù)在100K~600K范圍幾乎不隨溫度而變化工藝簡單，空氣中一次燒成無相變發(fā)生2.CCTO陶瓷的介電性能3.優(yōu)良的壓敏特性

壓敏電阻器是一種具有瞬態(tài)電壓抑制功能的元件，可以用來代替瞬態(tài)抑制二極管、齊納二極管和電容器的組合。壓敏電阻器可以對IC及其它設備的電路進行保護，防止因靜電放電、浪涌及其它瞬態(tài)電流（如雷擊等）而造成對它們的損壞。

（1）.壓敏電阻“壓敏電阻是中國大陸的名詞，意思是"在一定電流電壓范圍內(nèi)電阻值隨電壓而變"，或者是說"電阻值對電壓敏感"的阻器。相應的英文名稱叫“VoltageDependentResistor”3.CCTO陶瓷的壓敏特性非線性系數(shù)a是表征壓敏電阻器壓敏性能好壞的重要參數(shù)。2004年S.Chung等人發(fā)現(xiàn)CCTO陶瓷樣品在5～100mA的范