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光波導(dǎo)理論及器件第一頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日光波導(dǎo)的概念光纖、平面薄膜、窄條對(duì)光輻射實(shí)施限制和傳輸?shù)募夹g(shù)研究方法:射線理論、電磁場(chǎng)理論研究?jī)?nèi)容:光波導(dǎo)中光的傳播行為、傳導(dǎo)模式、傳輸特性2第二頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日平板波導(dǎo)射線光學(xué):直觀、近似光線在介質(zhì)界面發(fā)生反射和折射
發(fā)生全反射光被限制在第1介質(zhì)內(nèi),全反射可用于限制光的傳輸3電磁理論:復(fù)雜、完善第三頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日平板波導(dǎo)4覆蓋層涂層基質(zhì)覆蓋層:通常為空氣,涂層:介質(zhì)薄膜,mm量級(jí),也稱薄膜波導(dǎo)基質(zhì):玻璃對(duì)稱平板波導(dǎo)非對(duì)稱平板波導(dǎo)空氣第四頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日平板波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中可能存在的幾種波的模式5輻射波(輻射模)基質(zhì)輻射波(基質(zhì)模)傳導(dǎo)波(傳導(dǎo)模)第五頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日平板介質(zhì)波導(dǎo)中的導(dǎo)波x:橫向約束y:均勻z:傳播
引入沿z方向的傳播常數(shù)
則6導(dǎo)波有效折射率Nz方向最大傳播常數(shù)
第六頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日TE與TM7TE模(縱向電場(chǎng)分量為0)TM模(縱向磁場(chǎng)分量為0)第七頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日古斯-漢森位移和波導(dǎo)層的有效厚度--波導(dǎo)中的光能流問(wèn)題有效波導(dǎo)層厚度8全反射:反射率為1,沒(méi)有能流進(jìn)入基質(zhì)。實(shí)際上,存在倏逝波,沿x方向迅速衰減,z方向存在位移。第八頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日平板波導(dǎo)的電磁理論基礎(chǔ)對(duì)光學(xué)現(xiàn)象的完善描述需借助電磁理論分析不存在自由電荷和傳導(dǎo)電流時(shí)直角坐標(biāo)系中若麥克斯韋方程組具有隨時(shí)間周期變化的解,可表示為9復(fù)共軛第九頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日介質(zhì)中
同時(shí)10沒(méi)有自由電荷和傳導(dǎo)電流時(shí)電磁空間分量的麥克斯韋方程組=第十頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日平板波導(dǎo)中的麥克斯韋方程組導(dǎo)波沿z傳播,則橫向分量波導(dǎo)y方向無(wú)限大,不受限制,E、H在y方向不變,則11沒(méi)有自由電荷和傳導(dǎo)電流,無(wú)其它條件第十一頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日12第十二頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日TE波:只存在電場(chǎng)橫向分量令則TE波中,僅剩且TE波中的所有電磁分量均由決定,滿足常系數(shù)二階微分方程對(duì)于平板波導(dǎo)的三個(gè)層13同樣波導(dǎo)層-E在x方向周期變化-實(shí)數(shù)基質(zhì)層-E在x方向衰減-虛數(shù)覆蓋層-E在x方向衰減-虛數(shù)第十三頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日從而各層中
場(chǎng)不能無(wú)限大,故14第十四頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日三層中三個(gè)分量的表達(dá)式全部獲得,利用了橫電特性及三層介質(zhì)中光傳播特性需求解A、B、A2、A3系數(shù),利用邊界條件電場(chǎng)磁場(chǎng)只剩下A,設(shè)x=0處,Ey(0)=E015邊界面上,電磁場(chǎng)切向分量連續(xù)第十五頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日各層的全部非0場(chǎng)分量為:基底層(x<-d):波導(dǎo)層(-d<x<0):覆蓋層(x>0):16第十六頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日TE波的模和截止條件根據(jù)x=-d處連續(xù)條件方程的解為一組β值,對(duì)應(yīng)于TE波的本征模。