微機(jī)的存儲(chǔ)器課件

微機(jī)的存儲(chǔ)器5.1存儲(chǔ)器的分類與組成5.2隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ＲＡＭ）5.3讀存儲(chǔ)器（ＲＯＭ）5.4存儲(chǔ)器的連接5.5內(nèi)存條技術(shù)的發(fā)展5.6硬盤存儲(chǔ)器5.7光盤驅(qū)動(dòng)器第五章微機(jī)的存儲(chǔ)器5.8存儲(chǔ)器系統(tǒng)的分層結(jié)構(gòu)1.存儲(chǔ)器按其與CPU的連接方式進(jìn)行分類兩大類：內(nèi)存（主存）和外存（輔存）內(nèi)存：CPU可以通過系統(tǒng)總線直接訪問的存儲(chǔ)器，用以存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)當(dāng)前正在使用的程序或數(shù)據(jù)外存：用來存放相對(duì)來說不經(jīng)常使用的程序或者數(shù)據(jù)或者需要長(zhǎng)期保存的信息。不能被CPU直接訪問。CPU需要使用這些信息時(shí)，必須要通過專門的I/O設(shè)備才能訪問，把信息成批的傳送至內(nèi)存來（或相反）――外存只與內(nèi)存交換信息5.1存儲(chǔ)器的分類與組成2、按存儲(chǔ)介質(zhì)分類：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器；磁泡存儲(chǔ)器；磁表面存儲(chǔ)器（如磁帶，磁盤，磁鼓，磁卡等）；磁芯存儲(chǔ)器；光盤存儲(chǔ)器；一、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類按使用的功能可分為兩大類：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM(RandomAccessmemory)和只讀存儲(chǔ)器ROM(ReadOnlyMemory)。二、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的組成由存儲(chǔ)體、地址選擇電路、輸入輸出電路和控制電路組成。（一）存儲(chǔ)體

存儲(chǔ)體是存儲(chǔ)1或0信息的電路實(shí)體，它由許多存儲(chǔ)單元組成，每個(gè)存儲(chǔ)單元賦予一個(gè)編號(hào)，稱為地址單元號(hào)。而每個(gè)存儲(chǔ)單元由若干相同的位組成，每個(gè)位需要一個(gè)存儲(chǔ)元件。存儲(chǔ)器的地址用一組二進(jìn)制數(shù)表示，其地址線的位數(shù)n與存儲(chǔ)單元的數(shù)量N之間的關(guān)系為：

2=Nn2.雙譯碼方式（或稱重合譯碼）

讀/寫電路包括讀/寫放大器、數(shù)據(jù)緩沖器（三態(tài)雙向緩沖器）等。它是數(shù)據(jù)信息輸入和輸出的通道。外界對(duì)存儲(chǔ)器的控制信號(hào)有讀信號(hào)（ＲＤ）、寫信號(hào)（ＷＲ）和片選信號(hào)（ＣＳ）等，通過控制電路以控制存儲(chǔ)器的讀或?qū)懖僮饕约捌x。只有片選信號(hào)處于有效狀態(tài)，存儲(chǔ)器才能與外界交換信息。

（三）讀/寫電路與控制電路一、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（一）SRAM的基本存儲(chǔ)電路由６個(gè)ＭＯＳ管組成的ＲＳ觸發(fā)器.

5.2隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）1.讀出過程（1）地址碼Ａ０－Ａ１１加到RAM芯片的地址輸入端，經(jīng)X與Y地址譯碼器譯碼，產(chǎn)生行選與列選信號(hào)，選中某一存儲(chǔ)單元，該單元中存儲(chǔ)的代碼，經(jīng)一定時(shí)間，出現(xiàn)在I／O電路的輸入端。Ｉ／Ｏ電路對(duì)讀出的信號(hào)進(jìn)行放大、整形，送至輸出緩沖寄存器。緩沖寄存器一般具有三態(tài)控制功能，沒有開門信號(hào)，所存數(shù)據(jù)還不能送到DB上。（三）靜態(tài)RAM的讀/寫過程（2）在送上地址碼的同時(shí)，還要送上讀/寫控制信號(hào)（R/W或RD、WR）和片選信號(hào)（CS）。讀出時(shí)，使R/W＝１，CS＝０，這時(shí)，輸出緩沖寄存器的三態(tài)門將被打開，所存信息送至DB上。于是，存儲(chǔ)單元中的信息被讀出。（四）靜態(tài)RAM芯片舉例常用的Intel6116是CMOS靜態(tài)RAM芯片，它的存儲(chǔ)容量為2K×8位：動(dòng)態(tài)RAM芯片是以MOS管柵極電容是否充有電荷來存儲(chǔ)信息的二、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(一）動(dòng)態(tài)基本存儲(chǔ)電路１．三管動(dòng)態(tài)基本存儲(chǔ)電路刷新２．單管動(dòng)態(tài)基本存儲(chǔ)電路

