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文檔簡介
§8.2場效應管放大電路12§8.4場效應管放大電路一、場效應管的特性、參數與微變等效模型二、基本共源放大電路三、基本共漏放大電路四、基本共柵放大電路
場效應管有三個極:源極(s)、柵極(g)、漏極(d),對應于晶體管的e、b、c;
有三個工作區(qū)域:截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū),對應于晶體管的截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)。單極型管∶噪聲小、抗輻射能力強、低電壓工作一、場效應管的特性、參數與微變等效模型三個電極的對應情況:BJTFET基極b柵極g集電極c漏極d發(fā)射極e源極s截止區(qū)截止區(qū)放大區(qū)恒流區(qū)飽和區(qū)可變電阻區(qū)三個工作區(qū)的對應情況:3一、場效應管的特性、參數與微變等效模型41.各類場效應管的符號5一、場效應管的特性、參數與微變等效模型1.各類場效應管的符號按特性分增強型耗盡型uGS=0時,iD
=0uGS=0時,iD
0各種管子的輸出特性形狀是一樣的,只是控制電壓UGS不同。6一、場效應管的特性、參數與微變等效模型2.場效應管的特性曲線轉移特性輸出特性增強型:耗盡型:
3.工作在恒流區(qū)時g-s、d-s間的電壓極性uGS=0可工作在恒流區(qū)的場效應管有哪幾種?uGS>0才可能工作在恒流區(qū)的場效應管有哪幾種?uGS<0才可能工作在恒流區(qū)的場效應管有哪幾種?一、場效應管的特性、參數與微變等效模型7一、場效應管的特性、參數與微變等效模型84.場效應管的主要參數一、直流參數
1.結型場效應管和耗盡型MOSFET
(1)飽和漏極電流IDSS(IDO):對應uGS=0時的漏極電流。
(2)夾斷電壓UGS(off):當柵源電壓uGS=UGS(off)時,iD=0。2.
增強型MOSFET
開啟電壓UGS(th):當uGS>uGS(th)時,導電溝道才形成,iD≠0。
3.輸入電阻RGS
對結型場效應管,RGS在108~1012Ω之間。對MOS管,RGS在1010~1015Ω之間。
通常認為RGS→∞。
一、場效應管的特性、參數與微變等效模型9
二、極限參數
場效應管也有一定的運用極限,若超過這些極限值,管子就可能損壞。場效應管的極限參數如下:
(1)柵源擊穿電壓U(BR)GS
(2)漏源擊穿電壓U(BR)DS
(3)最大功耗PDM:PDM=ID·UDS4.場效應管的主要參數一、場效應管的特性、參數與微變等效模型102.輸出電阻rds輸出電阻rds定義為4.場效應管的主要參數三、交流參數1.跨導gm
定義為gm的大小可以反映柵源電壓uGS對漏極電流iD的控制能力的強弱。gm可以從轉移特性或輸出特性中求得,也可以用公式計算出來。說明了uDS對iD的影響。是輸出特性某一點上切線斜率的倒數。
一、場效應管的特性、參數與微變等效模型11用有效值表示,上式可改寫為通常rds較大,對Id的影響可以忽略,則5.場效應管的微變等效模型一、場效應管的特性、參數與微變等效模型12畫出該式所對應的等效電路如圖所示5.場效應管的微變等效模型rds一般在幾十kΩ到幾百kΩ微變等效模型可以近似為13二、基本共源放大電路為保證MOS管工作在恒流區(qū):輸入回路:
加柵極電源VGG,
使其大于開啟電壓UGS(th)輸出回路:
加漏極電源VDD,作為負載的能量,并使漏-源電壓大于夾斷電壓Rd:
