SG3524是開(kāi)關(guān)電源脈寬調(diào)制型控制器

SG3524是開(kāi)關(guān)\o"電源"電源脈寬調(diào)制型控制器。應(yīng)用于開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，變壓器耦合的直流變換器，電壓倍增器，極性轉(zhuǎn)換器等。采用固定頻率，脈沖寬度調(diào)制（脈寬調(diào)制）技術(shù)。輸出允許單端或推挽輸出。芯片電路包括電壓調(diào)節(jié)器，誤差放大器，可編程振蕩器，脈沖指導(dǎo)觸發(fā)器，兩個(gè)末級(jí)輸出晶體管，高增益的比較器，以及限流和關(guān)斷電保護(hù)電路。SG3524工作電源電壓范圍8V~35V，采用雙列16腳裝料封裝，引腳功能如下：SG3524集成電路多種應(yīng)用電路：TL494制作的400W大功率穩(wěn)壓逆變器電路圖目前所有的雙端輸出驅(qū)動(dòng)IC中，可以說(shuō)美國(guó)德克薩斯儀器公司開(kāi)發(fā)的TL494功能最完善、驅(qū)動(dòng)能力最強(qiáng)，其兩路時(shí)序不同的輸出總電流為SG3525的兩倍，達(dá)到400mA。僅此一點(diǎn)，使輸出功率千瓦級(jí)及以上的開(kāi)關(guān)電源、DC/DC變換器、逆變器，幾乎無(wú)一例外地采用TL494。雖然TL494設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)雙極型開(kāi)關(guān)管，然而目前絕大部分采用MOSFET開(kāi)關(guān)管的設(shè)備，利用外設(shè)灌流電路，也廣泛采用TL494。為此，本節(jié)中將詳細(xì)介紹其功能及應(yīng)用電路。其內(nèi)部方框圖如圖3所示。其內(nèi)部電路功能、特點(diǎn)及應(yīng)用方法如下：A.內(nèi)置RC定時(shí)電路設(shè)定頻率的獨(dú)立鋸齒波振蕩器，其振蕩頻率fo(kHz)=1.2/R(kΩ)·C(μF)，其最高振蕩頻率可達(dá)300kHz，既能驅(qū)動(dòng)雙極性開(kāi)關(guān)管，增設(shè)灌電流通路后，還能驅(qū)動(dòng)MOSFET開(kāi)關(guān)管。B.內(nèi)部設(shè)有比較器組成的死區(qū)時(shí)間控制電路，用外加電壓控制比較器的輸出電平，通過(guò)其輸出電平使觸發(fā)器翻轉(zhuǎn)，控制兩路輸出之間的死區(qū)時(shí)間。當(dāng)?shù)?腳電平升高時(shí)，死區(qū)時(shí)間增大。C.觸發(fā)器的兩路輸出設(shè)有控制電路，使Q1、Q2既可輸出雙端時(shí)序不同的驅(qū)動(dòng)脈沖，驅(qū)動(dòng)推挽開(kāi)關(guān)電路和半橋開(kāi)關(guān)電路，同時(shí)也可輸出同相序的單端驅(qū)動(dòng)脈沖，驅(qū)動(dòng)單端開(kāi)關(guān)電路。D.內(nèi)部?jī)山M完全相同的誤差放大器，其同相輸入端均被引出芯片外，因此可以自由設(shè)定其基準(zhǔn)電壓，以方便用于穩(wěn)壓取樣，或利用其中一種作為過(guò)壓、過(guò)流超閾值保護(hù)。E.輸出驅(qū)動(dòng)電流單端達(dá)到400mA，能直接驅(qū)動(dòng)峰值電流達(dá)5A的開(kāi)關(guān)電路。雙端輸出脈沖峰值為2×200mA，加入驅(qū)動(dòng)級(jí)即能驅(qū)動(dòng)近千瓦的推挽式和橋式電路。TL494的各腳功能及參數(shù)如下：第1、16腳為誤差放大器A1、A2的同相輸入端。最高輸入電壓不超過(guò)Vcc+0.3V。第2、15腳為誤差放大器A1、A2的反相輸入端?？山尤胝`差檢出的基準(zhǔn)電壓。第3腳為誤差放大器A1、A2的輸出端。集成電路內(nèi)部用于控制PWM比較器的同相輸入端，當(dāng)A1、A2任一輸出電壓升高時(shí)，控制PWM比較器的輸出脈寬減小。同時(shí)，該輸出端還引出端外，以便與第2、15腳間接入RC頻率校正電路和直接負(fù)反饋電路，一則穩(wěn)定誤差放大器的增益，二則防止其高頻自激。另外，第3腳電壓反比于輸出脈寬，也可利用該端功能實(shí)現(xiàn)高電平保護(hù)。第4腳為死區(qū)時(shí)間控制端。當(dāng)外加1V以下的電壓時(shí)，死區(qū)時(shí)間與外加電壓成正比。如果電壓超過(guò)1V，內(nèi)部比較器將關(guān)斷觸發(fā)器的輸出脈沖。第5腳為鋸齒波振蕩器外接定時(shí)電容端，第6腳為鋸齒波振蕩器外接定時(shí)電阻端，一般用于驅(qū)動(dòng)雙極性三極管時(shí)需限制振蕩頻率小于40kHz。第7腳為接地端。第8、11腳為兩路驅(qū)動(dòng)放大器NPN管的集電極開(kāi)路輸出端。當(dāng)?shù)?、11腳接Vcc，第9、10腳接入發(fā)射極負(fù)載電阻到地時(shí)，兩路為正極***騰柱式輸出，用以驅(qū)動(dòng)各種推挽開(kāi)關(guān)電路。當(dāng)?shù)?、11腳接地時(shí)，兩路為同相位驅(qū)動(dòng)脈沖輸出。第8、11腳和9、10腳可直接并聯(lián)，雙端輸出時(shí)最大驅(qū)動(dòng)電流為2×200mA，并聯(lián)運(yùn)用時(shí)最大驅(qū)動(dòng)電流為400mA。第14腳為內(nèi)部基準(zhǔn)電壓精密穩(wěn)壓電路端。輸出5V±0.25V的基準(zhǔn)電壓，最大負(fù)載電流為10mA。用于誤差檢出基準(zhǔn)電壓和控制模式的控制電壓。TL494的極限參數(shù)：最高瞬間工作電壓(12腳)42V，最大輸出電流250mA，最高誤差輸入電壓Vcc+0.3V，測(cè)試/環(huán)境溫度≤45℃，最大允許功耗1W，最高結(jié)溫150℃，使用溫度范圍0～70℃，保存溫度-65～+150℃。TL494的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用參數(shù)：Vcc(第12腳)為7～40V，Vcc1(第8腳)、Vcc2(第11腳)為40V，Ic1、Ic2為200mA，RT取值范圍1.8～500kΩ，CT取值范圍4700pF～10μF，最高振蕩頻率(fOSC)≤300kHz。

它激式變換部分采用TL494，VT1、VT2、VD3、VD4構(gòu)成灌電流驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)兩路各兩只60V/30A的MOSFET開(kāi)關(guān)管。如需提高輸出功率，每路可采用3～4只開(kāi)關(guān)管并聯(lián)應(yīng)用，電路不變。TL494在該逆變器中的應(yīng)用方法如下：第1、2腳構(gòu)成穩(wěn)壓取樣、誤差放大系統(tǒng)，正相輸入端1腳輸入逆變器次級(jí)取樣繞組整流輸出的15V直流電壓，經(jīng)R1、R2分壓，使第1腳在逆變器正常工作時(shí)有近4.7～5.6V取樣電壓。反相輸入端2腳輸入5V基準(zhǔn)電壓(由14腳輸出)。當(dāng)輸出電壓降低時(shí)，1腳電壓降低，誤差放大器輸出低電平，通過(guò)PWM電路使輸出電壓升高。正常時(shí)1腳電壓值為5.4V，2腳電壓值為5V，3腳電壓值為0.06V。此時(shí)輸出AC電壓為235V(方波電壓)。第4腳外接R6、R4、C2設(shè)定死區(qū)時(shí)間。正常電壓值為0.01V。第5、6腳外接CT、RT設(shè)定振蕩器三角波頻率為100Hz。正常時(shí)5腳電壓值為1.75V，6腳電壓值為3.73V。第7腳為共地。第8、11腳為內(nèi)部驅(qū)動(dòng)輸出三極管集電極，第12腳為TL494前級(jí)供電端，此三端通過(guò)開(kāi)關(guān)S控制TL494的啟動(dòng)/停止，作為逆變器的控制開(kāi)關(guān)。當(dāng)S1關(guān)斷時(shí)，TL494無(wú)輸出脈沖，因此開(kāi)關(guān)管VT4～VT6無(wú)任何電流。S1接通時(shí)，此三腳電壓值為蓄電池的正極電壓。第9、10腳為內(nèi)部驅(qū)動(dòng)級(jí)三極管發(fā)射極，輸出兩路時(shí)序不同的正脈沖。正常時(shí)電壓值為1.8V。第13、14、15腳其中14腳輸出5V基準(zhǔn)電壓，使13腳有5V高電平，控制門電路，觸發(fā)器輸出兩路驅(qū)動(dòng)脈沖，用于推挽開(kāi)關(guān)電路。第15腳外接5V電壓，構(gòu)成誤差放大器反相輸入基準(zhǔn)電壓，以使同相輸入端16腳構(gòu)成高電平保護(hù)輸入端。此接法中，當(dāng)?shù)?6腳輸入大于5V的高電平時(shí)，可通過(guò)穩(wěn)壓作用降低輸出電壓，或關(guān)斷驅(qū)動(dòng)脈沖而實(shí)現(xiàn)保護(hù)。在它激逆變器中輸出超壓的可能性幾乎沒(méi)有，故該電路中第16腳未用，由電阻R8接地。該逆變器采用容量為400VA的工頻變壓器，鐵芯采用45×60mm2的硅鋼片。初級(jí)繞組采用直徑1.2mm的漆包線，兩根并繞2×20匝。次級(jí)取樣繞組采用0.41mm漆包線繞36匝，中心抽頭。次級(jí)繞組按230V計(jì)算，采用0.8mm漆包線繞400匝。開(kāi)關(guān)管VT4～VT6可用60V/30A任何型號(hào)的N溝道MOSFET管代替。VD7可用1N400X系列普通二極管。該電路幾乎不經(jīng)調(diào)試即可正常工作。當(dāng)C9正極端電壓為12V時(shí)，R1可在3.6～4.7kΩ之間選擇，或用10kΩ電位器調(diào)整，使輸出電壓為額定值。如將此逆變器輸出功率增大為近600W，為了避免初級(jí)電流過(guò)大，增大電阻性損耗，宜將蓄電池改用24V，開(kāi)關(guān)管可選用VDS為100V的大電流MOSFET管。需注意的是，寧可選用多管并聯(lián)，而不選用單只IDS大于50A的開(kāi)關(guān)管，其原因是：一則價(jià)格較高，二則驅(qū)動(dòng)太困難。建議選用100V/32A的2SK564，或選用三只2SK906并聯(lián)應(yīng)用。同時(shí)，變壓器鐵芯截面需達(dá)到50cm2，按普通電源變壓器計(jì)算方式算出匝數(shù)和線徑，或者采用廢UPS-600中變壓器代用。如為電冰箱、電風(fēng)扇供電，請(qǐng)勿忘記加入LC低通濾波器。

圖１15V/-5V直流轉(zhuǎn)換電路（電容\o"二極管專題欄目"二極管輸出）

圖２5V/±15V升壓轉(zhuǎn)換電路（反激式變壓器輸出）

圖３28V/5V直流變換電路（LC式單端輸出）

圖４28V/5V直流變換電路（推挽式變壓器輸出）電壓調(diào)節(jié)芯片SG3525具體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖1所示。其中，腳16為SG3525的基準(zhǔn)電壓源輸出，精度可以達(dá)到（5.1±1％）V，采用了溫度補(bǔ)償，而且設(shè)有過(guò)流保護(hù)電路。腳5，腳6，腳7內(nèi)有一個(gè)雙門限比較器，內(nèi)電容充放電電路，加上外接的電阻電容電路共同構(gòu)成SG3525的振蕩器。振蕩器還設(shè)有外同步輸入端(腳3)。腳1及腳2分別為芯片內(nèi)誤差放大器的反相輸入端、同相輸入端。該放大器是一個(gè)兩級(jí)差分放大器，直流開(kāi)環(huán)增益為70dB左右。

