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文檔簡介

數(shù)字集成電路習(xí)題答案簡述CMOS工藝流程1.已知電路如圖1所示，使用一階二極管模型，即求解習(xí)題1電路圖解：根據(jù)VGS和VDS確定其處于線性、飽和還是截止?fàn)顟B(tài)，并求的值。2.已知3.簡述MOS管的電容分布，及其模型〔a〕〔b〕mCMOS工藝的反相器，其中PMOS晶體管的最小尺寸為(W=0.75m，L=0.25m，即W/L=0.75/0.25),NMOS晶體管的最小尺寸為(W=0.375m，L=0.25m，即W/L=0.375/0.25)

求出g,VIL,VIH,NML,NMHVT0(V)(V0.5)VDSAT(V)k’(A/V2)(V-1)NMOS0.430.40.63115×10-60.06PMOS-0.4-0.4-1-30×10-6-0.1mCMOS工藝的反相器，其中PMOS晶體管的最小尺寸為(W=0.75m，L=0.25m，即W/L=0.75/0.25),NMOS晶體管的最小尺寸為(W=0.375m，L=0.25m，即W/L=0.375/0.25)

求出g,VIL,VIH,NML,NMHVT0(V)(V0.5)VDSAT(V)k’(A/V2)(V-1)NMOS0.430.40.63115×10-60.06PMOS-0.4-0.4-1-30×10-6-0.12.如以下圖所示，由NMOS組成的反相器，輸出電容CL=3pF,W/L=1.5um/0.5um,求tpHL,tpLH和tp2、寫出以下圖的邏輯函數(shù)式，確定電路中晶體管的尺寸，使它的tpLH和tpHL與具有以下尺寸的反相器近似相等：NMOS為W/L=4,PMOS:W/L=8QQ′習(xí)題1：一上升沿觸發(fā)的D觸發(fā)器，設(shè)初態(tài)為1，試在給定CP、D

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