第三章 應(yīng)變傳感器_第1頁(yè)
第三章 應(yīng)變傳感器_第2頁(yè)
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3.1電阻應(yīng)變式傳感器3.2薄膜應(yīng)變電阻及傳感器3.3電阻應(yīng)變傳感器使用中的注意問(wèn)題第三章應(yīng)變傳感器應(yīng)變傳感器力學(xué)量分為:幾何學(xué)量:位移、形變、長(zhǎng)度、厚度等;運(yùn)動(dòng)學(xué)量:速度、加速度、角加速度等;力學(xué)量:力、應(yīng)力、壓力等。測(cè)量這些物理量的器件成為力學(xué)傳感器或應(yīng)變傳感器。3.1電阻應(yīng)變傳感器電阻應(yīng)變片+彈性元件用于測(cè)量位移、加速度、力、力矩、壓力等應(yīng)用于航空、機(jī)械、電力、化工等領(lǐng)域電阻應(yīng)變效應(yīng):金屬導(dǎo)體在外力作用下發(fā)生機(jī)械變形時(shí),其電阻值隨著所受機(jī)械變形(伸長(zhǎng)或縮短)的變化而發(fā)生變化的現(xiàn)象。應(yīng)變片壓阻效應(yīng):半導(dǎo)體材料在受到外力作用時(shí),其電阻率ρ發(fā)生變化的現(xiàn)象一、應(yīng)變片的結(jié)構(gòu)應(yīng)變片的結(jié)構(gòu)1、敏感柵:

轉(zhuǎn)換元件;2、基底和面膠(覆蓋層)基底,傳遞彈性體的應(yīng)變;面膠,保護(hù)電阻絲;粘合劑:

粘合電阻絲和基底;

4、引出線:連接測(cè)量導(dǎo)線覆蓋層二、電阻應(yīng)變片的分類(1)按應(yīng)變片敏感柵的材料不同。

金屬應(yīng)變片和半導(dǎo)體應(yīng)變片(2)按應(yīng)變片的工作溫度不同:常溫應(yīng)變片:-30~60℃中溫應(yīng)變片:60~300℃高溫應(yīng)變片:300℃以上低溫應(yīng)變片:低于-30℃(3)按應(yīng)變片的用途不同,一般用途應(yīng)變片特殊用途應(yīng)變片:水下、疲勞壽命、抗磁感應(yīng)、裂縫擴(kuò)展等三、常用應(yīng)變片1)絲線應(yīng)變片;2)箔式應(yīng)變片;3)半導(dǎo)體應(yīng)變片;4)金屬薄膜應(yīng)變片;5)高溫及低溫應(yīng)變片;1、絲式應(yīng)變片絲式應(yīng)變片的敏感柵為:電阻絲直徑:0.02~0.05mm,常用:0.025mm;電流:10~12mA和40~50mA;電阻值:50~1000Ω,常用:120Ω;2、箔式應(yīng)變片敏感柵:由光刻、腐蝕等工藝制程箔柵厚度:0.003~0.01mm箔金屬材料:康銅或者合金(卡瑪合金等)優(yōu)點(diǎn):敏感柵的形狀可變;表面積大,散熱性能好,

允許通過(guò)電流大;蠕變小,疲勞壽命高;3、半導(dǎo)體應(yīng)變片優(yōu)點(diǎn):靈敏度系數(shù)高;機(jī)械滯后小、體積小、耗電量小等缺點(diǎn):非線性大敏感柵:半導(dǎo)體圧阻效應(yīng)3.2薄膜應(yīng)變電阻及傳感器指用真空熱蒸發(fā)、磁控濺射、化學(xué)氣相沉積等方法制得的薄膜(非機(jī)械延展法制得)一、按薄膜厚度分類(1)非連續(xù)金屬膜。厚度小于10-8m,薄膜不連續(xù),孤島分布,孤島之間沒(méi)有通道,其導(dǎo)電作用是由隧道效應(yīng)所實(shí)現(xiàn)的。特點(diǎn):阻值很高,靈敏度高,性能極不穩(wěn)定。(2)半連續(xù)膜。這種膜的厚度在10-8~2×10-8m之間,膜面呈不連續(xù)的島狀,各島之間有若干通道。(3)連續(xù)膜。這種膜的厚度一般大于2×10-8m,膜面上基本看不到島狀結(jié)構(gòu)。這種膜的穩(wěn)定性遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于前兩種,力敏元件均采用這種膜。二、薄膜的工作原理對(duì)于長(zhǎng)為L(zhǎng),橫截面為S的均勻材料(金屬或半導(dǎo)體),兩端的電阻值為式中,ρ—為材料的電阻率。當(dāng)受到一個(gè)沿著長(zhǎng)度方向的縱向應(yīng)力時(shí),由于幾何形狀及內(nèi)部結(jié)構(gòu)發(fā)生變化,因此將引起電阻值的變化。進(jìn)行全微分可以求得電阻值的變化為用相對(duì)變化量表示,則有式中,——縱向應(yīng)變;——泊桑(松)比;E——楊氏彈性模量,π——壓阻系數(shù)。由上式可得令k=1+2μ+πE,則k稱為材料的靈敏系數(shù)或應(yīng)變因子:材料發(fā)生單位應(yīng)變時(shí)的電阻變化率材料的靈敏系數(shù)由兩個(gè)因素決定:1+2μ,它由材料的幾何尺寸的變化引起;πE,由材料受力后電阻率發(fā)生的變化引起。

