標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 14140.2-1993是一項(xiàng)中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),其標(biāo)題為《硅片直徑測(cè)量方法 千分尺法》。本標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了使用千分尺來(lái)測(cè)量硅片直徑的具體操作步驟、測(cè)量條件、測(cè)量精度要求以及數(shù)據(jù)處理方法,旨在確保硅片尺寸測(cè)量的準(zhǔn)確性和一致性,適用于半導(dǎo)體行業(yè)中硅片生產(chǎn)與加工的質(zhì)量控制環(huán)節(jié)。

標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容概覽:

  1. 范圍:明確標(biāo)準(zhǔn)適用的硅片類(lèi)型及直徑范圍,通常涉及單晶硅片,具體直徑根據(jù)實(shí)際標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容確定。

  2. 規(guī)范性引用文件:列出實(shí)施該標(biāo)準(zhǔn)時(shí)需要參考的其他相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)或文件,這些文件可能包含千分尺的校準(zhǔn)方法、硅片的預(yù)處理要求等。

  3. 術(shù)語(yǔ)和定義:對(duì)標(biāo)準(zhǔn)中使用的專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)進(jìn)行解釋?zhuān)热纭爸睆健?、“千分尺”等,確保讀者對(duì)關(guān)鍵概念有共同的理解。

  4. 測(cè)量前準(zhǔn)備

    • 硅片狀態(tài):規(guī)定硅片應(yīng)處于清潔、無(wú)損傷的狀態(tài)。
    • 千分尺選擇與校準(zhǔn):要求使用符合精度標(biāo)準(zhǔn)的千分尺,并定期進(jìn)行校準(zhǔn),確保測(cè)量工具的準(zhǔn)確性。
    • 環(huán)境條件:可能包括溫度、濕度等環(huán)境因素的要求,以減少外部環(huán)境對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。
  5. 測(cè)量方法

    • 測(cè)量點(diǎn)選擇:規(guī)定在硅片邊緣特定位置進(jìn)行測(cè)量,可能包括多個(gè)等距點(diǎn),以求得平均直徑。
    • 測(cè)量操作:詳細(xì)描述如何正確使用千分尺接觸硅片表面,避免對(duì)硅片造成損傷,以及讀取和記錄數(shù)據(jù)的方法。
  6. 數(shù)據(jù)處理:說(shuō)明如何處理多次測(cè)量的數(shù)據(jù),可能包括計(jì)算平均值、評(píng)估測(cè)量誤差等,確保結(jié)果的可靠性。

  7. 精度與重復(fù)性:設(shè)定測(cè)量結(jié)果的允許誤差范圍,以及重復(fù)測(cè)量時(shí)結(jié)果的一致性要求。

  8. 報(bào)告:規(guī)定測(cè)量結(jié)果的記錄格式和內(nèi)容,可能需要包括測(cè)量時(shí)間、環(huán)境條件、所用設(shè)備信息、測(cè)量值及其不確定性等。

注意事項(xiàng):

  • 該標(biāo)準(zhǔn)強(qiáng)調(diào)了測(cè)量過(guò)程的標(biāo)準(zhǔn)化與規(guī)范化,任何偏離標(biāo)準(zhǔn)的操作都可能影響測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性。
  • 實(shí)施時(shí)需關(guān)注千分尺的維護(hù)與校正,以及操作人員的培訓(xùn),確保測(cè)量技能的標(biāo)準(zhǔn)化。


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  • 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替,建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 14140-2009
  • 1993-02-06 頒布
  • 1993-10-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 14140.2-1993硅片直徑測(cè)量方法千分尺法_第1頁(yè)
GB/T 14140.2-1993硅片直徑測(cè)量方法千分尺法_第2頁(yè)
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UDC669.782H21中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T14140.2-93硅片直徑測(cè)量方法千分尺法Siliconslicesandwafers-Measuringofdiameter-Micrometermethod1993-02-06發(fā)布1993-10-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局,發(fā)布

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)硅片直徑測(cè)量方法千分尺法GB/T14140.2-93Siliconslicesandwaters-Measuringofdiameter-Micrometermethod主主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用干分尺測(cè)量硅片直徑的方法、本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量圓形硅片的直徑。測(cè)量范圍為25~100mm。本標(biāo)準(zhǔn)不適用于測(cè)量硅片的不圓度,本標(biāo)準(zhǔn)不作為仲裁測(cè)量方法。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB2828逐批檢查計(jì)數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于連續(xù)批的檢查)GB12962:硅單晶3測(cè)量工具3.1干分尺,測(cè)量范圍為25~125mm,精度為0.01mm.4試驗(yàn)樣品4.1從一批硅片中按GB2828計(jì)數(shù)抽樣方案或商定的方案抽取試樣,5測(cè)量步驃5.11測(cè)量在23±5℃下進(jìn)行。干分尺測(cè)量桿端面應(yīng)清凈。5.2按硅片的導(dǎo)電類(lèi)型確定要測(cè)量的三條直徑的位置,見(jiàn)圖1。硅片參考面位置應(yīng)符合GB12962的規(guī)定5.2.1對(duì)于P(111>和N<100)硅片,要測(cè)量的三條直徑是平行于主參考面的直徑和與該直徑成45"角的另二條直徑。5.2.2對(duì)于P(100)硅片,第一條直徑位于主、副參考面的中間,第二條直徑垂直于第一條直徑,第三條直徑與第二條直徑成30°角。5.2.3對(duì)于N<11I)硅片,第一條直徑平行于主參考面,第二條直徑與第一條直徑成30°角,第三條直徑與第二條直徑也成30°角。5.3校正干分尺零點(diǎn)、5.4旋出測(cè)量桿,放入被測(cè)硅片,使待測(cè)直徑處于測(cè)量位置5.5旋進(jìn)測(cè)量桿到終止位置。5.6記錄干分尺的讀數(shù),取下硅片。5.7重復(fù)5.4~5.6條測(cè)量步

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