將漏極電流iD的變化轉換為電壓uDS的變化,實現電壓放大(與共射中的Rc作用相同)為使信號源與放大電路“共地”,并采用單電源供電:自給柵偏壓放大電路分壓偏置放大電路1.基本共源放大電路14二、基本共源放大電路2.自給柵偏壓放大電路直流通路靜態(tài)分析:柵極絕緣輸入電流IG=0靜態(tài)分析即求UGSQ、UDSQ和IDQ15二、基本共源放大電路2.自給柵偏壓放大電路靜態(tài)分析:由正電源獲得負偏壓,稱為自給偏壓①列出輸入回路電壓方程②假設管子工作在恒流區(qū),由耗盡型場效應管的電流方程可得③列出輸出回路電壓方程16二、基本共源放大電路2.自給柵偏壓放大電路動態(tài)分析交流等效電路微變等效電路17二、基本共源放大電路①電壓放大倍數②輸入電阻③輸出電阻2.自給柵偏壓放大電路動態(tài)分析18二、基本共源放大電路3.分壓偏置放大電路(Q點穩(wěn)定)靜態(tài)分析:柵極絕緣RG上電流為0①求出柵極的分壓UG②列出輸入回路電壓方程③假設管子工作在恒流區(qū),由增強型場效應的電流方程可得④列出輸出回路電壓方程
S19二、基本共源放大電路3.分壓偏置放大電路動態(tài)分析20二、基本共源放大電路3.分壓偏置放大電路動態(tài)分析①電壓放大倍數②輸入電阻③輸出電阻例1:電路如圖(1)畫直流通路;(2)畫微變等效電路;(3)求Av、ri、ro的表達式21例2:場效應管放大器電路如圖所示,已知工作點的gm=5mA/V,試畫出低頻小信號等效電路,并計算增益Au。2223例3:電路如圖,已知工作點的gm=5mA/V,求動態(tài)分析24s(除掉vgs)放大倍數在輸入電阻上的分壓2526三、基本共漏放大電路靜態(tài)工作點與共源放大電路一樣動態(tài)分析①電壓放大倍數②輸入電阻27三、基本共漏放大電路動態(tài)分析
③輸出電阻28三、基本共漏放大電路動態(tài)分析(1)電壓增益Au(2)輸入電阻Ri(3)輸出電阻Ro四、基本共柵放大電路29組態(tài)對應關系:CEBJTFETCSCCCDCBCGBJTFET電壓增益:CE:CC:CB:CS:CD:CG:30輸出電阻:BJTFET輸入電阻:CE:CC:CB:CS:CD:CG:CE:CC:CB:CS:CD:CG:31例4:設gm=3mA/V,=50,rbe=1.7k前級:場效應管共源極放大器后級:晶體管共射極放大器求:總電壓放大倍數、輸入電阻、輸出電阻。+VCCRS3M(+24V)R120k10kC2C3R4R3RLRE282k43k10k8k10kC1RCT1RE1CE2T2CE1RD10kR21M32(1)估算各級靜態(tài)工作點:(略)(2)動態(tài)分析:
微變等效電路首先計算第二級的輸入電阻:
Ri2=
R3//R4//rbe=82//43//1.7=1.7kR3R4RCRLRSR2R1RDrbegds33第二步:計算各級電壓放大倍數R3R4RCRLRSR2R1RDrbegds34第三步:計算輸入電阻、輸出電阻Ri=R1//R2=3//1=0.75MRo=RC=10kR3R4RCRLRSR2R1RDrbegds35第四步:計算總電壓放大倍數Av=Av1Av2=(-4.4)(-147)=647R3R4RCRLRSR2R1RDrbegds3637RB+ECRCC1C2TRLuiuo簡單的固定偏置共射極放大器靜態(tài)分析:求IB,IC和UCEIc=IB內容回顧38分壓偏置放大電路靜態(tài)分析戴維南等效電路法:估算法:內容回顧39內容回顧動態(tài)分析之微變等效電路法三極管微變等效電路40場效應管的微變等效模型內容回顧動態(tài)分析之微變等效電路法41兩級放大電路分析
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