GB/T 14264-1993半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 14264-1993 半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)》是中國(guó)關(guān)于半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的一份國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，發(fā)布于1993年。該標(biāo)準(zhǔn)旨在統(tǒng)一和規(guī)范半導(dǎo)體材料相關(guān)的專業(yè)術(shù)語(yǔ)，以便于行業(yè)內(nèi)外人士在交流、科研、生產(chǎn)及貿(mào)易活動(dòng)中能夠準(zhǔn)確理解并使用這些術(shù)語(yǔ)，減少溝通誤解，提升工作效率。下面列舉了標(biāo)準(zhǔn)中涵蓋的部分關(guān)鍵術(shù)語(yǔ)及其簡(jiǎn)要說(shuō)明：

1. 半導(dǎo)體（Semiconductor）：指一種電導(dǎo)率介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，其電導(dǎo)率可以通過(guò)摻雜或其他手段進(jìn)行調(diào)整。

2. 本征半導(dǎo)體（Intrinsic Semiconductor）：未經(jīng)過(guò)摻雜處理，純凈狀態(tài)下的半導(dǎo)體材料，其電導(dǎo)性能主要由材料本身的電子和空穴對(duì)決定。

3. N型半導(dǎo)體（N-type Semiconductor）：通過(guò)摻入 pentavalent（五價(jià)）元素如磷、砷等，使半導(dǎo)體中自由電子濃度大于空穴濃度的半導(dǎo)體材料。

4. P型半導(dǎo)體（P-type Semiconductor）：通過(guò)摻入 trivalent（三價(jià)）元素如硼、鎵等，使半導(dǎo)體中空穴濃度大于自由電子濃度的半導(dǎo)體材料。

5. PN結(jié)（PN Junction）：由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體接觸形成的區(qū)域，具有單向?qū)щ娦?，是許多半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)。

6. 摻雜（Doping）：在半導(dǎo)體材料中故意引入少量其他元素以改變其電導(dǎo)特性，分為N型摻雜和P型摻雜。

7. 載流子（Carrier）：在半導(dǎo)體中參與導(dǎo)電的粒子，包括自由電子和空穴。

8. 禁帶（Energy Gap或Band Gap）：半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)中價(jià)帶頂和導(dǎo)帶底之間的能量區(qū)間，決定了材料成為導(dǎo)體或絕緣體的性質(zhì)。

9. 遷移率（Mobility）：描述載流子在電場(chǎng)作用下移動(dòng)速度的物理量，直接影響半導(dǎo)體的電導(dǎo)性能。

10. 復(fù)合（Recombination）：半導(dǎo)體中的自由電子與空穴相遇并結(jié)合消失的過(guò)程，影響半導(dǎo)體的電荷平衡狀態(tài)。

這些術(shù)語(yǔ)只是標(biāo)準(zhǔn)中的一部分，實(shí)際標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)列出了更多與半導(dǎo)體材料制備、性質(zhì)分析、器件應(yīng)用相關(guān)的專業(yè)詞匯及其定義，為半導(dǎo)體行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)化工作提供了重要的語(yǔ)言基礎(chǔ)。

如需獲取更多詳盡信息，請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。