元器件型號(hào)命名方法 (2)課件

元器件型號(hào)命名、規(guī)格參數(shù)標(biāo)志方法一、固定電阻器、固定電容器型號(hào)命名、規(guī)格參數(shù)標(biāo)志方法1、固定電阻器型號(hào)命名、規(guī)格參數(shù)標(biāo)志方法⑴固定電阻器型號(hào)命名方法①②③④

第四部分：序號(hào)第三部分：特征第二部分：材料第一部分：主稱⑵固定電阻器規(guī)格參數(shù)標(biāo)志方法

①②③④

第四部分：允許偏差第三部分：標(biāo)稱阻值第二部分：額定功率第一部分：元件型號(hào)⑶電阻器型號(hào)命名、規(guī)格參數(shù)標(biāo)志方法實(shí)例型號(hào)命名示例RJ71

第四部分：序號(hào)第三部分：特征（精密）第二部分：材料（金屬膜）第一部分：主稱（電阻器）規(guī)格參數(shù)標(biāo)志示例RJ71－0.125—510—±1%

第四部分：允許偏差（1%）第三部分：標(biāo)稱阻值（510）

第二部分：額定功率（1/8W）第一部分：元件型號(hào)（精密金屬膜）

⑶電容器型號(hào)命名、規(guī)格參數(shù)標(biāo)志方法實(shí)例型號(hào)命名示例CD11

第四部分：序號(hào)第三部分：特征（箔式）第二部分：材料（鋁電解）第一部分：主稱（電容器）

規(guī)格參數(shù)標(biāo)志示例CD11-16V-100μF-±20％

第四部分：允許偏差(±20%）第三部分：標(biāo)稱容值（100μF）第二部分：額定耐壓（16V）第一部分：元件型號(hào)（CD11）二、貼片電阻器、貼片電容器型號(hào)命名、規(guī)格參數(shù)標(biāo)志方法1、貼片電阻器型號(hào)命名、規(guī)格參數(shù)標(biāo)志方法⑴貼片電阻器型號(hào)命名方法①②③④⑤⑥⑦

第七部分：包裝方式第六部分：允許偏差第五部分：標(biāo)稱阻值第四部分：溫度系數(shù)第三部分：封裝尺寸第二部分：額定功率第一部分：主稱⑵貼片電阻器規(guī)格參數(shù)標(biāo)志方法①②—③—④—⑤

第五部分：允許偏差第四部分：標(biāo)稱阻值第三部分：封裝尺寸第二部分：額定功率第一部分：元件主稱⑶貼片電阻器型號(hào)命名、規(guī)格參數(shù)標(biāo)志方法實(shí)例型號(hào)命名示例RS-05K1002FT

第七部分：包裝方式（T：編帶）第六部分：允許偏差（F±1%）第五部分：標(biāo)稱阻值（1002：10K）第四部分：溫度系數(shù)（K：±100ppm/℃）第三部分：封裝尺寸（05：0805）第二部分：額定功率（S：1/8W）第一部分：器件主稱（R：電阻器）

規(guī)格參數(shù)標(biāo)志示例RS-0805-5.1K-±1%

第五部分：允許偏差（±1%）

第四部分：標(biāo)稱阻值（5.1K）

第三部分：封裝尺寸（0805）第二部分：額定功率（S系列）第一部分：元件主稱（R：電阻器）⑶貼片電容器型號(hào)命名、規(guī)格參數(shù)標(biāo)志方法實(shí)例型號(hào)命名示例GRM188R71C225KE15D②③④⑤⑥⑦⑧⑨第九部分：包裝方式（D：紙編帶）

第八部分：個(gè)別規(guī)格（E15）第七部分：允許偏差（K：±10%）第六部分：標(biāo)稱容值（2.2μF）第五部分：額定電壓（1C：16V）第四部分：材質(zhì)（R7：X7R）第三部分：厚度（8：0.8mm)第二部分：封裝尺寸（18：0603）第一部分：產(chǎn)品型號(hào)(GRM:普通陶瓷)規(guī)格參數(shù)標(biāo)志示例CC41-1210-50V-22μF-±20％

第五部分：允許偏差（±20%）第四部分：標(biāo)稱容值（22μF）第三部分：額定耐壓（50V）第二部分：封裝尺寸（1210）第一部分：元件型號(hào)(CC41)三、固定小型電感器型號(hào)命名、規(guī)格參數(shù)標(biāo)志方法⑴固定電感器型號(hào)命名方法固定小型電感器型號(hào)命名方法由下列四部分組成：①②③④

第四部分：序號(hào)第三部分：形式第二部分：特征第一部分：主稱⑵固定電感器規(guī)格參數(shù)標(biāo)志方法固定小型電感器規(guī)格參數(shù)標(biāo)志方法由下列四部分組成：①②③④