寫入時(shí)，使字選線上為高電平，T1管導(dǎo)通，待寫入的信息由位線D（數(shù)據(jù)線）存入Cs。讀出時(shí)，同樣使字選線上為高電平，T1管導(dǎo)通，則存儲(chǔ)在Cs上的信息通過T1管送到D線上，再通過放大，即可得到存儲(chǔ)信息。Intel211616K×1（二）動(dòng)態(tài)RAM芯片舉例動(dòng)態(tài)RAM的刷新：動(dòng)態(tài)RAM的刷新實(shí)質(zhì)式進(jìn)行一次“寫入”操作，但按行進(jìn)行，即不管系統(tǒng)中有多少個(gè)DRAM芯片，也不管存儲(chǔ)容量有多大，每次均對(duì)所有芯片的同一行刷新單片DRAM有多少行，就分多少次進(jìn)行刷新一般刷新電路中都有刷新計(jì)數(shù)器，每刷新一行計(jì)數(shù)一次。刷新電路必須保證2ms內(nèi)對(duì)DARM刷新一次刷新的方法有定時(shí)集中制、非同步再生制、同步再生制一、只讀存儲(chǔ)器存儲(chǔ)信息的原理和組成

５.3只讀存儲(chǔ)器（ＲＯＭ）當(dāng)字線上加有選中信號(hào)時(shí)，如果電子開關(guān)Ｓ是斷開的，位線Ｄ上將輸出信息１；如果Ｓ是接通的，則位線Ｄ經(jīng)Ｔ１接地，將輸出信息0。

ROM的組成由地址譯碼電路、存儲(chǔ)矩陣、讀出電路及控制電路等部分組成。圖5.13是有16個(gè)存儲(chǔ)單元、字長(zhǎng)為1位的ROM示意圖。（三）可擦除、可再編程的只讀存儲(chǔ)器

若EPROM中寫入的信息有錯(cuò)或不需要時(shí)，可用兩種方法來擦除原存的信息。一種是利用專用的紫外線燈對(duì)準(zhǔn)芯片上的石英窗口照射10－20分鐘，即可擦除原寫入的信息。這種方法只能把存儲(chǔ)的信息全部擦除后再重新寫入采用金屬－氮－氧化物－硅（MNOS）工藝生產(chǎn)的MNOS型PROM，它是一種利用電來改寫的可編程只讀存儲(chǔ)器，即EEPROM。（四）閃速存儲(chǔ)器（FlashMemory）E2PROM能夠在線編程，可以自動(dòng)寫入，在使用方便性及寫入速度兩個(gè)方面都較EPROM進(jìn)了一步。但是，其編程時(shí)間相對(duì)RAM而言還是較長(zhǎng)，特別對(duì)大容量的芯片更顯得突出。人們希望有一種寫入速度類似于RAM，掉電后內(nèi)容又不丟失的存儲(chǔ)器。一種稱為閃速存儲(chǔ)器（FlashMemory，以下簡(jiǎn)稱為Flash，閃存）的新型E2PROM由此被研制出來。閃速存儲(chǔ)器首先由Intel公司開發(fā)，它采用非揮發(fā)性存儲(chǔ)技術(shù)，能夠在線擦除和重寫，掉電后信息可以保持10年。Flash具有ROM非易失性的優(yōu)點(diǎn)，又有很高的存取速度，既可讀又可寫，具有集成度高，價(jià)格低，耗電少等優(yōu)點(diǎn)，因此得到廣泛的使用。例如PentiumII以后的主板都采用了這種存儲(chǔ)器存放BIOS程序。Flash的可擦可寫特性，使BIOS程序可以及時(shí)升級(jí)。（一）Intel2716的引腳與內(nèi)部結(jié)構(gòu)2716EPROM芯片的容量為2K×8位三、EPROM芯片實(shí)例----Intel27165.4存儲(chǔ)器的連接

