南京工業(yè)大學(xué)模擬電子技術(shù)綜合復(fù)習(xí)題(有答案)

《模擬電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題綜合（第1、2章）一、選擇題1、在本征半導(dǎo)體中摻入微量的D價元素，形成N型半導(dǎo)體。A.二B.三C.四D.五2、在N型半導(dǎo)體中摻入濃度更大的C價元素，變成為P型半導(dǎo)體。A.二B.三C.四D.五3、在本征半導(dǎo)體中，自由電子濃度B空穴濃度。A.大于B.等于C.小于4、在P型半導(dǎo)體中，自由電子濃度C空穴濃度。A.大于B.等于C.小于5、本征半導(dǎo)體溫度升高以后，C。A.自由電子增多，空穴數(shù)基本不變B.空穴數(shù)增多，自由電子數(shù)基本不變C.自由電子數(shù)和空穴數(shù)都增多，且數(shù)目相同D.自由電子數(shù)和空穴數(shù)都不變6、空間電荷區(qū)是由C構(gòu)成的。A.電子B.空穴C.離子D.分子7、PN結(jié)加正向電壓時，空間電荷區(qū)將A。A.變窄8、設(shè)二極管的端電壓為U，則二極管的電流方程是C。A.ISeUD.IS9、穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在C。A.正向?qū)˙.反向截止C.反向擊穿B.基本不變C.變寬D.無法確定B.C.10、當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為B。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏D.前者反偏、后者正偏11、當(dāng)溫度升高時，二極管的反向飽和電流將A。A.增大B.不變C.減小D.都有可能12、工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng)IB從12μA增大到22μA時，IC從1mA變?yōu)?mA，那么它的β約為C。A.83B.91C.100D.1013、當(dāng)場效應(yīng)管的漏極直流電流ID從2mA變?yōu)?mA時，它的低頻跨導(dǎo)gm將A。A.增大B.不變C.減小D.都有可能14、晶體管是A器件。A.電流控制電流B.電流控制電壓C.電壓控制電壓D.電壓控制電流15、實踐中，判別晶體管是否飽和，最簡單的方法是測量D。A.IBB.ICC.UBED.UCE16、在正常放大的電路中，測得晶體管三個電極的對地電位如圖所示，試判斷管子的類型和材料。圖1為D；圖2為A。[基極電位總是處于中間]A.NPN硅管B.PNP硅管C.NPN鍺管D.PNP鍺管17、增強(qiáng)型PMOS管工作在放大狀態(tài)時，其柵源電壓B，耗盡型PMOS管工作在放大狀態(tài)時，其柵源電壓D。A.只能為正B.只能為負(fù)C.可正可負(fù)D.可正可負(fù)，也可為零18、在放大電路中，場效應(yīng)管工作在漏極特性的C。A.可變電阻（歐姆）區(qū)B.截止區(qū)C.飽和區(qū)D.擊穿區(qū)19、表征場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)是B。A.夾斷電壓UGS(off)B.低頻跨導(dǎo)gmC.飽和漏極電流IDSSD.開啟電壓UGS(th)20、場效應(yīng)管是D器件。A.電流控制電流B.電流控制電壓C.電壓控制電壓D.電壓控制電流21、基本共射放大電路中，基極電阻Rb的作用是A。A.限制基極電流，使晶體管工作在放大區(qū)，并防止輸入信號短路B.把基極電流的變化轉(zhuǎn)化為輸入電壓的變化C.保護(hù)信號源D.防止輸出電壓被短路22、基本共射放大電路中，集電極電阻Rc的作用是B。A.限制集電極電流的大小B.將輸出電流的變化量轉(zhuǎn)化為輸出電壓的變化量C.防止信號源被短路D.保護(hù)直流電壓源EC23、基本共射放大電路中，如果使用直流電壓表測出UCE≈0，可能是因為A。A.Rb短路B.Rb開路C.Rc短路D.β過小24、基本共射放大電路中，輸入正弦信號，現(xiàn)用示波器觀察輸出電壓uo和晶體管集電極電壓uc的波形，二者相位A。A.相同B.相反C.相差90°D.相差270°25、NPN管基本共射放大電路輸出電壓出現(xiàn)了非線性失真，通過減小Rb失真消除，這種失真一定是B失真。A.飽和B.截止C.雙向D.相位26、分壓式偏置工作點穩(wěn)定電路，當(dāng)β＝50時，IB=20μA，IC=1mA。若只更換β＝100的晶體管，而其他參數(shù)不變，則IB和IC分別是A。A.10μA，1mAB.20μA，2mAC.30μA，3mAD.40μA，4mA27、有兩個空載放大倍數(shù)相同，輸入和輸出電阻不同的放大器甲和乙，對同一信號源進(jìn)行放大，在負(fù)載開路的情況下，測得甲的輸出電壓小，這說明甲的B。A.輸入電阻大B.輸入電阻小C.輸出電阻大D.輸出電阻小28、放大電路產(chǎn)生零點漂移的主要原因是A。A.環(huán)境溫度變化引起參數(shù)變化B.放大倍數(shù)太大C.采用了直接耦合方式D.外界存在干擾源29、要求組成的多級放大電路體積