第四部分：允許偏差第三部分：標(biāo)稱電感第二部分：額定電流

第一部分：元件型號(hào)⑶固定小型電感器型號(hào)命名、規(guī)格參數(shù)標(biāo)志方法實(shí)例型號(hào)命名示例LGX1

第四部分：序號(hào)第三部分：形式（小型）第二部分：特征（高頻）第一部分：主稱（電感器）規(guī)格參數(shù)標(biāo)志示例LGX1—A—10μH—±5%

第四部分：允許偏差（5%）第三部分：標(biāo)稱電感（10μH）

第二部分：額定電流（50mA)

第三部分：元件型號(hào)（高頻小型電感）⑶小型貼片電感器型號(hào)命名、規(guī)格參數(shù)標(biāo)志方法實(shí)例型號(hào)命名示例LQH32MN331K2

3

L①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩

第十部分：包裝（L：編帶）第九部分：電極（3：無鉛焊劑）第八部分：特征（2：標(biāo)準(zhǔn)型）第七部分：允許偏差（K：±10%)第六部分：標(biāo)稱電感（331：330μH）

第五部分：類型（N：標(biāo)準(zhǔn)型）第四部分：應(yīng)用特性（M：薄膜型）

第三部分：封裝尺寸（32：1210）第二部分：結(jié)構(gòu)形式（H：繞線型，鐵氧體芯）

第一部分：產(chǎn)品型號(hào)（LQ)

規(guī)格參數(shù)標(biāo)志示例LQ-1210-65mA-330μH-±10%

第五部分：允許偏差（±10%）第四部分：標(biāo)稱電感(330μH)

第三部分：額定電流（65mA)

第二部分：器件封裝（1210）第一部分：元件型號(hào)（LQ）五、半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名、規(guī)格

參數(shù)標(biāo)志方法1、半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名、規(guī)格參數(shù)標(biāo)志方法⑴半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法②③④⑤

第五部分：規(guī)格號(hào)第四部分：序號(hào)第三部分：器件類別第二部分：材料極性第一部分：電極數(shù)目

⑵半導(dǎo)體分立器件規(guī)格參數(shù)標(biāo)志方法②③④

第四部分：附加參數(shù)第三部分：規(guī)格參數(shù)第二部分：封裝形式第一部分：元器件型號(hào)

⑶半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名、規(guī)格參數(shù)標(biāo)志方法實(shí)例型號(hào)命名示例3AD50C

第五部分：規(guī)格號(hào)（C）第四部分：序號(hào)（50）

第三部分：器件類別（D：低頻大功率）

第二部分：材料極性（A：PNP型、鍺材料）

第一部分：電極數(shù)目（3：三極管）規(guī)格參數(shù)標(biāo)志示例1N4732A-（DO-41）-4.7V-1W第四部分：附加參數(shù)（功率）第三部分：器件參數(shù)（穩(wěn)壓值）第二部分：器件封裝（DO-41)第一部分：器件型號(hào)(1N4732A）

第四部分：附加參數(shù)（功率）第三部分：規(guī)格參數(shù)（穩(wěn)壓值）第二部分：器件封裝（1206）第一部分：器件型號(hào)（1N4698）

六、半導(dǎo)體集成電路型號(hào)命名、規(guī)格參數(shù)標(biāo)志方法1、半導(dǎo)體集成電路型號(hào)命名、規(guī)格參數(shù)標(biāo)志方法⑴半導(dǎo)體集成電路型號(hào)命名方法①②③④⑤

第五部分：器件封裝

第四部分：溫度范圍

第三部分：品種代號(hào)

第四部分：器件類型第五部分：符合國家標(biāo)準(zhǔn)⑵半導(dǎo)體分立器件規(guī)格參數(shù)標(biāo)志方法①②

第二部分：器件封裝第一部分：器件型號(hào)⑶半導(dǎo)體集成電路型號(hào)命名、規(guī)格參數(shù)標(biāo)志方法實(shí)例型號(hào)命名示例CF741CT

第五部分：器件封裝（T：金屬圓形）

第四部分：溫度范圍（C：7～70℃）

第三部分：品種代號(hào)（741）

第二部分：器件類型（F：線性放大器）

第一部分：符合國家標(biāo)準(zhǔn)（C）規(guī)格參數(shù)標(biāo)志示例ADC0809—（DIP-28）

第二部分：器件封裝（DIP-28）

第一部分：器件型號(hào)（ADC0809）

七、變壓器型號(hào)命名、規(guī)格

參數(shù)標(biāo)志方法1、中頻型號(hào)命名、規(guī)格參數(shù)標(biāo)志方法⑴中頻變壓器型號(hào)命名方法①②③