標準解讀

《GB/T 14119-1993 半導體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器空白詳細規(guī)范（可供認證用）》這一標準詳細規(guī)定了半導體集成電路中雙極熔絲式可編程只讀存儲器（PROM）的空白芯片的技術(shù)要求、測試方法以及質(zhì)量評定準則，旨在為該類器件的設(shè)計、生產(chǎn)和認證提供統(tǒng)一的標準依據(jù)。然而，您提供的對比信息不完整，沒有明確指出與哪個具體的標準或版本進行比較。因此，直接列舉相對于某個特定標準的變更點無法實現(xiàn)。

若要一般性地討論此類標準可能涉及的變更方向，不針對特定對比標準，可以從以下幾個常見方面推測：

  1. 技術(shù)進步：隨著半導體技術(shù)的發(fā)展，新標準可能會引入更先進的制造工藝要求，提高集成度、速度或降低功耗。
  2. 測試方法更新：為了適應(yīng)技術(shù)進步和市場需求，測試方法可能會更加精確、高效，包括采用新的測試設(shè)備和流程。
  3. 可靠性與質(zhì)量標準提升：隨著時間推移，對器件的可靠性和長期穩(wěn)定性要求通常會提高，新標準會設(shè)定更嚴格的測試條件和合格標準。
  4. 安全與環(huán)境要求：考慮到環(huán)境保護和用戶安全，新標準可能會增加對材料、生產(chǎn)過程中的有害物質(zhì)限制及廢棄處理的相關(guān)規(guī)定。
  5. 兼容性與標準化：為了促進國際交流與產(chǎn)品互換性，新標準可能會調(diào)整以符合國際通行標準或行業(yè)規(guī)范。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1993-03-18 頒布
  • 1993-08-01 實施
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文檔簡介

DDG621.382：681.327.28L56中華人民共和國國家標準GB/T14119-93半導體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器空白詳細規(guī)范Blankdetailspecificationforsemiconductorintegratedcircuitfusible-linkprogrammablebipolarread-onlymemories（可供認證用）1993-03-18發(fā)布1993-08-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準半導體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器CB/T14119-93日詳細規(guī)空白Blankdetailspecificationforsemiconductorintegratedcircuitfusible-linkprogrammablebipolarread-onlymemories（可供認證用）本規(guī)范規(guī)定了編制半導體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器(以下簡稱器件)詳細規(guī)范的基本原則。本規(guī)范是半導體集成電路一系列空白詳細規(guī)范中的一個,它應(yīng)與GB4589.1《半導體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》和GB12750《半導體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路)》一起使用。要求的資料空白詳細規(guī)范首頁1～[9J各欄應(yīng)填寫與下列各項相對應(yīng)的內(nèi)容。詳細規(guī)范的識別C11發(fā)布詳細規(guī)范的國家標準化機構(gòu)名稱12詳細規(guī)范的IECQ編號?！?】總規(guī)范和分規(guī)范編號及版本號?！?詳細規(guī)范的國家編號，發(fā)布日期及國家標準體系需要的資料器件的識別C5主要的功能和型號。L6】典型結(jié)構(gòu)(材料、主要工藝)和封裝如果器件有多種派生產(chǎn)品，應(yīng)當給出相互之間的差別。例如,以對照表的形式列出各自性能的特點詳細規(guī)范應(yīng)給出包括下述內(nèi)容的簡要說明·工藝(TTL、ECL等);·結(jié)構(gòu)(字×位)；·輸出電路的類型(例如三態(tài)…·)：·主要功能?！?]外形圖、引出端識別、標志和(或)外形有關(guān)的參考文件。181質(zhì)量評定類別(按GB4589.1第2.6條)。L9參考數(shù)據(jù)【本規(guī)范中，方括號所列內(nèi)容僅供指導編寫詳細規(guī)范使用，不必在詳細規(guī)范中列出。[本規(guī)范中,電特性或額定值表格中的"X"表示在詳細規(guī)范中必

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