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儀器電路特殊信號放大電路馮志華中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)精密機(jī)械系2008年秋差動放大器主要缺點(diǎn):輸入阻抗低;電阻匹配困難;共模抑制比不容易做高-+vavbR3
R4R3
R4vo差動放大器-+ViVo+--+-+v1v2vavb
R2RwR2R3
R4R3
R4vo全差動放大器差動放大器儀器放大器(IA)儀用放大器的特點(diǎn)現(xiàn)有單片集成儀用放大器:AD621AD623,INA116INA125等,在儀器中得到廣泛的應(yīng)用
差動輸入且輸入阻抗很高結(jié)構(gòu)對稱,適宜于集成化,能達(dá)到很高的共模抑制比和較小的溫度系數(shù)放大倍數(shù)調(diào)整容易AD524的內(nèi)部結(jié)構(gòu)四線法-----兩線的缺點(diǎn)+--+-+v1v2vavb
R2R1R2R3
R4R3
R4vovrefVi電源地-Vcc+Vcc四線法
--消除了引線上的壓降+--+-+v1v2vavb
R2R1R2R3
R4R3
R4vovrefVi電源地-Vcc+Vcc提供直流通道的例子2+-VoINA116R1R2CapacitiveSensorPolarizingVoltage隔離放大的概念1、對高壓部分的監(jiān)測;2、肌電、腦電等的測量;3、工業(yè)現(xiàn)場的遠(yuǎn)程監(jiān)測;4、電路中不同電位的轉(zhuǎn)換輸入公共端輸出公共端輸出端輸出電路輸入電路同相端反相端+-直流?1.開關(guān)電容耦合2.電容隔離柵Ic調(diào)制器
解調(diào)器ISO124使用了比較有特色的調(diào)制與解調(diào)方式。載波頻率在500kHz左右。A1構(gòu)成一個(gè)積分器,采用反向端輸入方式,在動態(tài)平衡的情況下,忽略基極電流的影響,必有:否則在積分器的輸出端就會產(chǎn)生一個(gè)很大的積分效應(yīng)輸出電壓,但這是不可能存在的。設(shè)ic為恒流源部分對A1的反向輸入端產(chǎn)生的等效電流,且設(shè)占空比增大時(shí)的電流方向是流出積分器,設(shè)α為矩形波的占空比。iin為Vin在輸入端產(chǎn)生的電流;這樣:因此這是一個(gè)PWM調(diào)制方式。輸入電壓的大小會控制方波的占空比,這里電壓的輸入范圍為-10V到+10V,輸出占空必為0到100%。解調(diào)器解調(diào)器的基本工作原理可用上面對調(diào)制器的分析方法進(jìn)行分析。輸出端采用了采樣保持電路,主要是為了消除解調(diào)過程中的寄生電壓紋波。3.光耦光耦之線形光耦I(lǐng)2=f(I1);I3=f(I1)I2=I3前提條件:G1和G2性能一致R3=R2Uo=Ui調(diào)制器4.變壓器隔離解調(diào)器ViVo一個(gè)簡單的調(diào)制的例子:Ω0》ω隔離放大器的有關(guān)參數(shù)隔離耐受電壓(VISO)也叫介電耐受電壓,它與器件使用的絕緣材料、封裝形式有關(guān)。一般均具有740V---7.5kV的電壓。隔離電壓的測試是很嚴(yán)格的,按照UL規(guī)范,一種常用的方法是,在輸入與輸出端加一個(gè)60Hz的交流電壓,其大小為:2Viso,測試時(shí)間是60秒。寄生電阻(RISO)在輸入和輸出之間等效的直流電阻。測試時(shí)所加的電壓不能大于隔離電壓。隔離電容Ciso隔離器件的寄生電容應(yīng)該越小越好。一個(gè)10pF的電容,在10MHz的情況下的等效阻抗可以等于:隔離抑制比隔離抑制比(IMR(IMR,IsolationModeRejection):IMR是一種度量隔離器件對隔離電壓抑制性能的指標(biāo)。隔離電壓(VIM參見圖1)將在輸出端產(chǎn)生一個(gè)干擾輸出。例如,一個(gè)直流隔離抑制比為160dB的器件,當(dāng)隔離電壓為1000VDC的時(shí)候,在輸出端所產(chǎn)生的誤差為:103/108=10-5。即10uV。共模抑制比共模抑制比(CMMR):共模抑制比表示器件對共模信號的抑制能力。它只表示前端放大部分對共模信號的抑制能力,定義與一般電子線路里的一致。5B系列隔離放大器的框圖習(xí)題使用儀器放大器可以對微弱的信號進(jìn)行放大。分析圖中C1,C2,R1,R2的作用;R1、R2的大小由哪些因素決定?C1C2習(xí)題分析導(dǎo)線L3的作用。如果熱源有一個(gè)共地電勢并與熱電偶形成電接觸,分析導(dǎo)線L3與熱電偶連接點(diǎn)的位置及導(dǎo)線本身的電阻對測量誤差的影響。L3(后面的內(nèi)容為備用資料)91076128311121316+-+-VsVsLOADTOPOWERSUPPLYGROUNDb.ThermocoupleAD5247128311121316+-+-VsVsTOPOWERSUPPLYGROUND9106LOADc.ACCoupledFigure34.IndirectGroundReturnsforBiasCurrentsAD524提供直流通道的例子1+-INA116VoCrystalorCeramicTransducerR1R2VoVoVcmRi1Ri2C1C2Ci2Ci1習(xí)題1uA=6.24146×1012
個(gè)電子/秒1pA=6.24146×106
個(gè)電子/秒1fA=6.24146×103
個(gè)電子/秒1aA=6.24146個(gè)電子/秒1庫侖相當(dāng)于6.24146×1018
INA116基極電流3fA1.8萬個(gè)電子/秒1000uF的電容,用INA116測量,10年下降1V推導(dǎo)過程屏蔽層驅(qū)動[(V+)+(V-)]/21.開關(guān)電容耦合3.光耦瞬態(tài)抑制(TransientImmunity)瞬態(tài)抑制(TransientImmunity).
這個(gè)參數(shù)描述了器件對快變共模信號的抑制能力。如圖2所示,在兩個(gè)地之間加一快速上升的電壓,當(dāng)電壓的幅值足夠大、上升得足夠快的時(shí)候,輸出端會產(chǎn)生一個(gè)理想狀態(tài)下不應(yīng)該有的輸出。實(shí)踐證明這個(gè)值的大小與輸入電壓的變化率有關(guān)。把輸出峰值為50mV的情況下輸入端電壓的變化率就看成是順態(tài)抑制能力指標(biāo)。ISO130具有一個(gè)至少
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