GB/T 1553-2023硅和鍺體內少數(shù)載流子壽命的測定光電導衰減法

ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國國家標準

GB/T1553—2023

代替GB/T1553—2009

硅和鍺體內少數(shù)載流子壽命的測定

光電導衰減法

Testmethodsforminoritycarrierlifetimeinbulksiliconandgermanium—

Photoconductivitydecaymethod

2023-08-06發(fā)布2024-03-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T1553—2023

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替硅和鍺體內少數(shù)載流子壽命測定光電導衰減法與

GB/T1553—2009《》,GB/T1553—

相比除結構調整和編輯性改動外主要技術變化如下

2009,,:

更改了范圍見第章年版的第章

a)(1,20091);

增加了術語和定義中直觀壽命少數(shù)載流子壽命載流子復合壽命注入水平的定義見第

b)、、、(3

章刪除了表觀壽命的定義見年版的更改了體壽命的定義見年版的

),(20093.1),(3.2,2009

3.2);

更改了干擾因素中陷阱效應光生伏特效應溫度電導率調幅效應掃出效應光源的波長和

c)、、、、、

關斷特性濾光片的影響見年版的

、(4.1、4.4、4.5、4.10~4.13,20095.1、5.4、5.7、5.3、5.6、5.5、

增加了注入比電阻率樣品表面樣品尺寸載流子濃度變化加水的影響不同壽命測

5.9),、、、、、、

試方法間的關系見

(4.2、4.3、4.7、4.8、4.14~4.16);

更改了方法原理見年版的第章

d)(5.1,20094);

更改了研磨材料見年版的

e)(5.2.2,20097.1.2);

更改了光源電源濾光片放置位置見年版的刪除了恒

f)、、(5.3.2.1~5.3.2.4,20096.2、6.3、6.5),

溫器研磨設備清洗和干燥設備見年版的增加了計算機及軟件系統(tǒng)見

、、(20096.4、7.6、7.7),(

5.3.2.6);

增加了試驗條件見

g)(5.3.4);

更改了試驗步驟中溫度的要求見年版的

h)(5.3.5.1,20098.1);

更改了直流光電導衰減脈沖光方法的精密度見年版的第章

i)-(5.3.7,200911);

更改了高頻光電導測試系統(tǒng)示意圖見年版的

j)(6.2.1,2009A.3.1);

更改了光脈沖發(fā)生裝置光學系統(tǒng)高頻電源檢波器的要求見年版的

k)、、、(6.2.2.1~6.2.2.4,2009

增加了寬頻放大器取樣器示波器或計算機及軟件系統(tǒng)測試裝置見

A.3.2~A.3.5),、、(6.2.2.5~

6.2.2.7);

增加了樣品要求見

l)(6.3);

增加了試驗條件中相對濕度的要求見

m)(6.4);

增加了儀器的校準見

n)(6.5.2);

增加了快速測試方法見

o)(6.5.4);

增加了注入水平的計算見

p)(6.6.1);

更改了高頻光電導衰減方法的精密度見年版的第章

q)(6.7,200911);

增加了不同測試方法得到的壽命值之間的關系見附錄

r)(B)。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位有研半導體硅材料股份公司有色金屬技術經濟研究院有限責任公司廣州昆德

:、、

半導體測試技術有限公司青海芯測科技有限公司陜西有色天宏瑞科硅材料有限責任公司浙江海納

、、、

半導體股份有限公司洛陽中硅高科技有限公司江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司宜昌南玻硅材料有

、、、

限公司江蘇鑫華半導體科技股份有限公司亞州硅業(yè)青海股份有限公司云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有

、、()、

Ⅰ

GB/T1553—2023

限公司云南馳宏國際鍺業(yè)有限公司

、。

本文件主要起草人孫燕寧永鐸李素青朱曉彤賀東江王昕薛心祿徐巖潘金平嚴大洲

:、、、、、、、、、、

王彬蔡云鵬田新趙培芝冉勝國韓成福普世坤蔡麗艷高源趙晶崔丁方

、、、、、、、、、、。

本文件及其所代替文件的歷次版本發(fā)布情況為

:

年首次發(fā)布為年第一次修訂

———1979GB/T1553—1979,1985;

年第二次修訂時并入了的內容同時代替了年

———1997GB5257—1985,GB5257—1985;2009

第三次修訂

;

本次為第四次修訂

———。

Ⅱ

GB/T1553—2023

硅和鍺體內少數(shù)載流子壽命的測定

光電導衰減法

1范圍

本文件規(guī)定了非本征硅單晶和鍺單晶體內載流子復合過程中非平衡少數(shù)載流子壽命的光電導衰減

測試方法

。

本文件適用于非本征硅單晶和鍺單晶中非平衡少數(shù)載流子壽命的測試直流光電導衰減脈沖光

。-

法可測試具有特殊尺寸的長方體或圓柱體樣品測試硅單晶的最短壽命值為測試鍺單晶最短壽

,50μs,

命值為高頻光電導衰減法可測試棒狀或塊狀樣品測試硅單晶和鍺單晶的最短壽命值為

10μs。,10μs。

注直流光電導衰減方法有兩種直流光電導衰減脈沖光法和直流光電導衰減斬波光法見附錄

::--(A)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率的測定直排四探針法和直流兩探針法

GB/T1551

半導體材料術語

GB/T14264

鍺單晶電阻率直流四探針測量方法

GB/T26074

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

直觀壽命filamentlifetime

壽命

1/e

在示波器上直觀顯示的從脈沖注入結束到衰減信號降至初始信號的時的持續(xù)時間

1/e。

注1衰減曲線的初始部分往往不符合指數(shù)衰減因此從衰減曲線的初始部分確定的直觀壽命無法確定少數(shù)載流子

: