大學物理下公式方法歸納

QrQr大

學

物

理

下

歸

納

總

結電基本要求：．會求解描述靜電場的兩個重要物理量：場度E電勢V．掌握描述靜電場的重要定理：高定理和安培路理（公式內容及物理義．掌握導體的靜電平衡及應用；介質的極化機理及介質中的高斯定理。主要公式：一、場強度1．點電荷場強：E

q0

r

2

r計算場強的方法（3種）1、點電荷場的場強及疊加原理點電荷系場強：Eii0i連續(xù)帶電體場強：

rdQ40

3（五步走積分法）(建立標、取電荷元、寫dE、分解、分2靜電場高斯定理表達式：

q物理意義：明靜電場中，通過任意閉合曲面的電通量（電場強度沿任意閉合曲面的面積分于該曲面內包圍的電代和除以。PP對稱性帶電體場強高斯定理求解）3利用電場和電勢關系：二、電勢電勢及定義：

q1．電場力做功：q0

0

ll

靜場安培環(huán)路定理：靜電場的保守性質表達式：

l物理意義：明靜電場中，場強度沿任閉合路徑的線積分為0。3．電勢：

E(

0)

；電勢差：

AB

BA

電勢的計算：1．點電荷場的電勢及疊加原理點電荷電勢：

V

q4

0

r點電荷系電勢：U

i

Qi40i連續(xù)帶電體電勢：

dq

r（四步走積分法）(建立標、取電荷元、寫dV

、積分)2．已知場強分布求電勢：定義法三、靜電場中的導體及電介質弄清靜電平衡條件及靜電平衡下導體的性質了解電介質極化機理描述化的物理量—電極化強度,會用介質中的高斯定理，求對稱或分區(qū)均勻問題中的

DE

及界面處的束縛電荷面密度

。3.按電容的定義式計算電容。典型帶電體系的場強均勻帶電球面

典型帶電體系的電勢均勻帶電球面E

球面內E

qr0

r

3

球面外均勻帶電直線

均勻帶電無限長直線E

0

(cos

1

)2無限長：E

0均勻帶電無限大平面

均勻帶電無限大面磁學恒定磁場（保守力場）基本要求：1．熟悉畢奧薩伐爾定律的應用，會用右手螺旋法則求磁感應強度方向；3．掌握描述磁場的兩個重要定理高定理和培環(huán)路定理（公式內容及物理意義會用環(huán)路定理計算規(guī)則電流的磁感應強度；．會求解載流導線在磁場中所受安培力．理解介質的磁化機理，會用介質中的環(huán)路定律計算B.主要公式：Idl0r1．畢奧薩伐爾定表式：dB4r21）有限長載流直導線，垂直距離磁應強度：

I04

)12（其中分別是起點及終點的流方向到場點線方向之間的夾角無限長載流直導線，垂直距離處磁感應強度：

I02半無限長載流直導線，過端點垂線上且垂直距離r處磁應強度：B

I02）圓形載流線圈，半徑為，在心O處：0

I0半圓形載流線圈，半徑為R，在圓心處：03）螺線管及螺繞環(huán)內部磁場自己看書，把公式記住2．磁場高斯定理：

I0表達式：m

（無場）因為磁場線是閉合曲線,從閉合曲面一側穿入必從另一側穿出)物理意義：明穩(wěn)恒磁場中，通過任意閉合曲面的磁通量（磁場強度沿任意合曲面的面積分）等于03．磁場安培環(huán)路定理l表達式：Il

B

I

（有場）物理意義：明穩(wěn)恒磁場中，磁感應度任意閉合路徑的線積分，等于該路徑內包圍的電流數的倍稱真磁導率00洛茲及安培力1）洛倫茲力：B

（磁場對運動電荷的作用力）2）安培力：F

Idl

（方向沿Idl

方向，或用左手定則定）l積分法五步走:1.建坐標系;取電流元Idl;3.IdlBsin;4.分解;積分3）載流閉合線圈所受磁力矩：M

（要理解磁矩的定義及意義）介質的場1）介的磁化機理及三磁介質2）有磁質安培環(huán)路定理l

HI電磁感應基本要求：．理解法拉第電磁感應定律和楞次定律的內容及物理意義；．會求感應電動勢及動生電勢的小和方向；了解自感及互感；．握麥克斯韋方程組及意義，了解電磁波。主要公式：1．法拉第電磁感應定律：

ddt

，會用楞次定律判斷感應電動勢方向。2．動生電動勢sincos

l注：感應電動勢的方向沿v

l的方向，從電勢指向高勢。3．感電動勢及感生電

感Ls

4．麥斯韋方程組及電波：L

變化的磁場產生電場L

變化的電場產生場波動光學基本要求：掌握楊雙縫干涉單衍射、劈尖干涉、光柵衍射公式理解光程差的含義與半波損失發(fā)生條件及透、增反膜原；主要公式：1．光差與半波損失光程差：幾何光程乘以折射率之差：

rr2半波損失入射光從折率小的光疏介質投射到折射較大的光疏密介質表面時，反射光比入射光有

位突變即光程發(fā)生的躍變2

兩束相干光中一束發(fā)生半波損失，而另一束沒有，則附加

的光程差；若兩有或兩無，則無附加光程差2．楊雙縫干涉縫距d-雙縫距k-級數）條紋特征：明暗相間均勻等間距直條，中央為零級明紋。條紋間距

與縫屏距正比，與入射光波長正，與雙縫間距d成反。3．會析薄膜干涉例如增透膜增反膜，劈尖牛頓環(huán)等4．單衍射（f-透鏡焦；a-縫寬度；級數）條紋特征明暗間直條紋，中為零級明紋寬是其它條紋寬度的兩倍條紋間距與透鏡焦距f

成正比，與入射光波長成正比，與單縫寬度

成反比。5．衍光柵：（a

為光柵常數，為衍射角）柵方程：()sin

0,1,200柵明紋公式：dsin

明

k

fd第K級光譜張角：21第K級光譜線寬度：xf()21（kdsin，400紫光，nm光112條紋特征：條紋既有干涉又有衍射。6．光偏振（I

0

為入射光強度，為兩振化方向夾角）

馬呂斯定律：

通過偏振:III偏振光通過偏振:I

2

布儒特角：（i為入射角，為折射角）0當入射角滿足上述條件時，反射光為完全偏振光，且偏化向與入射面垂直折射光為部分偏振光，且射線與折射光線垂直，即：i量子物理基

90

主要內容：1.黑體輻射的實驗規(guī)律不能從經典物理獲得解釋。朗提出了能量量子假設，從而成功地解釋了黑體輻射的實驗規(guī)律，并導致了量力學的誕生和許多近代技術。量子概念：h2.光電效應的實驗規(guī)律無法用光的波動理論解釋。愛因斯坦提出了子假設。用愛因斯坦方程h+w解釋了實驗規(guī)律?？灯疹D散射也證明了光的量子性。3.德布羅意波物質假設：任何實物粒子和光子一樣都具有波粒二性。德布羅意關系式：mc光子：m