要解決兩個(gè)問題：一個(gè)是如何用容量較小、字長(zhǎng)較短的芯片，組成微機(jī)系統(tǒng)所需的存儲(chǔ)器；另一個(gè)是存儲(chǔ)器與ＣＰＵ的連接方法與應(yīng)注意的問題。一、存儲(chǔ)器芯片的擴(kuò)充（一）位數(shù)的擴(kuò)充（位擴(kuò)展）

微型計(jì)算機(jī)中，最小的信息存取單位是“字節(jié)”，如果一個(gè)存儲(chǔ)芯片不能同時(shí)提供8bit數(shù)據(jù)，就必須把幾塊芯片組合起來使用，這就是存儲(chǔ)器芯片的“位擴(kuò)展”。位擴(kuò)展把多個(gè)存儲(chǔ)芯片組成一個(gè)整體，使數(shù)據(jù)位數(shù)增加，但單元個(gè)數(shù)不變。經(jīng)位擴(kuò)展構(gòu)成的存儲(chǔ)器，每個(gè)單元的內(nèi)容被存儲(chǔ)在不同的存儲(chǔ)芯片上。

位擴(kuò)展電路連接方法是：將每個(gè)存儲(chǔ)芯片的地址線和控制線（包括選片信號(hào)線、讀／寫信號(hào)線等）并聯(lián)在一起，數(shù)據(jù)線分別引出連接至數(shù)據(jù)總線的不同位上。

位擴(kuò)展連接方法歸納如下：（1）芯片的地址線全部并聯(lián)且與地址總線相應(yīng)連接；（2）片選信號(hào)線并聯(lián)，連接到地址譯碼器的輸出端；（3）讀寫控制信號(hào)并聯(lián)，連接到控制總線的存儲(chǔ)器讀寫控制線上;（4）不同芯片的數(shù)據(jù)線連接到數(shù)據(jù)總線不同位上。例如，可以用８片２Ｋ×１位的芯片組成容量為２Ｋ×８位的存儲(chǔ)器，如圖5.15所示。這時(shí)，各芯片的數(shù)據(jù)線分別接到數(shù)據(jù)總線的各位，而地址線的相應(yīng)位及各控制線，則并聯(lián)在一起。圖5.16則是用２片１Ｋ×４位的芯片，組成１Ｋ×８位的存儲(chǔ)器的情況。這時(shí)，一片芯片的數(shù)據(jù)線接數(shù)據(jù)總線的低4位，另一片芯片的數(shù)據(jù)線則接數(shù)據(jù)總線的高4位。而兩片芯片的地址線及控制線則分別并聯(lián)在一起。用4片16K×8位的存儲(chǔ)器芯片組成64K×8位存儲(chǔ)器連接線路。2、地址的擴(kuò)充

各芯片的地址取值范圍根據(jù)容量求芯片個(gè)數(shù)各芯片數(shù)據(jù)線并聯(lián)，且與數(shù)據(jù)總線相應(yīng)位相連各芯片地址線并聯(lián)，連接到相應(yīng)的低位地址總線高位地址線接到譯碼器，譯碼器輸出端作為各芯片的片選讀寫控制信號(hào)并聯(lián)，與控制總線相應(yīng)的信號(hào)連接地址擴(kuò)充歸納如下：（三）字位全擴(kuò)展如果存儲(chǔ)器的字?jǐn)?shù)和位數(shù)都不能滿足系統(tǒng)存儲(chǔ)器的要求，就要進(jìn)行字和位全擴(kuò)展。這時(shí)需要同時(shí)使用前面的位擴(kuò)展和字?jǐn)U展方法。假設(shè)一個(gè)存儲(chǔ)器容量為M×N位，所用的芯片規(guī)格是L×K位。組成這個(gè)存儲(chǔ)器模塊共需（M×N）/（L×K）＝（M/L）×（N/K）個(gè)存儲(chǔ)芯片。例如用64K×4位芯片組成512K×32位的存儲(chǔ)器模塊，則需要（512K/64K）×（32位/4位）=8×8=64片。微型機(jī)中內(nèi)存的構(gòu)成就是字位擴(kuò)展的一個(gè)很好的例子。首先，存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)廠制造出一個(gè)個(gè)單獨(dú)的存儲(chǔ)芯片，如64M×1，128M×1等；然后，內(nèi)存條生產(chǎn)廠將若干個(gè)芯片用位擴(kuò)展的方法組裝成內(nèi)存模塊（即內(nèi)存條），如用8片128M×1的芯片組成128MB的內(nèi)存條；最后，用戶根據(jù)實(shí)際需要購買若干個(gè)內(nèi)存條插到主板上構(gòu)成自己的內(nèi)存儲(chǔ)器，即字?jǐn)U展。一般來講，最終用戶做的都是字?jǐn)U展（即增加內(nèi)存地址單元）的操作。內(nèi)存擴(kuò)展的次序一般是先進(jìn)行位擴(kuò)，構(gòu)成字長(zhǎng)滿足要求的內(nèi)存模塊，然后再用若干個(gè)這樣的模塊進(jìn)行字?jǐn)U，完成字位擴(kuò)展，使總?cè)萘繚M足要求。

