二極管類型及其作用

二極管類型及其作用DIODE1?簡(jiǎn)介二極管又稱晶體二極管，簡(jiǎn)稱二極管(diode)，另外，還有早期的真空電子二極管；它是一種能夠單向傳導(dǎo)電流的電子器件。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)PN結(jié)兩個(gè)引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導(dǎo)性。一般來(lái)講，晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界面。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層，構(gòu)成自建電場(chǎng)。當(dāng)外加電壓等于零時(shí)，由于p-n結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴(kuò)散電流和由自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)，這也是常態(tài)下的二極管特性。2■特性正向性外加正向電壓時(shí)，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區(qū)。這個(gè)不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后，PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)被克服，二極管正向?qū)ǎ娏麟S電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi)，導(dǎo)通時(shí)二極管的端電壓幾乎維持不變，這個(gè)電壓稱為二極管的正向電壓。當(dāng)二極管兩端的正向電壓超過(guò)一定數(shù)值，內(nèi)電場(chǎng)很快被削弱，特性電流迅速增長(zhǎng)，二極管正向?qū)?。Vth叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約為0.5V,鍺管約為0.1V。硅二極管的正向?qū)▔航导s為0.6~0.8V,鍺二極管的正向?qū)▔航导s為0.2~0.3V。反向性外加反向電壓不超過(guò)一定范圍時(shí)，通過(guò)二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。這個(gè)反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流，二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級(jí)，小功率鍺管在“A數(shù)量級(jí)。溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。二極管的管壓降：硅二極管（不發(fā)光類型）正向管壓降0.7V,鍺管正向管壓降為0.3V,發(fā)光二極管正向管壓降會(huì)隨不同發(fā)光顏色而不同。主要有三種顏色，具體壓降參考值如下：紅色發(fā)光二極管的壓降為2.0--2.2V，黃色發(fā)光二極管的壓降為1.8—2.0V，綠色發(fā)光二極管的壓降為3.0—3.2V，正常發(fā)光時(shí)的額定電流約為20mA。二極管的電壓與電流不是線性關(guān)系，所以在將不同的二極管并聯(lián)的時(shí)候要接相適應(yīng)的電阻。反向擊穿齊納擊穿在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)，外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿，若對(duì)其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)永久性損壞.3■工作原理晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的pn結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于pn結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流10。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，pn結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過(guò)程，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì),產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。