標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 1553-1997 硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法》這一標(biāo)準(zhǔn)相比于之前的《GB 1553-1979》與《GB 5257-1985》，主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了調(diào)整和完善：

  1. 標(biāo)準(zhǔn)名稱及范圍：新標(biāo)準(zhǔn)明確了其適用對象為硅和鍺材料中的少數(shù)載流子壽命測定，并指定了采用光電導(dǎo)衰減法進(jìn)行測量，這相比舊標(biāo)準(zhǔn)可能存在的范圍描述不明確或測試方法未特別強(qiáng)調(diào)的情況，提供了更清晰的指導(dǎo)。

  2. 技術(shù)內(nèi)容更新：《GB/T 1553-1997》根據(jù)科技進(jìn)步和行業(yè)實(shí)踐，對測量原理、儀器設(shè)備要求、測試條件、數(shù)據(jù)處理方法等方面進(jìn)行了詳細(xì)規(guī)定和優(yōu)化。例如，可能引入了更精確的測量技術(shù)和計(jì)算模型，以提高測試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。

  3. 精度和誤差要求：新標(biāo)準(zhǔn)可能對測量精度和允許誤差范圍進(jìn)行了重新定義，以反映技術(shù)進(jìn)步帶來的測量能力提升，確保測試結(jié)果更加可靠，滿足更高標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用需求。

  4. 試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)化：詳細(xì)規(guī)范了樣品制備、測試步驟、環(huán)境控制等具體操作流程，提高了實(shí)驗(yàn)方法的標(biāo)準(zhǔn)化程度，有助于減少因操作差異導(dǎo)致的測試結(jié)果偏差。

  5. 質(zhì)量控制與校準(zhǔn)：增加了對測試設(shè)備的校準(zhǔn)要求和質(zhì)量控制措施，確保測試系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性，這是之前標(biāo)準(zhǔn)可能未充分覆蓋的領(lǐng)域。

  6. 術(shù)語和定義：根據(jù)技術(shù)發(fā)展，對相關(guān)專業(yè)術(shù)語進(jìn)行了更新和明確界定，便于讀者理解和執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)時(shí)的一致性。

  7. 參考文獻(xiàn)與國際接軌：新標(biāo)準(zhǔn)可能引用了更多最新的國內(nèi)外研究成果和國際標(biāo)準(zhǔn)，增強(qiáng)了標(biāo)準(zhǔn)的科學(xué)性和國際兼容性。


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  • 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替，建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 1553-2009
  • 1997-06-03 頒布
  • 1997-12-01 實(shí)施
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GB/T 1553-1997硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法_第1頁
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GB/T 1553-1997硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法-免費(fèi)下載試讀頁

文檔簡介

ICS77.040.01百21中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553—1997硅和錯(cuò)體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法Standardtestmethodsforminoritycarrierlifetimeinbulkgermaniumandsiliconbymeasurementofphotoconductivitydecay1997-06-03發(fā)布1997-12-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T1553-1997前本標(biāo)準(zhǔn)等效采用美國試驗(yàn)與材料協(xié)會(huì)ASTMF28—90《光電導(dǎo)衰減法測量錯(cuò)和硅體內(nèi)少數(shù)載流子壽命的標(biāo)準(zhǔn)測試方法》,結(jié)合我國的實(shí)際情況，對GB1553—79、GB5257—85進(jìn)行修訂而成的。本標(biāo)準(zhǔn)起草時(shí),刪去了F28—90中"有害說明"及"關(guān)鍵詞"章節(jié),刪減了“意義和用途"中的5.1～5.2條內(nèi)容，合并了“方法A"和"方法B”?？寂暗綄?shí)際應(yīng)用的需要，本標(biāo)準(zhǔn)把GB1553—79的附錄A《硅單品中少數(shù)載流子壽命測定高高頻光電導(dǎo)衰減法》非仲裁測量方法作為標(biāo)準(zhǔn)的附錄放在附錄八中。本標(biāo)準(zhǔn)從1997年12月1日起實(shí)施。本標(biāo)準(zhǔn)從生效之日起，同時(shí)代替GB1553—79、GB5257-85。本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A是標(biāo)準(zhǔn)的附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)總公司提出本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)總公司標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量研究所歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：峨嵋半導(dǎo)體材料廠、中國有色金屬工業(yè)總公司標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量研究所、本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：吳道榮、劉文魁、尹建華、吳福立。

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)硅和錯(cuò)體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定CB/T1553-1997光電導(dǎo)衰減法-85StandardtestmethodsforminoritycarrierIifetimeinbulkgermaniumandsiliconbymeasurementofphotoconduetivitydecay1范圍1.1本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅和錯(cuò)單品體內(nèi)少數(shù)載流子壽命的測量方法、本本標(biāo)準(zhǔn)適用于非本征硅和錯(cuò)單品體內(nèi)載流子復(fù)合過程中非平衡少數(shù)載流子壽命的測量。1.2本標(biāo)準(zhǔn)包括兩種測試方法、1.2.1方法A一脈沖光方法，適用于錯(cuò)和硅1.2.2方法B——一折切光方法，僅適用于電阻率不小于1Q·cm的硅試樣1.3兩種方法都不破壞試樣的內(nèi)在特性，試樣可以重復(fù)測試，但要求試樣具有特殊的條形尺寸（見表1)和研磨的表面，一般不宜作其他用途。1.4本標(biāo)準(zhǔn)可測的最低壽命值取決于光源的余輝，而可測的最高壽命值主要取決于試樣尺寸（見表2）表1推薦的三種試樣尺寸mm寬度美型長度厚度2.515.02.5AB25.05.0c25.010.010.0表2武樣體壽命可測的最大值re材料類型A類型B類型C12632350型硅13001000n型硅38002引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)淮的條文。本標(biāo)淮出版時(shí)，所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性。GB/T1550—1997非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法GB/T1551—1995

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