例：用2114（1K×4）構(gòu)成4K×8的存儲(chǔ)器：分析：2114是1K×4的芯片，所以首先要進(jìn)行位擴(kuò)展，用2片2114組成1KB的內(nèi)存模塊、然后再用4組這樣的模塊進(jìn)行字?jǐn)U展。所需的芯片數(shù)為（4/1）×（8/4）＝8片。要尋址4K個(gè)內(nèi)存單元至少需要12位地址信號(hào)線，而2114有1K個(gè)單元，需要10根地址信號(hào)線，余下的2根地址線用于區(qū)分4個(gè)1KB的存儲(chǔ)模塊。綜上所述，存儲(chǔ)器的字位擴(kuò)展可以分為3步。（1）選擇合適的芯片,確定所需芯片個(gè)數(shù)；（2）根據(jù)要求將芯片“多片并聯(lián)”進(jìn)行位擴(kuò)展，設(shè)計(jì)出滿足字長(zhǎng)要求的“存儲(chǔ)模塊”；（3）對(duì)“存儲(chǔ)模塊”進(jìn)行字?jǐn)U展，構(gòu)成符合要求的存儲(chǔ)器。

例：用2114（1K×4）構(gòu)成4K×8的存儲(chǔ)器，與8位的一個(gè)微處理器相連，求：共需多少芯片？每組芯片有幾個(gè)？每組芯片的地址范圍？連接示意圖如下二、存儲(chǔ)器與CPU的連接

1.ROM與8086CPU的連接以1字節(jié)寬度輸出組織的芯片，在連接到8086系統(tǒng)時(shí)，為了存儲(chǔ)16位指令字，要使用兩片這類芯片并聯(lián)。當(dāng)微機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)器容量少于16K字時(shí)，宜采用靜態(tài)RAM芯片

8086CPU無論是在最小方式或最大方式下，都可以尋址1MB的存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)器均按字節(jié)編址2.靜態(tài)RAM與8086CPU芯片的連接3.EPROM、靜態(tài)RAM與8086CPU連接的實(shí)例BHE#A0A12地址范圍？M/IO#RD#2732BHE#M/IO#RD#WR#偶地址芯片譯碼奇地址芯片譯碼地址范圍？（一）CPU外部總線的負(fù)載能力在小系統(tǒng)中，CPU可以與存儲(chǔ)器直接相連。較大的存儲(chǔ)系統(tǒng)中，連接的存儲(chǔ)器芯片片數(shù)較多，就會(huì)造成總線過載，應(yīng)采用加緩沖器或總線驅(qū)動(dòng)器等方法來增加總線的驅(qū)動(dòng)能力。

三、存儲(chǔ)器與CPU連接應(yīng)該注意的一些問題

（二）各種信號(hào)線的配合與連接數(shù)據(jù)線：數(shù)據(jù)傳送一般是雙向的。而輸入線與輸出線分開的芯片，則要外加三態(tài)門，才能與CPU數(shù)據(jù)總線相連地址線：存儲(chǔ)器的地址線一般可以直接接到CPU的地址總線。而大容量的動(dòng)態(tài)RAM，為了減少引線的數(shù)目，往往采用分時(shí)輸入的方式，這時(shí)，需在CPU與存儲(chǔ)器芯片之間加上多路轉(zhuǎn)換開關(guān)，用CAS與RAS分別將地址的高位與低位送入存儲(chǔ)器?？刂凭€：CPU通過控制線送出命令，以控制存儲(chǔ)器的讀寫操作，以及送出片選信號(hào)、定時(shí)信號(hào)等（三）CPU的時(shí)序與存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)速度之間的匹配（四）存儲(chǔ)器的地址分配及片選信號(hào)的產(chǎn)生某計(jì)算機(jī)有地址線18位，數(shù)據(jù)線8位，現(xiàn)選用4K×4位的靜態(tài)RAM芯片組成該機(jī)的內(nèi)存，問1、該機(jī)允許的最大內(nèi)存空間多大？256KB