pn結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。4■類型二極管種類有很多，按照所用的半導(dǎo)體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。從用途來(lái)分：1■檢波二極管作用：檢波（也稱解調(diào)）二極管的作用是利用其單向?qū)щ娦詫⒏哳l或中頻無(wú)線電信號(hào)中的低頻信號(hào)或音頻信號(hào)取出來(lái)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體收音機(jī)、收錄機(jī)、電視機(jī)及通信等設(shè)備的小信號(hào)電路中，其工作頻率較高，處理信號(hào)幅度較弱。常用的國(guó)產(chǎn)檢波二極管有2AP系列鍺玻璃封裝二極管。常用的進(jìn)口檢波二極管有1N34/A、1N60等。整流檢波二極管的作用把交流電壓變換成單向脈動(dòng)電壓原理：檢波二極管具有結(jié)電容低，工作頻率高和反向電流小等特點(diǎn)，傳統(tǒng)上用于調(diào)幅信號(hào)檢波。調(diào)幅信號(hào)是一個(gè)高頻信號(hào)承載一個(gè)低頻信號(hào)，調(diào)幅信號(hào)的波包（envelope）即為基帶低頻信號(hào)。如在每個(gè)信號(hào)周期取平均值，其恒為零。若將調(diào)幅信號(hào)通過(guò)檢波二極管，由于檢波二極管的單向?qū)щ娞匦?，調(diào)幅信號(hào)的負(fù)向部分被截去，僅留下其正向部分，此時(shí)如在每個(gè)信號(hào)周期取平均值（低通濾波），所得為調(diào)幅信號(hào)的波包（envelope）即為基帶低頻信號(hào)，實(shí)現(xiàn)了解調(diào)（檢波）功能。檢波（detection）廣義的檢波通常稱為解調(diào)，是調(diào)制的逆過(guò)程，即從已調(diào)波提取調(diào)制信號(hào)的過(guò)程。對(duì)調(diào)幅波是從它的振幅變化提取調(diào)制信號(hào)的過(guò)程；對(duì)調(diào)頻波，是從它的頻率變化提取調(diào)制信號(hào)的過(guò)程；對(duì)調(diào)相波，是從它的相位變化提取調(diào)制信號(hào)的過(guò)程。二極管檢波原理:調(diào)幅波信號(hào)是二極管檢波電路的輸入，二極管只允許單向?qū)щ?，，使用的是硅管，則只有電壓高于0.7V的部分通過(guò)二極管。，二極管的輸出端連接了一個(gè)電容，電容與電阻配合對(duì)二極管輸出中的高頻信號(hào)對(duì)地短路，使得輸出信號(hào)基本上信號(hào)包絡(luò)線。電容和電阻構(gòu)成的這種電路功能叫做濾波。http://we/link?url=n-pOLkT_l1lpLSIOCQ5iUomr1x54U196fjDSmNdDFIN63WqnDzWOcTrx4LWUhYKRhlRh5d8PQtOaF1iLc17al7d7_vJYvvyGuXXJ9h1HKpC2?整流二極管一種將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟娔艿陌雽?dǎo)體器件。通常它包含一個(gè)PN結(jié)，有正極和負(fù)極兩個(gè)端子。特性整流二極管是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦裕呀涣麟娮兂擅}動(dòng)直流電。整流二極管流電流較大,多數(shù)采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖1所示，另外，整流二極管的參數(shù)除前面介紹的幾個(gè)外，還有最大整流電流，是指整流二極管長(zhǎng)時(shí)間的工作所允許通過(guò)的最大電流值。它是整流二極管的主要參數(shù)，是選項(xiàng)用整流二極管的主要依據(jù)。常用參數(shù)最大平均整流電流IF：指二極管長(zhǎng)期工作時(shí)允許通過(guò)的最大正向平均電流。該電流由PN結(jié)的結(jié)面積和散熱條件決定。使用時(shí)應(yīng)注意通過(guò)二極管的平均電流不能大于此值，并要滿足散熱條件。例如1N4000系列二極管的IF為1A。最高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的最大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電?VB)的一半作為(VR)。例如1N4001的VR為50V，1N4002-1n4006分別為100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR為1000V最大反向電流IR：它是二極管在最高反向工作電壓下允許流過(guò)的反向電流，此參數(shù)反映了二極管單向?qū)щ娦阅艿暮脡?。