GB/T 13150-2005半導(dǎo)體器件分立器件電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的雙向三級晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范

ICS31.080.20K46中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T13150—2005代替GB/T13150—1991半導(dǎo)體器件分立器件電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的雙向三極晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范Semiconductordevices-Discretedevices-Blankdetailspecificationforbidirectionaltriodethyristors(triacs),ambienttandlcase-ratedforcurrentsgreaterthan100A(IEC60747-6-2/QC750111:1991,NEQ)2005-03-23發(fā)布2005-10-01實(shí)施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T13150—2005前本標(biāo)準(zhǔn)是晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范系列國家標(biāo)準(zhǔn)之一，這一系列國家標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)包括-GB/T6352半導(dǎo)體器件分立器件第6部分:閘流品體管第一篇100A以下環(huán)境或管殼額定反向阻斷三極閘流品體管空白詳細(xì)規(guī)范GB/T6590半導(dǎo)體器件分立器件第6部分：閘流晶體管第二篇100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流品體管空白詳細(xì)規(guī)范GB/T13150半導(dǎo)體器件分立器件電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的雙向三極品閘管空白詳細(xì)規(guī)范GB/T13151半導(dǎo)體器件分立器件第6部分:晶閘管第三篇：電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極品閘管空白詳細(xì)規(guī)范GB/T131535A以上環(huán)境或管殼額定可關(guān)斷晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范本標(biāo)準(zhǔn)參照IEC60747-6-2:1991《半導(dǎo)體器件分立器件第6部分：晶閘管第二篇：電流小于等于100A、環(huán)境和管殼額定的雙向三極晶閘管（triacs)空白詳細(xì)規(guī)范》英文版),修訂（B/T13150-1991《100A以上環(huán)境或管殼額定雙向三極品閘管空白詳細(xì)規(guī)范》而產(chǎn)生。本標(biāo)準(zhǔn)與IEC60747-6-2的一致性程度為非等效，主要差異如下：-適用電流范圍不同,本標(biāo)準(zhǔn)適用于額定電流大于100A的雙向三極晶閘管.IEC60747-6-2適用于額定電流小于等于100A的雙向三極品閘管：抽樣要求不同,IEC60747-6-2僅說明"A組檢驗(yàn)的抽樣方案在詳細(xì)規(guī)范中可選擇AQL或LT-PD",對B、C、D組檢驗(yàn)的抽樣未加規(guī)定，而本標(biāo)準(zhǔn)明確要求：A組檢驗(yàn)對全部器件進(jìn)行.B組和C、D組檢驗(yàn)的抽樣分別按LTPD=30和LTPD=50；因勤誤的不同："4.2財(cái)存溫度和等效結(jié)溫”應(yīng)編輯為"4.2財(cái)存溫度”和"4.3等效結(jié)溫”,后面條號作相應(yīng)調(diào)整;5.1中的"2倍"應(yīng)為"它倍”.5.3中的“最大值"應(yīng)為"最小值和最大值".5.7、5.8和5.9中的“最大值“均應(yīng)為“最小值",C組中刪去了與A組中重復(fù)的1a、Van、loe和Voo四項(xiàng)檢驗(yàn)：本標(biāo)準(zhǔn)在B3分組中.增加了“轉(zhuǎn)矩（D)"項(xiàng)目.并作了文字完善.A4分組增加了“換向電壓臨界上升率(適用時)"的檢驗(yàn)，增加了"C2d分組熱阻(適用時)”的檢驗(yàn)；本標(biāo)準(zhǔn)極限值參數(shù)表中補(bǔ)充了四個符號：M、F、和『。本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T13150—1991相比主要變化如下:標(biāo)準(zhǔn)名稱中增加了引導(dǎo)要素文字：半導(dǎo)體器件分立器件“并作了個別文字修改（見前版和本版的封面、首貞)：增加了“前言".刪去了“附加說明"（前版的“附加說明”：本版的“前言")：刪去了第8章各表中的抽樣方案和附錄A追加抽樣表.增加了對A、B、C、D組抽樣要求的文字說明(前版第8章各表和附錄A；本版第8章方括號中的文字)：增增加了無再加反向電壓、有再加反向電壓的了/的符號分別為了和廠·并修改了廠試驗(yàn)的溫度條件（見前版和本版的4.5.5)；“5.11熱阻”的文字和符號作了補(bǔ)充和完善：前版的A3分組（Ior、Vor)在本版并入了A2b分組.本版A2b分組中的斷態(tài)峰值電流僅是Jomwa·而A3分組項(xiàng)目變?yōu)?omweA4分組中刪去了“斷態(tài)電壓臨界上升率”項(xiàng)目（見前版和本版的A組檢驗(yàn))；

