DCDC外圍器件選取計(jì)算

外圍器件選取輸入、輸出電容vSWiL1iC2iC1iD1輸入、輸出電容PackageTypicalESL(nH)陶瓷電容06030.808051.012061.212101.0鉭電容08051.612062.214112.324122.8電解電容SMT6.8Thru-hole>10被忽略的參數(shù)！CapacitorTypeESRESL10uF/10VCeramic4m?1.25nH100uF/10VTantalum46m?3nH470uF/10VElectrolytic100m?15nH三大常用電容：1.陶瓷電容：高頻特性好，貴，未來會(huì)便宜；2.鉭電容：高頻特性好，耐壓差，稀有金屬，非未來趨勢(shì)；3.電解電容：高頻特性差，耐壓高，廉價(jià)；CapacitorImpedancebelowf0:

CapacitorImpedanceabovef0:

CapacitorImpedanceatf0:

ResonantFrequency:輸入、輸出電容實(shí)際模型陶瓷電容品質(zhì)：NPO>X7R>X5R>Y5V低溫啟動(dòng)問題！陶瓷電容材質(zhì)的影響自舉，自己抬升，為何要自己抬升電壓？BS給誰(shuí)供電？根據(jù)電容上電壓不能突變?cè)?，BS最高可以獲得多少電壓？BS什么時(shí)候給C5充電？C5何時(shí)放電？C5上電會(huì)不會(huì)耗盡？陶瓷電容材質(zhì)的影響1.Core、DDR供電的DC-DC：輸入和輸出都為陶瓷2.其它部分IO口，系統(tǒng)電源：大電解（10倍于規(guī)格書中標(biāo)稱的陶瓷電容容量）+小陶瓷（104或者105即可）3.背光部分：鉭電容或者電解（調(diào)光時(shí)候陶瓷會(huì)嘯叫）不同電路選取電容指南功率電感選擇：1.電感量(有偏差，隨著溫度變化而變化)2.飽和電流，非標(biāo)稱的連續(xù)電流值，而是最大電流值！一般選取負(fù)載連續(xù)電流的120%-140%以上電感選取基本標(biāo)準(zhǔn)vSWiL1iC2iC1iD1CurrentLimit是何物？2A的料為什么會(huì)有2.9ACurrentLimit？2A輸出電流，選最大電流2A的電感夠么？電感選取基本標(biāo)準(zhǔn)Feedback反饋電阻只要比例夠了就行了么？取決于芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)！反饋電阻為什么要按照規(guī)格書選取COMP補(bǔ)償參數(shù)如何計(jì)算？COMP：COMPENSATION縮寫，補(bǔ)償為何要補(bǔ)償？類似PID控制基本原理！理論，但頭暈！COMP補(bǔ)償參數(shù)如何計(jì)算？本質(zhì)：Vo變化引起Vfb變化；---Vfb變化引起Io變化；-------Io變化引起Vcomp變化；所以，當(dāng)R2、R3固定后，調(diào)節(jié)COMP會(huì)有啥療效？COMP補(bǔ)償參數(shù)如何計(jì)算？又叫，續(xù)流二極管：續(xù)流，繼續(xù)維持電感電流vSWiL1iC2iC1iD1壓降一般情況下較大，損耗較高；后被MOS替代，以獲得更高效率。肖特基二極管PCBLAYOUT指南LAYOUT提示5秒鐘判斷電源部分LAYOUT好壞IC的輸入電容的GND在哪？IC的輸出電容的GND在哪？IC的GND在哪？（非同步IC，肖特基GND即可為IC的GND）

它們離得遠(yuǎn)么？？？？？每個(gè)環(huán)路都是一個(gè)干擾發(fā)射源盡可能縮小此兩個(gè)環(huán)路！降壓電路LAYOUT提示兩個(gè)環(huán)路IN到SW集成了一顆MOSFETMOSFET開：紅色環(huán)路MOSFET關(guān)：藍(lán)色環(huán)路一、降壓電路

MOS開關(guān)電流流向降壓電路電流流向升壓電路MOS開關(guān)電流流向兩個(gè)環(huán)路SW到GND集成了一顆MOSFETMOSFET開：紅色環(huán)路MOSFET關(guān)：藍(lán)色環(huán)路升壓電路電流流向每個(gè)環(huán)路不僅是一個(gè)干擾發(fā)射源還成為了被干擾源！LAYOUT提示原理圖中的電路現(xiàn)實(shí)中PCB的電路，這么多電感，如何調(diào)板？LAYOUT不好LAYOUT提示1.SW引腳到電感的導(dǎo)線，盡可能粗而短；2.輸入電容、輸出電容盡可能離IC近些，LAYOUT優(yōu)先保證功率環(huán)路，再考慮信號(hào)部分；3.如果外圍電路有肖特基，肖特基的兩端要和相鄰器件最短鏈接，否則負(fù)向脈沖很大；EMI基本問題EMI從哪里來？TimechangingcurrentinducesavoltageTimechangingvoltageinducesacurrent開關(guān)速度和開關(guān)頻率不可混淆！EMI問題追溯開關(guān)頻率-EMI傳導(dǎo)開關(guān)速度-EMI輻射EMI問題追溯開關(guān)頻率-EMI傳導(dǎo)開關(guān)頻率越高，同樣電感和電容，紋波越??；開關(guān)頻率越高，同樣紋波所用電感越小。開關(guān)速度-EMI輻射開關(guān)速度越快，IC轉(zhuǎn)換效率越高；