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文檔簡介

2.3.1半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)

2.3.2二極管的伏安特性

2.3.3二極管的參數(shù)實(shí)物圖片2.3半導(dǎo)體二極管

在PN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個(gè)分立的半導(dǎo)體二極管元件。2.3.1半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)（物理形態(tài)）根據(jù)制造材料的不同，有硅和鍺兩種不同種類的二極管，兩者性能上也有差異。根據(jù)制造工藝的不同，二極管有不同結(jié)構(gòu)，分別適用于不同應(yīng)用場合。集成電路中的二極管不是分立元件。

(a)點(diǎn)接觸型

二極管的結(jié)構(gòu)示意圖

2.3.1半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)

(1)點(diǎn)接觸型二極管PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。(c)平面型(4)二極管的代表符號(hào)

2.3.1半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)

(3)平面型二極管往往用于集成電路制造工藝中。PN結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開關(guān)電路中。

(1)二極管元件的伏安特性曲線逐點(diǎn)測(cè)量2.3.2二極管的伏安特性(2)二極管元件的伏安特性公式表示

鍺二極管2AP15的V-I特性正向特性反向特性反向擊穿特性

2.3.2二極管的伏安特性硅二極管2CP10的V-I特性反向擊穿特性反向特性正向特性與PN結(jié)的伏安特性類似而不完全相同硅管的正向壓降0.5-0.7伏，鍺管的正向壓降0.2-0.3伏硅管的反向電流極小，鍺管的反向電流較大

最大整流電流（平均值）IF（最大整流電流時(shí)的）正向壓降VF反向電流IR

反向擊穿電壓VBR最高反向工作電壓VRM

2.3.3二極管的參數(shù)二極管的直流參數(shù)（工作參數(shù)和極限參數(shù)）

結(jié)電容Cj:含勢(shì)壘電容、擴(kuò)散電容、封裝電容

最高工作頻率FM

2.3.3二極管的參數(shù)二極管的交流參數(shù)（高頻特性）二極管的溫度特性正向:溫度升高

PN結(jié)電壓減?。?2.5mV/℃）

反向:溫度升高反向電流增大（）晶體管分立元件參數(shù)特點(diǎn)

同一型號(hào)元件中還有系列分擋的參數(shù)差異同一型號(hào)同一分擋的元件也有參數(shù)差異注意查閱器件手冊(cè)和器件代換手冊(cè)注意手冊(cè)中元件參數(shù)的測(cè)量條件（電壓電流溫度）器件手冊(cè)的參數(shù)僅供選型參

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