根據(jù)系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)、靜態(tài)特性要求，在誤差放大器的輸出腳9和腳1之間一般要添加適當(dāng)?shù)姆答佈a(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。1.各部分功能：

a基準(zhǔn)電壓源:基準(zhǔn)電壓源是一個(gè)三端穩(wěn)壓電路，其輸入電壓VCC可在（8～35）V內(nèi)變化，通常采用+15V，其輸出電壓VST＝5.1V，精度±1%，采用溫度補(bǔ)償，作為芯片內(nèi)部電路的電源，也可為芯片外圍電路提供標(biāo)準(zhǔn)電源，向外輸出電流可達(dá)400mA，沒(méi)有過(guò)流保護(hù)電路。b振蕩電路：由一個(gè)雙門限電壓均從基準(zhǔn)電源取得，其高門限電壓VH=3.9V，低門限電壓VL=0.9,內(nèi)部橫流源向CT充電，其端壓VC線性上升，構(gòu)成鋸齒波的上升沿，當(dāng)VC=VH時(shí)比較器動(dòng)作，充電過(guò)程結(jié)束，上升時(shí)間t1為：

t1=0.67RTCT

比較器動(dòng)作時(shí)使放電電路接通，CT放電，VC下降并形成鋸齒波的下降沿，當(dāng)VC=VL時(shí)比較器動(dòng)作，放電過(guò)程結(jié)束，完成一個(gè)工作循環(huán)，下降時(shí)間間t2為：

t2=1.3RDCT

注意：此時(shí)間即為死區(qū)時(shí)間

鋸齒波的基本周期T為:

T=t1+t2=(0.67RT+1.3RD)CT

因?yàn)镽D《RT=>t2《t1

由上可見(jiàn)鋸齒波的上升沿遠(yuǎn)長(zhǎng)于下降沿，因此上升沿作為工作沿，下降沿作為回掃沿。c誤差放大器：由兩級(jí)差分放大器構(gòu)成，其直流開(kāi)環(huán)放大倍數(shù)為80dB左右，電壓反饋信號(hào)uf從端子1接至放大器反相輸入端，放大器同相輸入端接基準(zhǔn)電壓。該誤差放大器共模輸入電壓范圍是1.5V-5.2V。dPWM信號(hào)產(chǎn)生及分相電路：比較器的反相端接誤差放大器的輸出信號(hào)ue，而振蕩器的輸出信號(hào)uc則加到比較器的同相輸入端，比較器的輸出信號(hào)為PWM信號(hào)，該信號(hào)經(jīng)鎖存器鎖存，分相電路由二進(jìn)制計(jì)數(shù)器和兩個(gè)或非門構(gòu)成，其輸入信號(hào)為振蕩器的時(shí)鐘信號(hào)，并用時(shí)鐘信號(hào)的前沿觸發(fā)，輸出為頻率減半的互補(bǔ)方波，這些方波和PWM信號(hào)輸入到或非門邏輯電路。其結(jié)果是，所有的輸入為負(fù)時(shí)，輸出為正。這樣P1、P2的輸出每半周期交替為正，其寬度和PWM信號(hào)的負(fù)脈沖相等。脈沖很窄的時(shí)鐘信號(hào)輸入到邏輯或非門電路，可使兩個(gè)門的輸出同時(shí)有一段低電平，以產(chǎn)生死區(qū)時(shí)間。e脈沖輸出級(jí)電路:輸出末級(jí)采用推挽輸出電路，驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)功率管時(shí)關(guān)斷速度更快.11腳和14腳相位相差180°，拉電流和灌電流峰值達(dá)200mA。由于存在開(kāi)閉滯后，使輸出和吸收間出現(xiàn)重迭導(dǎo)通。在重迭處有一個(gè)電流尖脈沖，起持續(xù)時(shí)間約為100ns?？梢栽?3腳處接一個(gè)約0.1uf的電容濾去電壓尖峰。2工作過(guò)程分析

保護(hù)電路IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。

IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。

IGBT的工作特性包括靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩類：

1．靜態(tài)特性

IGBT的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開(kāi)關(guān)特性。

IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它與GTR的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT，正向電壓由J2結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無(wú)N+緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平，因此限制了IGBT的某些應(yīng)用范圍。

IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵源電壓小于開(kāi)啟電壓Ugs(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分漏極電流范圍內(nèi)，Id與Ugs呈線性關(guān)系。最高柵源電壓受最大漏極電流限制，其最佳值一般取為15V左右。

IGBT的開(kāi)關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT處于導(dǎo)通態(tài)時(shí)，由于它的PNP晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過(guò)MOSFET的電流成為IGBT總電流的主要部分。此時(shí)，通態(tài)電壓Uds(on)可用下式表示

Uds(on)＝Uj1＋Udr＋I(xiàn)dRoh

式中Uj1——JI結(jié)的正向電壓，其值為0.7～1V；Udr——擴(kuò)展電阻Rdr上的壓降；Roh——溝道電阻。

通態(tài)電流Ids可用下式表示：

Ids=(1+Bpnp)Imos

式中Imos——流過(guò)MOSFET的電流。

由于N+區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，所以IGBT的通態(tài)壓降小，耐壓1000V的IGBT通態(tài)壓降為2～3V。IGBT處于斷態(tài)時(shí)，只有很小的泄漏電流存在。

2．動(dòng)態(tài)特性

IGBT在開(kāi)通過(guò)程中，大部分時(shí)間是作為MOSFET來(lái)運(yùn)行的，只是在漏源電壓Uds下降過(guò)程后期，PNP晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時(shí)間。td(on)為開(kāi)通延遲時(shí)間，tri為電流上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常給出的漏極電流開(kāi)通時(shí)間ton即為td(on)tri之和。漏源電壓的下降時(shí)間由tfe1和tfe2組成。

IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負(fù)向電壓，柵極電壓可由不同的驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生。當(dāng)選擇這些驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，必須基于以下的參數(shù)來(lái)進(jìn)行：器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因?yàn)镮GBT柵極-發(fā)射極阻抗大，故可使用MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行觸發(fā)，不過(guò)由于IGBT的輸入電容較MOSFET為大，故IGBT的關(guān)斷偏壓應(yīng)該比許多MOSFET驅(qū)動(dòng)電路提供的偏壓更高。

IGBT在關(guān)斷過(guò)程中，漏極電流的波形變?yōu)閮啥?。因?yàn)镸OSFET關(guān)斷后，PNP晶體管的存儲(chǔ)電荷難以迅速消除，造成漏極電流較長(zhǎng)的尾部時(shí)間，td(off)為關(guān)斷延遲時(shí)間，trv為電壓Uds(f)的上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常常給出的漏極電流的下降時(shí)間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成，而漏極電流的關(guān)斷時(shí)間

t(off)=td(off)+trv十t(f)

