LED基本發(fā)光原理

LED物料基本知^LED(LightEmittingDiode)俗稍畿光二檀管,是一彳重依靠半^髓PN結(jié)畿光的光雷元件,就LEDLAMP而言，它由雷子元件和封裝系統(tǒng)角且成.相雁的，其基本原料角且成可分舄雷子元件材料，封裝材料坤甫助材料三大美皇一.雷子元件材料雷子元件材料包括晶片.金瀛支架.導(dǎo)朗參，正是由是些材料夠株吉成一固畿光的^路雷子元件.P-electrodePNjunction(EmitingLightLayer)晶片的基本木啻造：P-electrodePNjunction(EmitingLightLayer)^晶片晶片的基本木啻造就是由B?.基板.PN皇茴啻成.其中PN結(jié)是晶片皇茴啻中最重要的部分,晶片畿光就是通遏PN結(jié)的自由雷子移重力來^說的,目前晶片常用的雷檀有金B(yǎng)S.SB?麗彳重，底部背金屑有黑占背金.全背金麗彳重方.式一般情)兄下，我仍采用全背金，是檬是舄了保^PN結(jié)畿出的光^能最大限度地反向出去，但BttB?面稹增大，畬造成吸收光量的增加.基板常用的材^有GaP.GaAs等，它仍主要作用有二抗震重力.〉中擎;散船晶片的畿光原理：半毒髓元素典N屑半毒髓元素由于雷子移重力而重新排列角且合，形成PN結(jié)合S,^而使之虔于相瑩寸穗定的狀熊;但一旦在外力作用下，施加正向雷摩,N匾自由雷子即向P匾^重加P匾的空穴源源不■斤地游向N匾，在雷子空穴作定向移勤的同畤，雷子空穴互相結(jié)封，激畿出光子，走生光能.晶片的分類頁3.1按角且成的彳重類頁分舄：「二元晶片,如GaP/GaP,GaNJ三元晶片,如GaAlAs.GaAsP.InGaN等.l四元晶片,如AlGalnPAlGalnAs.3.2按畿光^色可以劃分舄：矣工色晶片 材^：GaP,GaAlAs,AlGalnP(620-635nm)橙色晶片 材^: GaAlAsAlGaInP(600-620nm)黃色晶片 材^： GaAlAsAlGaInP(584-596nm)綠色晶片 材^： GaP,AlGalnP(藍務(wù)錄BG)BluishGreen(500nm-520nm)保申務(wù)錄PG)PureGreen(520nm-550nm)(中票率務(wù)錄SG)StandardGreen(550nm-560nm)(黃務(wù)錄YG) YellowGreen(560nm-570nm)藍色晶片 材^:SIC.GaNZnSeInGaN(460nm-480nm)3.3按晶片雷檀性劃分：P/N檀晶片N/P?晶片4按畿光^型劃分：表面畿光型 光^大部分雀晶片表面畿射出來.五面畿光型 表面.側(cè)面都有重交多成份的光富泉射出.晶片的重要性能指票VfJI慎向雷摩前行LED亮燎之雷流瑩寸雁之二檀髓的雷摩值，有雷流走生,自由雷子作定向移重加存在雷位差,走生雷摩降.Iv光弓鼠,LED黑占亮寺所能暮晃測到的亮度值岸位cd(candela),lcd=1000mcd.Ir反向雷流，在限定』條件下反向漏雷流,舄二亟髓的基本特性,Ir越小越好，走生原因舄雷子的不規(guī)劇」移重力.4.4久d主波艮畿光髓大部分雷磁波的畿射距離隹.4.5久p峰值波艮LED晶片畿光舄雅色光，其所畿出的最遞的雷磁波的畿射距離隹.4.6A久光言普寬度，晶片的畿光舄雅色光，它是由不同步^率的雷磁波角且合而成，角且成光^的最小原率雷磁波典最大步^率雷磁波之^的距離野菖舄光普寬