17介質(zhì)波導(dǎo)本征值方程:關(guān)于傳播常數(shù)β的超越方程正整數(shù)—模數(shù)第十七頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日對(duì)稱波導(dǎo):18對(duì)稱模反對(duì)稱模圖中圓弧半徑由光波傳播常數(shù)即頻率決定:0<半徑<π/2:單個(gè)解,對(duì)稱模π/2<半徑<π:兩個(gè)解,對(duì)稱模,反對(duì)稱模π<半徑<3π/2:三個(gè)解,兩對(duì)稱模,一反對(duì)稱模第十八頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日19低頻區(qū)(λ大,k?。?jiǎn)文?,關(guān)于-d/2對(duì)稱,電場(chǎng)在波導(dǎo)層內(nèi)余弦變化,波導(dǎo)層外指數(shù)衰減,至少單模。頻率升高:場(chǎng)向波導(dǎo)層中央集中,一定程度時(shí)出現(xiàn)反對(duì)稱解,形成雙模傳播。對(duì)稱單模傳播對(duì)稱、反對(duì)稱雙模傳播第十九頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日小結(jié)20倏逝波倏逝波傳導(dǎo)行波第二十頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日截止條件臨界條件時(shí),發(fā)生全反射,對(duì)應(yīng)截止條件,對(duì)稱模反對(duì)稱模所有模截止條件為:實(shí)際上截止條件時(shí):21波導(dǎo)的V值判斷導(dǎo)波模數(shù),允許v+1個(gè)模第二十一頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日光波導(dǎo)的模式22?光ABCD單模多模第二十二頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日例1、例2、23存在2個(gè)導(dǎo)波模,v=0,1第二十三頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日導(dǎo)波模性質(zhì)不同模正交性
兩個(gè)不同模的乘積在波導(dǎo)橫截面內(nèi)的積分為024第二十四頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日導(dǎo)波模性質(zhì)波導(dǎo)模場(chǎng)分量可歸一化,對(duì)同一個(gè)模
正交歸一性使任意橫向場(chǎng)可展開(kāi)為模場(chǎng)分量疊加的形式25第二十五頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日導(dǎo)波模性質(zhì)沿z正方向行進(jìn)的導(dǎo)波模所攜帶的能量密度其中26第二十六頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日通道光波導(dǎo)27第二十七頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日通道波導(dǎo)的描述矢量波方程導(dǎo)波在兩個(gè)方向受限,因此必須考慮電場(chǎng)磁場(chǎng)分量的矢量特性標(biāo)量近似28第二十八頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日標(biāo)量方程的解法場(chǎng)屏蔽法29第二十九頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日等效折射率法標(biāo)量方程的解法30橫截面結(jié)構(gòu)等效平板波導(dǎo)第三十頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日設(shè)計(jì)軟件FDTD:時(shí)域有限差分方法(FiniteDifferenceTimeDomain)。把Maxwell方程式在時(shí)間和空間領(lǐng)域上進(jìn)行差分化。利用蛙跳式(Leapfrogalgorithm)--空間領(lǐng)域內(nèi)的電場(chǎng)和磁場(chǎng)進(jìn)行交替計(jì)算,通過(guò)時(shí)間領(lǐng)域上更新來(lái)模仿電磁場(chǎng)的變化,達(dá)到數(shù)值計(jì)算的目的。用該方法分析問(wèn)題的時(shí)候要考慮研究對(duì)象的幾何參數(shù),材料參數(shù),計(jì)算精度,計(jì)算復(fù)雜度,計(jì)算穩(wěn)定性等多方面的問(wèn)題。其優(yōu)點(diǎn)是能夠直接模擬場(chǎng)的分布,精度比較高,是目前使用比較多的數(shù)值模擬的方法之一。31第三十一頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日設(shè)計(jì)軟件光束傳播法:光束傳播法(BeamPropagationMethod,BPM)的基本思想是在給定初始場(chǎng)的前提下,一步一步地計(jì)算出各個(gè)傳播截面上的場(chǎng)。最早的BPM是以快速傅里葉變換(Fast-FourierTransform,稱FFT)為數(shù)學(xué)手段實(shí)現(xiàn)的,稱為FFT-BPM。FFT-BPM源于標(biāo)量波方程,只能得到標(biāo)量場(chǎng)(即只能處理一個(gè)偏振分量),不能分辨出場(chǎng)的不同偏振以及場(chǎng)之間的耦合。同時(shí)它所采用的網(wǎng)格是均勻網(wǎng)格,在處理楔形、彎曲波導(dǎo)時(shí)不是很適合。由于上述缺點(diǎn),D.Yevick等人于1989年提出有限差分光束傳播法,它將波導(dǎo)截面分成很多方格,在每一個(gè)格內(nèi)的場(chǎng)用差分方程來(lái)表示,然后加入邊界條件,就可得到整個(gè)橫截面的場(chǎng)分布。