因此這個(gè)電流值越小，表明二極管質(zhì)量越好。擊穿電壓VB：指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點(diǎn)的電壓值。反向?yàn)檐浱匦詴r(shí)，則指給定反向漏電流條件下的電壓值。最高工作頻率fm：它是二極管在正常情況下的最高工作頻率。主要由PN結(jié)的結(jié)電容及擴(kuò)散電容決定，若工作頻率超過(guò)fm，則二極管的單向?qū)щ娦阅軐⒉荒芎芎玫伢w現(xiàn)。例如1N4000系列二極管的fm為3kHz。反向恢復(fù)時(shí)間trr：指在規(guī)定的負(fù)載、正向電流及最大反向瞬態(tài)電壓下的反向恢復(fù)時(shí)間。（7）零偏壓電容CO：指二極管兩端電壓為零時(shí)，擴(kuò)散電容及結(jié)電容的容量之和。值得注意的是，由于制造工藝的限制，即使同一型號(hào)的二極管其參數(shù)的離散性也很大。手冊(cè)中給出的參數(shù)往往是一個(gè)范圍，若測(cè)試條件改變，則相應(yīng)的參數(shù)也會(huì)發(fā)生變化,例如在25°C時(shí)測(cè)得1N5200系列硅塑封整流二極管的IR小于10uA，而在100°C時(shí)IR則變?yōu)樾∮?00uA。常用型號(hào)極管型號(hào)：4148安裝方式:貼片功率特性:大功率二極管型號(hào):SA5.0A/CA-SA170A/CA安裝方式:直插二極管型號(hào):IN4007/IN4001安裝方式:直插功率特性:小功率頻率特性:低頻二極管型號(hào):70HF80安裝方式:螺絲型功率特性:大功率頻率特性:高頻二極管型號(hào):MRA4003T3G安裝方式:貼片二極管型號(hào):1SS355安裝方式:貼片功率特性:大功率二極管型號(hào)6A10安裝方式:直插功率特性:大功率;型號(hào):2DHG型安裝方式:直插功率特性:大功率二極管型號(hào)B5G090L安裝方式:直插功率特性:小功率頻率特性:超高頻型號(hào)最高反向峰值電壓（v）平均整流電流（a）最大峰值浪涌電流（a最大反向漏電流（Ua）正向壓降（V）外型IN4001501.0305.01.0DO--41IN40021001.0305.01.0DO--41IN40033001.0305.01.0DO--41IN40044001.0305.01.0DO--41IN40056001.0305.01.0DO--41普通整流二極管參數(shù)（二）型號(hào)最高反向峰值電壓（v）平均整流電流（a）最大峰值浪涌電流（a最大反向漏電流（Ua）正向壓降(V)外型RL2015027051D0--15RL20210027051DO--15RL20320027051DO--15RL20440027051DO--15RL20560027051DO--15RL20680027051DO--15普通整流二極管參數(shù)(三)IN540150320051DO--27P600M10006400100.95R--605Z6.2Y硅穩(wěn)壓二極管Vz=6~6.35V,Pzm=500mW,1N4002硅整流二極管100V,1A,1N4148二極管75V,4PF,lr=25nA,Vf=1V,1N5400硅整流二極管50V,3A,(lr=5uA,Vf=1V,lfs=150A)1N5401硅整流二極管100V,3A,1N5402硅整流二極管200V,3A,1N5408硅整流二極管1000V,3A3■穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管(又叫齊納二極管)，此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。｛穩(wěn)壓二極管與TVS管的差別｝穩(wěn)壓二極管主要是在電路中起到穩(wěn)壓的作用，需要反接，使其反向擊穿，負(fù)載兩端的電壓將基本保持不變。TVS管即瞬態(tài)抑制二極管，其電路符號(hào)和普通穩(wěn)壓二極管相同，外形也與普通二極管無(wú)異，當(dāng)TVS管兩端經(jīng)受瞬間的高能量沖擊時(shí)，它能以極高的速度(最高達(dá)1/(10A12)秒)使其阻抗驟然降低，同時(shí)吸收一個(gè)大電流，將其兩端間的電壓箝位在一個(gè)預(yù)定的數(shù)值上，從而確保后面的電路元件免受瞬態(tài)高能量的沖擊而損壞。TVS和齊納穩(wěn)壓管都能用作穩(wěn)壓，但是齊納擊穿電流更小，大于10V的穩(wěn)壓只有1mA,相對(duì)來(lái)說(shuō)要比齊納二極管擊穿電流要大不少，但是齊納二極管穩(wěn)壓精度可以做的比較高。單向替換有可能，互換？不太可能。浪涌保護(hù)電路（如圖2）：穩(wěn)壓管在準(zhǔn)確的電壓下?lián)舸@就使得它可作為限制或保護(hù)之元件來(lái)使用，因?yàn)楦鞣N電壓的穩(wěn)壓二極管都可以得到，故對(duì)于這種應(yīng)用特別適宜?