式中，td(off)與trv之和又稱為存儲(chǔ)時(shí)間。

IGBT的開(kāi)關(guān)速度低于MOSFET，但明顯高于GTR。IGBT在關(guān)斷時(shí)不需要負(fù)柵壓來(lái)減少關(guān)斷時(shí)間，但關(guān)斷時(shí)間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開(kāi)啟電壓約3～4V，和MOSFET相當(dāng)。IGBT導(dǎo)通時(shí)的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。

正式商用的IGBT器件的電壓和電流容量還很有限，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足電力電子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的需求；高壓領(lǐng)域的許多應(yīng)用中，要求器件的電壓等級(jí)達(dá)到10KV以上，目前只能通過(guò)IGBT高壓串聯(lián)等技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)高壓應(yīng)用。國(guó)外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件，德國(guó)的EUPEC生產(chǎn)的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經(jīng)獲得實(shí)際應(yīng)用，日本東芝也已涉足該領(lǐng)域。與此同時(shí)，各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷開(kāi)發(fā)IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠性、低成本技術(shù)，主要采用1ｕm以下制作工藝，研制開(kāi)發(fā)取得一些新進(jìn)展。

IGBT的發(fā)展歷史

1979年，MOS柵功率開(kāi)關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類晶閘管的結(jié)構(gòu)（P-N-P-N四層組成），其特點(diǎn)是通過(guò)強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。

80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS（雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體）工藝被采用到IGBT中來(lái)。[2]在那個(gè)時(shí)候，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT（非穿通）型設(shè)計(jì)。后來(lái)，通過(guò)采用PT（穿通）型結(jié)構(gòu)的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個(gè)顯著改進(jìn)，這是隨著硅片上外延的技術(shù)進(jìn)步，以及采用對(duì)應(yīng)給定阻斷電壓所設(shè)計(jì)的n+緩沖層而進(jìn)展的[3]。幾年當(dāng)中，這種在采用PT設(shè)計(jì)的外延片上制備的DMOS平面柵結(jié)構(gòu)，其設(shè)計(jì)規(guī)則從5微米先進(jìn)到3微米。

90年代中期，溝槽柵結(jié)構(gòu)又返回到一種新概念的IGBT，它是采用從大規(guī)模集成（LSI）工藝借鑒來(lái)的硅干法刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)的新刻蝕工藝，但仍然是穿通（PT）型芯片結(jié)構(gòu)。[4]在這種溝槽結(jié)構(gòu)中，實(shí)現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關(guān)斷時(shí)間之間折衷的更重要的改進(jìn)。

硅芯片的重直結(jié)構(gòu)也得到了急劇的轉(zhuǎn)變，先是采用非穿通（NPT）結(jié)構(gòu)，繼而變化成弱穿通（LPT）結(jié)構(gòu)，這就使安全工作區(qū)（SOA）得到同表面柵結(jié)構(gòu)演變類似的改善。

這次從穿通（PT）型技術(shù)先進(jìn)到非穿通（NPT）型技術(shù)，是最基本的，也是很重大的概念變化。這就是：穿通（PT）技術(shù)會(huì)有比較高的載流子注入系數(shù)，而由于它要求對(duì)少數(shù)載流子壽命進(jìn)行控制致使其輸運(yùn)效率變壞。另一方面，非穿通（NPT）技術(shù)則是基于不對(duì)少子壽命進(jìn)行殺傷而有很好的輸運(yùn)效率，不過(guò)其載流子注入系數(shù)卻比較低。進(jìn)而言之，非穿通（NPT）技術(shù)又被軟穿通（LPT）技術(shù)所代替，它類似于某些人所謂的“軟穿通”（SPT）或“電場(chǎng)截止”（FS）型技術(shù)，這使得“成本—性能”的綜合效果得到進(jìn)一步改善。

1996年，CSTBT（載流子儲(chǔ)存的溝槽柵雙極晶體管）使第5代IGBT模塊得以實(shí)現(xiàn)[6]，它采用了弱穿通（LPT）芯片結(jié)構(gòu)，又采用了更先進(jìn)的寬元胞間距的設(shè)計(jì)。目前，包括一種“反向阻斷型”（逆阻型）功能或一種“反向?qū)ㄐ汀保鎸?dǎo)型）功能的IGBT器件的新概念正在進(jìn)行研究，以求得進(jìn)一步優(yōu)化。

IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng)，各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調(diào)速外，600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB，大大降低電路接線電感，提高系統(tǒng)效率，現(xiàn)已開(kāi)發(fā)成功第二代IPEM，其中所有的無(wú)源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點(diǎn)。

現(xiàn)在,大電流高電壓的IGBT已模塊化,它的驅(qū)動(dòng)電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外,現(xiàn)在已制造出集成化的IGBT專用驅(qū)動(dòng)電路.其性能更好,整機(jī)的可靠性更高及體積更小。

根據(jù)前面描述的IGBT的工作原理，可以得到如圖所示的IGBT輸出特性。

（a）IGBT的輸出特性（n溝道增強(qiáng)型）（b）轉(zhuǎn)移特性IC=f(VCE)

IGBT的輸出特性與轉(zhuǎn)移特性基于SG3525的DC／DC直流變換器的研究[圖片]\o"分享"分享\o"轉(zhuǎn)載"轉(zhuǎn)載\o"復(fù)制地址"復(fù)制地址\o"轉(zhuǎn)播到微博"轉(zhuǎn)播到微博..贊贊取消贊逆變電源2010年01月29日22:37閱讀(101)評(píng)論(0)分類：\o"個(gè)人日記"個(gè)人日記\o"舉報(bào)"舉報(bào)\o"大"字體：大▼\o"小"小\o"中"中\(zhòng)o"大"大隨著電能變換技術(shù)的發(fā)展，功率MOSFET在開(kāi)關(guān)變換器中開(kāi)始廣泛使用。為此，美國(guó)硅通用半導(dǎo)體公司推出了SG3525，以用于驅(qū)動(dòng)N溝道功率MOSFET。SG3525是一種性能優(yōu)良、功能齊全和通用性強(qiáng)的單片集成PWM控制芯片，它簡(jiǎn)單可靠及使用方便靈活，輸出驅(qū)動(dòng)為推拉輸出形式，增加了驅(qū)動(dòng)能力；內(nèi)部含有欠壓鎖定電路、軟啟動(dòng)控制電路、PWM鎖存器，有過(guò)流保護(hù)功能，頻率可調(diào)，同時(shí)能限制最大占空比。其性能特點(diǎn)如下：