2、若設(shè)定基本的芯片模塊容量為32K×8，該機(jī)共需幾個(gè)這樣的模塊？83、每個(gè)模塊內(nèi)包含多少個(gè)4K×4位的RAM芯片？164、主存共需多少個(gè)RAM芯片？CPU如何選擇這些模塊？128

CPU選擇各模塊的方法是：地址線A14－A0為模塊內(nèi)連接，用地址線A17，A16，A15通過一個(gè)38譯碼器，其輸出端作為8各模塊的片選端芯片組模塊主存n1×m1芯片n1×MK=M/m1N×ML=N/n1J=X/NX×M一臺(tái)8位微機(jī)的地址總線為16條，其RAM存儲(chǔ)器容量為32KB，首地址為4000H，且地址是連續(xù)的。問可用的最高地址是多少？BFFFH

1.SIMM內(nèi)存條：

SIMM（SingleInlineMemoryModule，單列直插內(nèi)存模塊）。內(nèi)存條通過金手指與主板連接，內(nèi)存條正反兩面都帶有金手指。金手指可以在兩面提供不同的信號(hào)，也可以提供相同的信號(hào)。SIMM就是一種兩側(cè)金手指都提供相同信號(hào)的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，最初一次只能傳輸8bit數(shù)據(jù)，后來逐漸發(fā)展出16bit、32bit的SIMM模組，其中8bit和16bitSIMM使用30pin接口，32bit的則使用72pin接口。

2.EDODRAM內(nèi)存條5.5內(nèi)存條技術(shù)的發(fā)展

3.SDRAM內(nèi)存條：

SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）的簡(jiǎn)稱，是十幾年前普遍使用的內(nèi)存形式。SDRAM將CPU與RAM通過一個(gè)相同的時(shí)鐘鎖在一起，使RAM和CPU能夠共享一個(gè)時(shí)鐘周期，以相同的速度同步工作，與EDO內(nèi)存相比速度能提高50％。SDRAM基于雙存儲(chǔ)體結(jié)構(gòu)，內(nèi)含兩個(gè)交錯(cuò)的存儲(chǔ)陣列，當(dāng)CPU從一個(gè)存儲(chǔ)體或陣列訪問數(shù)據(jù)時(shí)，另一個(gè)就已為讀寫數(shù)據(jù)做好了準(zhǔn)備，通過這兩個(gè)存儲(chǔ)陣列的緊密切換，讀取效率就能得到成倍的提高。

4.RambusDRAM內(nèi)存條5.DDR內(nèi)存條：

DDR全稱是DDRSDRAM(DoubleDateRateSDRAM，雙倍速率SDRAM)。其最重要的改變是在界面數(shù)據(jù)傳輸上，在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿與下降沿均可進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，使數(shù)據(jù)傳輸率達(dá)到SDRAM的2倍。至于尋址與控制信號(hào)則與SDRAM相同，僅在時(shí)鐘上升沿傳送。DDRSDRAM在命名原則上也與SDRAM不同。SDRAM的命名是按照時(shí)鐘頻率來命名的，例如PC100與PC133。而DDRSDRAM則是以數(shù)據(jù)傳輸量作為命名原則，例如PC1600以及PC2100，單位MB/s。所以DDRSDRAM中的DDR400其實(shí)與PC3200是相同的規(guī)格，數(shù)據(jù)傳輸量為3200MB/s，計(jì)算表達(dá)式為:64bit×100MHz×2÷8＝1600MBytes/s6.DDR2內(nèi)存條：

它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取）。換句話說，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實(shí)際頻率為200MHz，而DDR2則可以達(dá)到400MHz。在同等工作頻率的DDR和DDR2內(nèi)存中，后者的內(nèi)存延時(shí)要慢于前者。舉例來說，DDR2-400和DDR400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高于DDR400。