沿縱向重復(fù)前面的步驟,就可得到整個(gè)波導(dǎo)的場(chǎng)分布。這種方法已被成功地應(yīng)用于分析Y型波導(dǎo)及S型彎曲波導(dǎo)中的光波傳輸,且對(duì)損耗的計(jì)算也得到了準(zhǔn)確的結(jié)果32第三十二頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日光子晶體波導(dǎo)光子晶體:周期性結(jié)構(gòu)的介質(zhì)材料33第三十三頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日1D:布拉格反射器2D:硅柱晶體3D:膠質(zhì)晶體第三十四頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日二維光子晶體波導(dǎo)3590度轉(zhuǎn)折二維光子晶體波導(dǎo)線性二維光子晶體波導(dǎo)第三十五頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日光子晶體波導(dǎo)Joannopoulosetal.第三十六頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日光子晶體光纖37第三十七頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日38陣列波導(dǎo)光柵:(1)輸出波導(dǎo),(2)平板波導(dǎo),(3)通道波導(dǎo),(4)平板波導(dǎo),(5)輸出波導(dǎo)光纖中光的傳輸光子晶體中光的傳輸?shù)谌隧?yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日6.3光波導(dǎo)器件波導(dǎo)制造過(guò)程典型光波導(dǎo)器件39第三十九頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日波導(dǎo)制造過(guò)程概述采用類似集成電路的制造技術(shù),將光波導(dǎo)、光電二極管、半導(dǎo)體激光器等集成在同一塊兒芯片上。40基片波導(dǎo)涂層光刻膠涂層掩模曝光去除光刻膠波導(dǎo)層刻蝕波導(dǎo)層刻蝕下一層微米量級(jí),潔凈室第四十頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日41第四十一頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日基片制備玻璃鍍膜:磁控濺射、真空蒸發(fā)、化學(xué)氣相沉積、溶膠凝膠。晶體:結(jié)晶基片(剛玉)上生長(zhǎng),需籽晶。熔融物液體晶片固體,如硅片在單晶爐中提拉生長(zhǎng),控制溫度、轉(zhuǎn)速、籽晶提拉速度半導(dǎo)體材料:GaAs,控制氣壓、溫度。晶體定向:X射線42玻璃絕緣晶體半導(dǎo)體材料被動(dòng)光學(xué)光發(fā)射電光裝置第四十二頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日波導(dǎo)膜沉積沉積:基片表面形成1um介質(zhì)或金屬膜43第四十三頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日波導(dǎo)膜沉積非真空鍍膜44第四十四頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日波導(dǎo)膜生長(zhǎng)45將基片作為有序生長(zhǎng)的模板,使膜與基片參數(shù)匹配。金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(MOVPE)
藍(lán)光LED第四十五頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日材料改性擴(kuò)散:基片與摻雜材料直接接觸,加熱擴(kuò)散,基片原子只能振動(dòng)。離子交換與質(zhì)子交換:離子或質(zhì)子相互交換離子注入:離子通過(guò)高電壓加速,打入基片46第四十六頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日刻蝕濕法刻蝕濺射法:物理過(guò)程,被刻蝕材料的原子受到離子的轟擊而從材料表面發(fā)射?;瘜W(xué)刻蝕:化學(xué)過(guò)程,利用等離子體中的化學(xué)活性院子團(tuán)與備課時(shí)材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng),實(shí)現(xiàn)刻蝕目的。各向同性物理化學(xué)刻蝕-反應(yīng)離子刻蝕,高密度等離子體刻蝕:物理化學(xué)過(guò)程,通過(guò)活性離子對(duì)襯底的物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)雙重作用刻蝕,同時(shí)兼有各向異性和選擇性。47第四十七頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日金屬板印刷掩模板制備印刷拷貝主板48第四十八頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日相位調(diào)制器49鈮酸鋰、鉭酸鋰:電場(chǎng)引起折射率變化Kaminow,etal.(1975)第四十九頁(yè),共五十五頁(yè),2022年,8月28日方向耦合器50由
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