1)工作電壓范圍寬：8～35V。

2)內(nèi)置5．1V±1．0％的基準(zhǔn)電壓源。

3)芯片內(nèi)振蕩器工作頻率寬100Hz～400kHz。

4)具有振蕩器外部同步功能。

5)死區(qū)時(shí)間可調(diào)。為了適應(yīng)驅(qū)動(dòng)快速場(chǎng)效應(yīng)管的需要，末級(jí)采用推拉式工作電路，使開(kāi)關(guān)速度更陜，末級(jí)輸出或吸入電流最大值可達(dá)400mA。

6)內(nèi)設(shè)欠壓鎖定電路。當(dāng)輸入電壓小于8V時(shí)芯片內(nèi)部鎖定，停止工作(基準(zhǔn)源及必要電路除外)，使消耗電流降至小于2mA。

7)有軟啟動(dòng)電路。比較器的反相輸入端即軟啟動(dòng)控制端芯片的引腳8，可外接軟啟動(dòng)電容。該電容器內(nèi)部的基準(zhǔn)電壓Uref由恒流源供電，達(dá)到2．5V的時(shí)間為t=(2．5V／50μA)C，占空比由小到大(50％)變化。

8)內(nèi)置PWM(脈寬調(diào)制)。鎖存器將比較器送來(lái)的所有的跳動(dòng)和振蕩信號(hào)消除。只有在下一個(gè)時(shí)鐘周期才能重新置位，系統(tǒng)的可靠性高。

l脈寬調(diào)制器SG3525簡(jiǎn)介

1．1結(jié)構(gòu)框圖

SG3525是定頻PWM電路，采用原理16引腳標(biāo)準(zhǔn)DIP封裝。其各引腳功能如圖1所示，內(nèi)部原理框圖如圖2所示。1．2引腳功能說(shuō)明

直流電源Vs從腳15接入后分兩路，一路加到或非門；另一路送到基準(zhǔn)電壓穩(wěn)壓器的輸入端，產(chǎn)生穩(wěn)定的元器件作為電源。振蕩器腳5須外接電容CT，腳6須外接電阻RT。振蕩器頻率廠由外接電阻RT和電容CT決定，振蕩器的輸出分為兩路，一路以時(shí)鐘脈沖形式送至雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器及兩個(gè)或非門；另一路以鋸齒波形式送至比較器的同相輸入端，比較器的反向輸入端接誤差放大器的輸出，誤差放大器的輸出與鋸齒波電壓在比較器中進(jìn)行比較，輸出一個(gè)隨誤差放大器輸出電壓高低而改變寬度的方波脈沖，再將此方波脈沖送到或非門的一個(gè)輸入端。或非門的另兩個(gè)輸入端分別為雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器和振蕩器鋸齒波。雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的兩個(gè)輸出互補(bǔ)，交替輸出高低電平，將PwM脈沖送至三極管VT1及VT2的基極，鋸齒波的作用是加入死區(qū)時(shí)間，保證VT1及VT2不同時(shí)導(dǎo)通。最后，VTl及VT2分別輸出相位相差為180°的PWM波。2系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

本電源輸入電壓是由帶隔離變壓器的+30V電源提供，圖3是選用SG3525設(shè)計(jì)的DC—DC直流變換器原理圖。性能指標(biāo)是：輸入電壓為DC24～35V可調(diào)，輸入額定電壓為30V，輸出為5V／lA。本系統(tǒng)由SG3525產(chǎn)生兩路反向方波來(lái)控制MOSFET的導(dǎo)通與關(guān)閉，MOSFET驅(qū)動(dòng)采用推挽方式，本設(shè)計(jì)在變壓器的中心抽頭加入30V直流電壓，輸出部分采用全波整流，在輸出點(diǎn)上有分壓電阻給TL431提供參考電壓，并通過(guò)光電隔離反饋到SG3525，以調(diào)節(jié)控制輸出方波占空比來(lái)穩(wěn)定輸出電壓。由于本設(shè)計(jì)采用推挽式功率變換電路，在輸入回路中僅有一個(gè)開(kāi)關(guān)的通態(tài)壓降，而半橋和全橋電路有2個(gè)，因此在同樣的條件下，產(chǎn)生的通態(tài)損耗較小，這種拓?fù)涮貏e適合輸入電壓較低的場(chǎng)合，這也是本設(shè)計(jì)為什么采用推挽變換器的原因。其中的變壓器可同時(shí)實(shí)現(xiàn)直流隔離和電壓變換的功能，磁性元件數(shù)目較少，成本較低。2．1高頻變壓器設(shè)計(jì)

推挽變換器的高頻變壓器如圖3中所示，原邊和副邊的繞組都分別有一個(gè)中心抽頭。磁心參數(shù)選擇如下：

變壓器輸入電壓幅值Up1=24V，直流輸出電壓5V，串聯(lián)二極管串聯(lián)壓降取0．6V，所以次級(jí)繞組電壓幅值Up2取5．6V，最大工作比α=0．45，次級(jí)繞組峰值電流Ip2=1A，次變壓器效率η取為1，這個(gè)效率不包括整流二極管在內(nèi))，取工作磁感應(yīng)強(qiáng)度Bm=170mT，電流密度j取4．8A／mm2，銅在磁心窗口中的占空系數(shù)Km(初選時(shí)取0．2～0．3)，實(shí)際計(jì)算是取Km=0．25，則計(jì)算面積乘積取EEl6磁心，它的中心磁鐵截面積(Ae)19．2mm2，磁心的窗口面積(Aw)為39．85mm2，因此EEl6的功率容量為Ae×Aw=19．2×39．85mm4=0．0765cm4，而計(jì)算面積乘積AP=O．029cm4，它明顯小于上面的功率容量的乘積0．0765，可見(jiàn)采用EEl6磁心時(shí)，其功率容量已足夠大。繞組匝數(shù)計(jì)算如下：先確定最低電壓繞組的匝數(shù)