GB/T13150—2005增加了"B3分組端子強(qiáng)度適用時轉(zhuǎn)矩(D)”檢驗(yàn)：C7分組的“穩(wěn)態(tài)濕熱”的單一試驗(yàn)條件改為按空腔、非空腔器件分別規(guī)定不同的試驗(yàn)條件(見前版和本版的B組檢驗(yàn)、C組檢驗(yàn))。本標(biāo)準(zhǔn)中引用的國家標(biāo)準(zhǔn)如下：GB/T2423.23—1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)試驗(yàn)Q:密封GB/T4589.1—1989半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范(idtIEC60747-10:1984)GB/T4937—1995半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法（idtIEC60749:1984）GB/T7581-—1987半導(dǎo)體分立器件外形尺寸(neqIEC60191-2:1974)GB/T12560—1999半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范(idtIEC60747-11:1985)GB/T15291—1994半導(dǎo)體器件第6部分品閘管(eqvIEC60747-6:1983)本標(biāo)準(zhǔn)由中國電器工業(yè)協(xié)會提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：襄樊臺基半導(dǎo)體有限公司、北京京儀椿樹整流器有限公司、上海天公整流器有限公司、丹陽可控硅元件廠、丹陽威斯特整流器有限公司、西安電力電子技術(shù)研究所本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:顏家圣、高占成、季節(jié)、徐志毅、蔣建明、秦賢滿。本標(biāo)準(zhǔn)首次發(fā)布時間：1991年8月29日，

GB/T13150—2005半導(dǎo)體器件分立器件電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的雙向三極晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范引育國際電工委員會電子元器件質(zhì)量評定體系(IECQ)遵循國際電工委員會的章程，在國際電工委員會授權(quán)下開展工作。評定體系的目的是以這樣一種方式確定質(zhì)量評定程序，即一個成員國按照符合適用規(guī)范要求所放行的電子元器件在其他所有成員國無需再試驗(yàn)同樣為合格。本空白詳細(xì)規(guī)范是半導(dǎo)體器件一系列空白詳細(xì)規(guī)范的一個.應(yīng)與下列國家標(biāo)準(zhǔn)一起使用。-GB/T4589.1—1989半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范GB/T12560—1999半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范要求的資料本頁及下頁方括號內(nèi)的數(shù)字與下列各項(xiàng)要求的內(nèi)容相對應(yīng),這些內(nèi)容應(yīng)填人相應(yīng)空欄中詳細(xì)規(guī)范的識別[1】授權(quán)發(fā)布詳細(xì)規(guī)范的國家標(biāo)準(zhǔn)化機(jī)構(gòu)名稱。C2洋細(xì)規(guī)范的IECQ編號。C3總規(guī)范和分規(guī)范的編號和版本號。「4詳細(xì)規(guī)范的國家編號、發(fā)布日期和國家體系要求的任何更多的資料。器件的識別【57器件的型號、【6典型結(jié)構(gòu)和應(yīng)用的資料。如果設(shè)計(jì)一種器件滿足幾種應(yīng)用，則應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中說明。這些應(yīng)用的特性、極限值和檢驗(yàn)要求應(yīng)子滿足。如器件對靜電敏感或含有危險(xiǎn)材料.如含