一、硬盤的組成硬盤的主要組成部件有磁頭、盤面和馬達(dá)等。5.6硬盤存儲(chǔ)器

1.硬盤的磁頭

磁頭是硬盤進(jìn)行讀寫的“筆尖”，通過全封閉式的磁阻感應(yīng)讀寫，將信息記錄在硬盤內(nèi)部特殊的介質(zhì)上。亞鐵鹽類磁頭MIG磁頭薄膜磁頭

MR磁阻磁頭

采取了讀寫合一的電磁感應(yīng)式磁頭，在設(shè)計(jì)方面因?yàn)橥瑫r(shí)需要兼顧讀／寫兩種特性，因此也造成了硬盤在設(shè)計(jì)方面的局限性傳統(tǒng)的磁頭技術(shù)引入了全新的分離式磁頭結(jié)構(gòu)，寫入磁頭仍沿用傳統(tǒng)的磁感應(yīng)磁頭，而讀取磁頭則應(yīng)用了新型的MR磁頭2.硬盤的盤面市場(chǎng)上主流硬盤的盤片大都是由金屬薄膜磁盤構(gòu)成目前已經(jīng)有一些硬盤廠商開始嘗試使用玻璃作為磁盤基片3.硬盤的馬達(dá)硬盤主軸上的馬達(dá)控制磁頭在盤片上高速工作。馬達(dá)高速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)所產(chǎn)生的浮力是磁頭漂浮在盤片上方進(jìn)行工作。硬盤在工作時(shí)，通過馬達(dá)的轉(zhuǎn)動(dòng)將用戶需要存取的數(shù)據(jù)所在的扇區(qū)帶到磁頭下方，馬達(dá)的轉(zhuǎn)速越快，等待存取記錄的時(shí)間也就越短。二、硬盤的分類

硬盤一般按其接口類型來分類。

1.IDE硬盤

2.SATA硬盤：串口硬盤，是當(dāng)前主流的硬盤接口

3.SCS硬盤：小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口，主要用于中、高端服務(wù)器和高檔工作站中。

4.光纖通道：價(jià)格昂貴，只用在高端服務(wù)器上。三、硬盤的幾個(gè)主要參數(shù)1.單碟容量2.硬盤的轉(zhuǎn)速3.硬盤的傳輸速率4.緩存容量5.平均尋道時(shí)間一、光盤驅(qū)動(dòng)器的分類按照讀取方式和讀取光盤類型的不同，可分為以下幾種：5.7光盤驅(qū)動(dòng)器可讀取CD和VCD兩種格式的光盤。（1）CD-ROM（2）DVD-ROM（3）刻錄機(jī)除可讀取CD和VCD兩種格式的光盤，還可以讀取DVD光盤。可以分為CD刻錄機(jī)、DVD刻錄機(jī)一COMBO。二、寫入、讀取和復(fù)寫速度1.寫入、讀取速度

1X（1倍速）是1350Kbps，一秒鐘內(nèi)傳送的數(shù)據(jù)量是1350KB。2.復(fù)寫速度三、DVD光盤的類型1.DVD-R與DVD+R:可一次性寫入2.DVD+RW:可實(shí)現(xiàn)光盤的重復(fù)寫入/刪除數(shù)據(jù)3.DVD+RDL:有兩個(gè)數(shù)據(jù)層4.DVD-RAM：不需要專門的刻錄軟件便可以直接讀寫數(shù)據(jù)（前提是光驅(qū)可以支持）。5.8存儲(chǔ)器系統(tǒng)的分層結(jié)構(gòu)CPU寄存器組片內(nèi)Cache片外Cache內(nèi)部存儲(chǔ)器（DRAM、SRAM）外部存儲(chǔ)器（軟盤、硬盤、光盤）CPU芯片中主機(jī)系統(tǒng)中外部設(shè)備DRAM2164(64K×1)外部引腳有（）A、16條地址線，2條數(shù)據(jù)線B、8條地址線，1條數(shù)據(jù)線C、16條地址線，1條數(shù)據(jù)線D、8條地址線，2條數(shù)據(jù)線某計(jì)算機(jī)的字長(zhǎng)是32位，它的存儲(chǔ)容量是64KB，若按字編址，它的尋址范圍是（）A、16K

B、16KBC、32K

D、64K計(jì)算一個(gè)存儲(chǔ)器芯片容量的公式是（）A、編址單元數(shù)×數(shù)據(jù)線位數(shù)

B、編址單元數(shù)×字節(jié)C、編址