取偶數(shù)N1=34，其中開(kāi)關(guān)管最大導(dǎo)通時(shí)間Tcn=9μs，控制器輸出頻率f=45kHZ。按照原邊34匝，副邊8匝繞制變壓器，在變壓器的繞制過(guò)程中，為了減少變壓器的漏感，要將原邊繞組和副邊繞組緊密耦合。

2．2控制及驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

采用SG3525集成PWM控制器作為控制芯片，它的外圍電路簡(jiǎn)單。電路中的鋸齒波生成電路由RT、CT和內(nèi)部電路組成，本設(shè)計(jì)取CT=4700pF，RT=3．3kΩ，RD=100Ω，經(jīng)計(jì)算振蕩器輸出頻率是90kHz，PWM輸出頻率定為45kHz。軟啟動(dòng)電容接入端(引腳8)接一個(gè)lμF的軟啟動(dòng)電容。只有軟啟動(dòng)電容充電使引腳8處于高電平時(shí)，SG3525才開(kāi)始工作。

系統(tǒng)中的基準(zhǔn)比較調(diào)節(jié)電路則由基準(zhǔn)引腳Vref、同相輸入端及外圍電阻構(gòu)成。2腳的電壓固定值接近5V。SG3525的l、2、9腳及其外圍電路構(gòu)成了PI調(diào)節(jié)器，它的輸出與5腳鋸齒波和軟啟動(dòng)電容一起可控制PWM控制器以產(chǎn)生方波。它的輸出級(jí)ll、14腳輸出兩路互補(bǔ)的PWM波，采用圖騰柱式結(jié)構(gòu)，灌拉電流能力超過(guò)200mA，可以直接驅(qū)動(dòng)MOSFET管，只需加一門級(jí)電阻即可。在本設(shè)計(jì)選用的是IR公司生產(chǎn)的IRF630。其具體設(shè)計(jì)電路如原理圖中所示。

2．3反饋補(bǔ)償電路設(shè)計(jì)

為了確保輸出的穩(wěn)定，在+5V上引入反饋，采用2．5～36V可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器TL43l作為穩(wěn)壓器件。TL43l是德州儀器公司生產(chǎn)的一款有良好熱穩(wěn)定性的三端可調(diào)分流基準(zhǔn)源。它的輸出電壓可用兩個(gè)電阻任意設(shè)置到Vref(2．5V)到36V范圍內(nèi)。該器件的典型動(dòng)態(tài)阻抗為0．2Ω。用它來(lái)構(gòu)成外部誤差放大器，再與光耦組成隔離式反饋電路。為了將連續(xù)變化的輸出迅速反饋，需采用線性光耦，如PC817。PC817不僅可以起到反饋?zhàn)饔?，還可以起到隔離作用，當(dāng)PC817二極管正向電流在3mA左右變化時(shí)，三極管的集一射極電流在4mA左右變化，而集一射極電壓在很寬的范圍內(nèi)線性變化，因而比較符合SG3525的控制要求。

當(dāng)+5V輸出電壓升高時(shí)，經(jīng)R27、R28分壓后得到的取樣電壓，就與TL43l中的2．5V帶隙基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較，并在陰極上形成誤差電壓，使LED的工作電流發(fā)生變化，再通過(guò)光耦PC817去改變SG35251腳的電壓大小，從而改變9腳電流大小，最后調(diào)節(jié)，再通過(guò)光耦PC817使反饋電壓增大，SG3525的1腳輸入端電壓升高，經(jīng)SG3525內(nèi)部電路后ll、14的輸出占空比減小，使+5V維持穩(wěn)定。

2．4輸出電路設(shè)計(jì)

在負(fù)載電流相同的條件下，全波和倍流整流電路中二極管的總通態(tài)損耗比全橋整流電路小一半，這就意味著在輸出電壓相同，且其它損耗相當(dāng)?shù)那闆r下，全波和倍流整流電路的效率會(huì)較高。在低壓輸入電路中，二極管通態(tài)損耗占電路總損耗很大比例，通常在輸入電壓較低的情況下(小于100V)采用全波電路比較合適，因此本設(shè)計(jì)采用整流器件MBR20100，其管壓降小，可提高效率，二極管兩端采用RC吸收電路，抑制二極管的反向瞬態(tài)電壓，高頻電壓經(jīng)其整流后由濾波電容C13濾波，再經(jīng)磁珠L(zhǎng)1組成低通濾波器向負(fù)載輸出，C14可降低交流紋波。輸出電路設(shè)計(jì)如原理圖所示。3實(shí)驗(yàn)波形和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)

圖4是滿載時(shí)輸出波形，從圖中可以看出，滿載時(shí)+5V。輸出比較穩(wěn)定且紋波比較小。圖5是直流輸入30V、滿載輸出時(shí)MOSFET漏一源極電壓波形(衰減lO倍后)，可以看出此時(shí)占空比最大約為45%。

為了驗(yàn)證該系統(tǒng)的穩(wěn)定性，實(shí)驗(yàn)中記錄了不同負(fù)載下的輸出電壓值和不同輸入下輸出電壓值如表1和表2所示。

從表1和表2可以看出，隨著負(fù)載的加重，輸出電壓有小量的降低，隨著輸入電壓的增加輸出電壓有小量的提升。但都基本維持在5V左右，負(fù)載調(diào)整率為(5．06～4．97)／4．97=1．8％，表明該系統(tǒng)較好地實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)壓。4結(jié)束語(yǔ)

本文介紹了基于控制集成芯片SG3525的推挽式DC—DC直流變換器的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案，特別適用于低壓輸入的場(chǎng)合。整個(gè)系統(tǒng)所占用的PCB板面積很小，可直接做在單板系統(tǒng)上，為絕大多數(shù)單板系統(tǒng)提供足夠的電能。經(jīng)實(shí)驗(yàn)證明，它結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，性能可靠，成本低廉，而且重量輕、體積小，具有很大的實(shí)用潛力。直流升壓就是將電池提供的較低的直流電壓，提升到需要的電壓值，其基本的工作過(guò)程都是：高頻振蕩產(chǎn)生低壓脈沖——脈沖變壓器升壓到預(yù)定電壓值——脈沖整流獲得高壓直流電，因此直流升壓電路屬于DC/DC電路的一種類型。

在使用電池供電的便攜設(shè)備中，都是通過(guò)直流升壓電路獲得電路中所需要的高電壓，這些設(shè)備包括：手機(jī)、傳呼機(jī)等無(wú)線通訊設(shè)備、照相機(jī)中的閃光燈、便攜式視頻顯示裝置、電蚊拍等電擊設(shè)備等等。