金屬薄膜,

πE值很小,電阻率基本上與應(yīng)力無(wú)關(guān),可以忽略;

材料的靈敏系數(shù)主要取決于幾何尺寸的變化;在彈性形變范圍內(nèi),k在1.5~2之間。半導(dǎo)體材料

具有良好的彈性性能和壓阻效應(yīng),它的壓阻系數(shù)很大;

k主要由πE決定,可高達(dá)100以上??梢灾谱鞒鲮`敏度很高的應(yīng)變片和壓力傳感器。薄膜應(yīng)變傳感器的特點(diǎn)優(yōu)點(diǎn):

工藝環(huán)節(jié)較少,工藝周期較短,成品率也就較高。

能反復(fù)加載106次以上,

耐疲勞性能良好。量程很大,可用于大量程稱重、加速度、壓力傳感器等。這是它目前獲得廣泛使用的主要原因之一。非粘貼式:薄膜應(yīng)變片與彈性體結(jié)合在一起;粘貼式:制作單一薄膜應(yīng)變片,再與彈性體粘合;薄膜式:利用熱蒸發(fā)、濺射、CVD等方法制成

合金型應(yīng)變片和傳感器,

穩(wěn)定性很高,

電阻溫度系數(shù)很?。ㄒ话銥椋?0-5~10-6)/℃)薄膜應(yīng)變傳感器適用于航天、航空工業(yè),以及對(duì)穩(wěn)定性要求較高的測(cè)控系統(tǒng)中。

靈敏系數(shù)較低(一般約為1.7~2.2左右),大體同金屬絲式和箔式應(yīng)變片的相當(dāng)。半導(dǎo)體Ge、Si薄膜應(yīng)變片及傳感器靈敏系數(shù)較高(一般為30以上)電阻溫度系數(shù)高(約為10-5/℃數(shù)量級(jí))。薄膜應(yīng)變片的阻值可做得很高,通常均可做到幾千到幾萬(wàn)歐姆,因而其可在低功耗的狀態(tài)下工作。二、蠕變、蠕變曲線、零點(diǎn)漂移曲線蠕變現(xiàn)象的產(chǎn)生,是由三個(gè)方面的因素構(gòu)成:溫度、應(yīng)力和時(shí)間。由于金屬蠕變的累積,使金屬部件發(fā)生過(guò)量的塑性變形而不能使用,或者蠕變進(jìn)入到了加速發(fā)展階段,發(fā)生蠕變破裂,均會(huì)使部件失效損壞,甚至發(fā)生嚴(yán)重事故。蠕變是指:在應(yīng)力影響下,固體材料緩慢永久性的移動(dòng)或者變形的趨勢(shì)

蠕變曲線:對(duì)于已經(jīng)安裝好的應(yīng)變片,在恒定溫度和承受恒定的應(yīng)力的情況下,指示應(yīng)力隨時(shí)間變化的曲線。零點(diǎn)漂移曲線:對(duì)于已經(jīng)安裝好的應(yīng)變片,在恒定溫度和在不承受應(yīng)力的情況下,指示應(yīng)力隨時(shí)間變化的曲線。

CEC1000型傳感器在室溫下的蠕變曲線在室溫下,不加載保持一小時(shí)進(jìn)行調(diào)零,然后加上滿量程壓力并保持不變,同時(shí)記錄在兩個(gè)小時(shí)內(nèi)的輸出電平,作出偏離滿度的數(shù)值同時(shí)間的關(guān)系曲線。薄膜傳感器在室溫下的零點(diǎn)漂移曲線對(duì)于已經(jīng)安裝好的應(yīng)變片,在恒定溫度和在不承受應(yīng)力的情況下,指示應(yīng)力隨時(shí)間變化的曲線。零漂通常為絕緣電阻過(guò)低或者或者通過(guò)電熱產(chǎn)生的熱電勢(shì)構(gòu)成。

120℃時(shí)薄膜傳感器的蠕變曲線120℃時(shí)薄膜傳感器的零漂曲線3.3電阻應(yīng)變傳感器使用中應(yīng)注意的一些問(wèn)題溫度漂移的補(bǔ)償

常用的電阻應(yīng)變傳感器一般都選用半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料的溫度穩(wěn)定性差。電阻應(yīng)變傳感器受到溫度影響后其輸出要產(chǎn)生溫度漂移。

半導(dǎo)體電阻應(yīng)變敏感元件:在基片制作四個(gè)相同的電阻。這四個(gè)電阻接成電橋,并且將阻值增加的兩個(gè)電阻對(duì)接,將阻值減小的兩個(gè)電阻對(duì)接,使電橋的輸出最大。恒流源供電:可以最大限度地克服溫度的影響。電壓源供電:溫度升高,傳感器靈敏度下降的問(wèn)題。一種靈敏度K溫度漂移的補(bǔ)償電路T↑→K↓→Usc↓,Usc↑←→Ube↓→Ib↑→Ic↑→Uce↓→U′(U′=U-Uce)1234如圖,電源電動(dòng)勢(shì)為E,

R1、R2

、R3、R4為電阻應(yīng)變片

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