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第四章非晶硅太陽(yáng)電池第五章CdTe太陽(yáng)電池CuInGaSe2(CuInS2)太陽(yáng)電池染料敏化太陽(yáng)電池(DSSC)有機(jī)太陽(yáng)電池(OPV)第五章薄膜太陽(yáng)電池CdS：直接帶隙，能帶2.4eV，吸收系數(shù)104-105cm-1，常用作窗口材料CdTe：直接帶隙，能帶1.45eV（接近最佳帶隙1.5eV），吸收系數(shù)105cm-1WhyCdTeorCdS?Superstrate結(jié)構(gòu)：在玻璃等襯底上依次生長(zhǎng)透明氧化層（TCO）、CdS、CdTe薄膜，而太陽(yáng)光是由玻璃襯底上方照射進(jìn)入，先透過(guò)TCO層，再進(jìn)入CdS/CdTe結(jié)。——效率最高Substrate結(jié)構(gòu)：在適當(dāng)?shù)囊r底上生長(zhǎng)CdTe薄膜，再生長(zhǎng)CdS和TCO膜。2×10-4Ωcm105cm-119近空間升華法：生產(chǎn)高效率CdTe薄膜電池的最主要方法蒸發(fā)源被置于一與襯底同面積的容器內(nèi)，襯底與源材料要盡量靠近放置，使得兩者間的溫度差盡量小，從而使薄膜的生長(zhǎng)接近理想平衡狀態(tài)。襯底溫度要求：450-60

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