一、幾種簡(jiǎn)單的直流升壓電路

以下是幾種簡(jiǎn)單的直流升壓電路，主要優(yōu)點(diǎn)：電路簡(jiǎn)單、低成本；缺點(diǎn)：轉(zhuǎn)換效率較低、電池電壓利用率低、輸出功率小。這些電路比較適合用在萬(wàn)用電表中，替代高壓疊層電池。

二、24V供電ＣＲＴ高壓電源

一些照相機(jī)ＣＲＴ使用１１．４ｃｍ（４．５英寸）純平面ＣＲＴ作為顯示部件，其高壓部件的陽(yáng)極電壓為＋２０ｋＶ，聚焦極電壓為＋３．２ｋＶ，加速極電壓為＋１０００Ｖ，高壓部件供電為直流２４Ｖ。以下電路是為替換維修這些顯示器的高壓部件而設(shè)計(jì)（電路選自網(wǎng)絡(luò)文章，原作者不詳）。該電路的設(shè)計(jì)也可為其他升壓電路設(shè)計(jì)提供參考。

基本原理：ＮＥ５５５構(gòu)成脈沖發(fā)生器，調(diào)節(jié)電位器ＶＲ２可使之產(chǎn)生頻率為２０ｋＨｚ左右的脈沖，電位器ＶＲ１調(diào)脈寬。ＴＲ１為推動(dòng)級(jí)，脈沖變壓器Ｔ１采用反極性激勵(lì)，即ＴＲ１導(dǎo)通時(shí)ＴＲ２截止，ＴＲ１截止時(shí)ＴＲ２導(dǎo)通，Ｄ３、Ｃ９、ＶＲ３、Ｒ７及Ｄ４、Ｒ６、ＴＲ３組成高壓保護(hù)電路。ＶＲ２用于調(diào)頻率，調(diào)節(jié)ＶＲ２可調(diào)整高壓大小。

ＶＲ２選用精密可調(diào)電阻。Ｔ２可選用彩電行輸出變壓器變通使用。筆者選用的是東洋ＳＥ－１４３８Ｇ系列３５ｃｍ（１４英寸）彩電的行輸出變壓器，采用此變壓器陽(yáng)極電壓可達(dá)２０ｋＶ，再適當(dāng)選?。遥傅淖柚凳辜铀贅O電壓為＋１０００Ｖ、Ｒ９的阻值使聚焦極電壓為＋３．２ｋＶ即可。整個(gè)部件采用鋁盒封裝，鋁殼接地，這樣可減少對(duì)電路干擾。常用電源IC79L05負(fù)5V穩(wěn)壓器(100ma)79L06負(fù)6V穩(wěn)壓器(100ma)79L08負(fù)8V穩(wěn)壓器(100ma)79L09負(fù)9V穩(wěn)壓器(100ma)79L12負(fù)12V穩(wěn)壓器(100ma)79L15負(fù)15V穩(wěn)壓器(100ma)79L18負(fù)18V穩(wěn)壓器(100ma)79L24負(fù)24V穩(wěn)壓器(100ma)LM1575T-3.33.3V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)LM1575T-5.05V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)LM1575T-1212V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)LM1575T-1515V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)LM1575T-ADJ簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A可調(diào)1.23to37)LM1575HVT-3.33.3V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)LM1575HVT-5.05V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)LM1575HVT-1212V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)LM1575HVT-1515V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)LM1575HVT-ADJ簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A可調(diào)1.23to37)LM2575T-3.33.3V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)LM2575T-5.05V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)LM2575T-1212V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)LM2575T-1515V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)LM2575T-ADJ簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A可調(diào)1.23to37)LM2575HVT-3.33.3V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)LM2575HVT-5.05V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)LM2575HVT-1212V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)LM2575HVT-1515V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)LM2575HVT-ADJ簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A可調(diào)1.23to37)LM2576T-3.33.3V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(3A)LM2576T-5.05.0V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(3A)LM2576T-1212V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(3A)LM2576T-1515V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(3A)LM2576T-ADJ簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(3A可調(diào)1.23Vto37V)LM2576HVT-3.33.3V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(3A)LM2576HVT-5.05.0V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(3A)LM2576HVT-1212V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(3A)LM2576HVT-1515V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(3A)LM2576HVT-ADJ簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(3A可調(diào)1.23Vto37V)LM2930T-5.05.0V低壓差穩(wěn)壓器LM2930T-8.08.0V低壓差穩(wěn)壓器LM2931AZ-5.05.0V低壓差穩(wěn)壓器(TO-92)LM2931T-5.05.0V低壓差穩(wěn)壓器LM2931CT3Vto29V低壓差穩(wěn)壓器(TO-220,5PIN)LM2940CT-5.05.0V低壓差穩(wěn)壓器LM2940CT-8.08.0V低壓差穩(wěn)壓器LM2940CT-9.09.0V低壓差穩(wěn)壓器LM2940CT-1010V低壓差穩(wěn)壓器LM2940CT-1212V低壓差穩(wěn)壓器LM2940CT-1515V低壓差穩(wěn)壓器LM123K5V穩(wěn)壓器(3A)LM323K5V穩(wěn)壓器(3A)LM117K1.2Vto37V三端正可調(diào)穩(wěn)壓器(1.5A)LM317LZ1.2Vto37V三端正可調(diào)穩(wěn)壓器(0.1A)LM317T1.2Vto37V三端正可調(diào)穩(wěn)壓器(1.5A)LM317K1.2Vto37V三端正可調(diào)穩(wěn)壓器(1.5A)LM133K三端可調(diào)-1.2Vto-37V穩(wěn)壓器(3.0A)LM333K三端可調(diào)-1.2Vto-37V穩(wěn)壓器(3.0A)LM337K三端可調(diào)-1.2Vto-37V穩(wěn)壓器(1.5A)LM337T三端可調(diào)-1.2Vto-37V穩(wěn)壓器(1.5A)LM337LZ三端可調(diào)-1.2Vto-37V穩(wěn)壓器(0.1A)LM150K三端可調(diào)1.2Vto32V穩(wěn)壓器(3A)LM350K三端可調(diào)1.2Vto32V穩(wěn)壓器(3A)LM350T三端可調(diào)1.2Vto32V穩(wěn)壓器(3A)LM138K三端正可調(diào)1.2Vto32V穩(wěn)壓器(5A)LM338T三端正可調(diào)1.2Vto32V穩(wěn)壓器(5A)LM338K三端正可調(diào)1.2Vto32V穩(wěn)壓器(5A)LM336-2.52.5V精密基準(zhǔn)電壓源LM336-5.05.0V精密基準(zhǔn)電壓源LM385-1.21.2V精密基準(zhǔn)電壓源LM385-2.52.5V精密基準(zhǔn)電壓源LM399H6.9999V精密基準(zhǔn)電壓源LM431ACZ精密可調(diào)2.5Vto36V基準(zhǔn)穩(wěn)壓源LM723高精度可調(diào)2Vto37V穩(wěn)壓器LM105高精度可調(diào)4.5Vto40V穩(wěn)壓器LM305高精度可調(diào)4.5Vto40V穩(wěn)壓器MC14032.5V基準(zhǔn)電壓源MC34063充電控制器SG3524脈寬調(diào)制開(kāi)關(guān)電源控制器TL431精密可調(diào)2.5Vto36V基準(zhǔn)穩(wěn)壓源TL494脈寬調(diào)制開(kāi)關(guān)電源控制器TL497頻率調(diào)制開(kāi)關(guān)電源控制器TL7705電池供電/欠壓控制器7805正5V穩(wěn)壓器(1A)7806正6V穩(wěn)壓器(1A)7808正8V穩(wěn)壓器(1A)7809正9V穩(wěn)壓議（1A）7812正12V穩(wěn)壓器(1A)7815正15V穩(wěn)壓器(1A)7818正18V穩(wěn)壓器(1A)7824正24V穩(wěn)壓器(1A)7905負(fù)5V穩(wěn)壓器(1A)7906負(fù)6V穩(wěn)壓器(1A)7908負(fù)8V穩(wěn)壓器(1A)7909負(fù)9V穩(wěn)壓器（1A）7912負(fù)12V穩(wěn)壓器(1A)7915負(fù)15V穩(wěn)壓器(1A)7918負(fù)18V穩(wěn)壓器(1A)7924負(fù)24V穩(wěn)壓器(1A)78L05正5V穩(wěn)壓器(100ma)78L06正6V穩(wěn)壓器(100ma)78L08正8V穩(wěn)壓器(100ma)78L09正9V穩(wěn)壓器(100ma)78L12正12V穩(wěn)壓器(100ma)78L15正15V穩(wěn)壓器(100ma)78L18正18V穩(wěn)壓器(100ma)78L24正24V穩(wěn)壓器(100ma）常用電源IC簡(jiǎn)介

