基于ITO替代材料的透明電極制作 (2)課件

報(bào)告人：朱愛(ài)青ITO的概述什么是ITO?

ITO膜層的主要成份是氧化銦錫。而ITO導(dǎo)電玻璃是在納鈣基或硅硼基基片玻璃上，利用濺射、蒸發(fā)等多種方法鍍上一層ITO薄膜加工制作而成。液晶顯示器專(zhuān)用ITO導(dǎo)電玻璃有時(shí)還要在中間鍍上一層阻擋層，，以阻止基片玻璃上的鈉離子向盒內(nèi)液晶里擴(kuò)散。ITO導(dǎo)電膜的特性

在厚度只有幾千埃的情況下，氧化銦透過(guò)率高，氧化錫導(dǎo)電能力強(qiáng)；ITO具有很強(qiáng)的吸水性，所以會(huì)吸收空氣中的水份和二氧化碳并產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)而變質(zhì)，俗稱(chēng)“霉變”；ITO層在活性正價(jià)離子溶液中易產(chǎn)生離子置換反應(yīng)，形成其它導(dǎo)電和透過(guò)率不佳的反應(yīng)物質(zhì)；ITO在600度以下會(huì)隨著溫度的升高，電阻增大。3.按厚度分：2.0mm、1.1mm、0.7mm、0.55mm、0.4mm、0.3mm等規(guī)格4.按平整度分：拋光玻璃和普通玻璃注：0.5mm以下的主要用于STN液晶顯示器產(chǎn)品外觀質(zhì)量不允許有裂紋，TN型ITO導(dǎo)電玻璃鍍膜面不允許有不可去除的高度超過(guò)0.1mm的粘附物；STN型ITO導(dǎo)電玻璃鍍膜面不允許有不可去除的高度超過(guò)0.05mm的粘附物。玻璃體點(diǎn)狀缺陷：包括氣泡、夾雜物、表面凹坑、異色點(diǎn)等。點(diǎn)狀缺陷的直徑定義為：d=(缺陷長(zhǎng)+缺陷寬)/2。玻璃體線(xiàn)狀缺陷(寬度W)：包括玻筋、光學(xué)變形。使用和貯存不容許疊放，一般要求豎響放置，平放操作時(shí)，盡量保持ITO面朝下；取放時(shí)只能接觸四邊，不能接觸導(dǎo)電玻璃ITO表面；輕拿輕放，不能與其它治具和機(jī)器碰撞；長(zhǎng)時(shí)間存放要注意防潮，以免影響玻璃的電阻和透過(guò)率；制造工藝電化學(xué)擴(kuò)散工藝：在玻璃上用電化學(xué)擴(kuò)散方法可獲得摻雜超導(dǎo)薄膜。玻璃在電化學(xué)處理裝置中與熔融金屬或化合物接觸，在一定的電場(chǎng)作用下，熔融金屬或化合物中的離子會(huì)擴(kuò)散到玻璃表面，玻璃中的一價(jià)堿金屬離子離解處來(lái)，等量地?cái)U(kuò)散至陰極表面，使玻璃表面的化學(xué)組成發(fā)生變化。高溫噴涂和等離子體噴涂工藝：這種技術(shù)是將粉末狀金屬或非金屬、無(wú)機(jī)材料加熱至熔化或未熔化狀態(tài)，并進(jìn)一步加溫使其霧化，形成高溫高速焰流噴向需噴涂的玻璃基體。采用這種方式可以先在基體上制備YBaGUOx等涂層，在經(jīng)過(guò)熱處理可成為超導(dǎo)性材料。ITO替代的一些新技術(shù)納米金屬網(wǎng)格（metalmesh）納米金屬蒸鍍（Nanometal）有機(jī)透明導(dǎo)電膜碳納米管石墨烯銀納米線(xiàn)ZnO基透明導(dǎo)電膜代替ITO

ＺｎＯ基透明導(dǎo)電氧化物薄膜被認(rèn)為是ＩＴＯ薄膜的理想替代物，ＺｎＯ相對(duì)于ＩＴＯ具有很多明顯的優(yōu)勢(shì)，它價(jià)格低廉、原料豐富、對(duì)人體無(wú)害、同時(shí)在氫等離子體環(huán)境中也有很好的穩(wěn)定性。另外通過(guò)摻雜合適的金屬可以得到性能與ＩＴＯ相媲美的透明導(dǎo)電薄膜，從而將其應(yīng)用于制作光電器件。ZnO薄膜的制備：1.利用脈沖激光沉積（PLD），采用的是含鋁量為4%的ZnO摻Al2O3陶瓷靶2.磁控濺射法，使用的靶材是含Al量為4％的ZnO-Al合金靶研究?jī)?nèi)容：1.分別采用脈沖激光沉積和磁控濺射法在GaN基LED上生長(zhǎng)AZO(ZnO:Al)薄膜，研究分析了AZO直接用作電流擴(kuò)展層不能形成歐姆接觸的原因2.采用ITO/AZO復(fù)合薄膜來(lái)降低AZO與ｐ型GaN的接觸電阻,研究了不同ITO厚度對(duì)芯片正向電壓的影響,以及不同厚度AZO對(duì)芯片發(fā)光強(qiáng)度的影響.結(jié)果表明AZO與ｐ型GaN并不能形成良好的歐姆接觸;固定ITO厚度20nm不變,改變AZO厚度,研究了芯片光電性能隨AZO厚度的變化.

AZO電阻隨厚度的增加而增加,AZO層太厚,芯片正向電壓高,