78L05

正5V穩(wěn)壓器(100mA)

78L06

正6V穩(wěn)壓器(100mA)

78L08

正8V穩(wěn)壓器(100mA)

78L09

正9V穩(wěn)壓器(100mA)

78L12

正12V穩(wěn)壓器(100mA)

78L15

正15V穩(wěn)壓器(100mA)

78L18

正18V穩(wěn)壓器(100mA)

78L24

正24V穩(wěn)壓器(100mA）

78M05

正5V穩(wěn)壓器(500mA)

78M06

正6V穩(wěn)壓器(500mA)

78M08

正8V穩(wěn)壓器(500mA)

78M09

正9V穩(wěn)壓器(500mA)

78M12

正12V穩(wěn)壓器(500mA)

78M15

正15V穩(wěn)壓器(500mA)

78M18

正18V穩(wěn)壓器(500mA)

78M24

正24V穩(wěn)壓器(500mA)

7805

正5V穩(wěn)壓器(1A)

7806

正6V穩(wěn)壓器(1A)

7808

正8V穩(wěn)壓器(1A)

7809

正9V穩(wěn)壓議（1A）

7812

正12V穩(wěn)壓器(1A)

7815

正15V穩(wěn)壓器(1A)

7818

正18V穩(wěn)壓器(1A)

7824

正24V穩(wěn)壓器(1A)

7905

負(fù)5V穩(wěn)壓器(1A)

7906

負(fù)6V穩(wěn)壓器(1A)

7908

負(fù)8V穩(wěn)壓器(1A)

7909

負(fù)9V穩(wěn)壓器（1A）

7912

負(fù)12V穩(wěn)壓器(1A)

7915

負(fù)15V穩(wěn)壓器(1A)

7918

負(fù)18V穩(wěn)壓器(1A)

7924

負(fù)24V穩(wěn)壓器(1A)

79L05

負(fù)5V穩(wěn)壓器(100mA)

79L06

負(fù)6V穩(wěn)壓器(100mA)

79L08

負(fù)8V穩(wěn)壓器(100mA)

79L09

負(fù)9V穩(wěn)壓器(100mA)

79L12

負(fù)12V穩(wěn)壓器(100mA)

79L15

負(fù)15V穩(wěn)壓器(100mA)

79L18

負(fù)18V穩(wěn)壓器(100mA)

79L24

負(fù)24V穩(wěn)壓器(100mA)

79M05

負(fù)5V穩(wěn)壓器(500mA)

79M06

負(fù)6V穩(wěn)壓器(500mA)

79M08

負(fù)8V穩(wěn)壓器(500mA)

79M09

負(fù)9V穩(wěn)壓器(500mA)

79M12

負(fù)12V穩(wěn)壓器(500mA)

79M15

負(fù)15V穩(wěn)壓器(500mA)

79M18

負(fù)18V穩(wěn)壓器(500mA)

79M24

負(fù)24V穩(wěn)壓器(500mA)

LM1575T-3.3

3.3V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)

LM1575T-5.0

5V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)

LM1575T-12

12V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)

LM1575T-15

15V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)

LM1575T-ADJ

簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A可調(diào)1.23Vto37V)

LM1575HVT-3.3

3.3V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)

LM1575HVT-5.0

5V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)

LM1575HVT-12

12V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)

LM1575HVT-15

15V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)

LM1575HVT-ADJ

簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A可調(diào)1.23Vto37V)

LM2575T-3.3

3.3V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)

LM2575T-5.0

5V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)

LM2575T-12

12V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)

LM2575T-15

15V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)

LM2575T-ADJ

簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A可調(diào)1.23Vto37V)

LM2575HVT-3.3

3.3V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)

LM2575HVT-5.0

5V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)

LM2575HVT-12

12V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)

LM2575HVT-15

15V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A)

LM2575HVT-ADJ

簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(1A可調(diào)1.23Vto37V)

LM2576T-3.3

3.3V簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)壓器(3A)

L