圖中的穩(wěn)壓二極管D是作為過(guò)壓保護(hù)器件?只要電源電壓VS超過(guò)二極管的穩(wěn)壓值D就導(dǎo)通，使繼電器J吸合負(fù)載RL就與電源分開(kāi)?電弧抑制電路如圖4：在電感線圈上并聯(lián)接入一只合適的穩(wěn)壓二極管（也可接入一只普通二極管原理一樣）的話，當(dāng)線圈在導(dǎo)通狀態(tài)切斷時(shí)，由于其電磁能釋放所產(chǎn)生的高壓就被二極管所吸收，所以當(dāng)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，開(kāi)關(guān)的電弧也就被消除了。這個(gè)應(yīng)用電路在工業(yè)上用得比較多，如一些較大功率的電磁吸控制電路就用到它?串聯(lián)型穩(wěn)壓電路(如圖5)：在此電路中，串聯(lián)穩(wěn)壓管，BG的基極被穩(wěn)壓二極管D鉗定在13V,那么其發(fā)射極就輸出恒定的12V電壓了?這個(gè)電路在很多場(chǎng)合下都有應(yīng)用。反向串聯(lián)的作用1、 經(jīng)常在功率較大的放大電路，功率管的基極b與發(fā)射極e即發(fā)射結(jié)并聯(lián)兩個(gè)反向的二極管，這是通過(guò)對(duì)發(fā)射結(jié)輸入電流的分流作用而起保護(hù)作用；2、 兩個(gè)二極管反向串聯(lián)后對(duì)與之并聯(lián)的電路可起過(guò)壓保護(hù)作用，當(dāng)電路過(guò)壓時(shí)，二極管首先擊穿短路；雙向過(guò)壓保護(hù)。這種雙向tvs,雙向過(guò)壓保護(hù)電路一般用于電子電路，與被保護(hù)的PN結(jié)并聯(lián)，保護(hù)該P(yáng)N免遭反向過(guò)電壓的危害；作用：過(guò)壓保護(hù)，靜電保護(hù)，電壓鉗位，阻尼作用。瞬態(tài)電壓抑制器(TransientVoltageSuppressor)簡(jiǎn)稱TVS,是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件。當(dāng)TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí)，它能以10-12毫秒量級(jí)的速度，將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩?，吸收高達(dá)數(shù)千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓箝位于一個(gè)預(yù)定值，有效地保護(hù)電子線路中的精密元器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。1、 將TVS二極管加在信號(hào)及電源線上，能防止微處理器或單片機(jī)因瞬間的肪沖，如靜電放電效應(yīng)、交流電源之浪涌及開(kāi)關(guān)電源的噪音所導(dǎo)致的失靈。2、 靜電放電效應(yīng)能釋放超過(guò)10000V、60A以上的脈沖，并能持續(xù)10ms；而一般的TTL器件，遇到超過(guò)30ms的10V脈沖時(shí)，便會(huì)導(dǎo)至損壞。利用TVS二極管，可有效吸收會(huì)造成器件損壞的脈沖，并能消除由總線之間開(kāi)關(guān)所引起的串?dāng)_(Crosstalk)。3、 將TVS二極管放置在信號(hào)線及接地間，能避免數(shù)據(jù)及控制總線受到不必要的噪音影響。開(kāi)關(guān)電源中的開(kāi)關(guān)管一般是mos管，由于mos管的G極對(duì)靜電或過(guò)壓非常敏感，所以為了保護(hù)它免遭損壞才加雙向TVS給與保護(hù)，一般三極管開(kāi)關(guān)并不害怕靜電，很少有這個(gè)保護(hù)。4、如果是兩個(gè)穩(wěn)壓二極管反向串聯(lián)，正、反方向電壓到達(dá)穩(wěn)壓值時(shí)，電壓被鉗位;5、如果是兩個(gè)穩(wěn)壓二極管反向串聯(lián)，正、反方向電壓到達(dá)穩(wěn)壓值時(shí)，電流劇增，電動(dòng)力增大，起阻尼作用；4■開(kāi)關(guān)二極管開(kāi)關(guān)二極管是半導(dǎo)體二極管的一種，是為在電路上進(jìn)行"開(kāi)"、"關(guān)"而特殊設(shè)計(jì)制造的一類二極管。它由導(dǎo)通變?yōu)榻刂够蛴山刂棺優(yōu)閷?dǎo)通所需的時(shí)間比一般二極管短，常見(jiàn)的有2AK、2DK等系列，主要用于電子計(jì)算機(jī)、脈沖和開(kāi)關(guān)電路中。原理工作特性開(kāi)關(guān)二極管從截止（高阻狀態(tài)）到導(dǎo)通（低阻狀態(tài)）的時(shí)間叫開(kāi)通時(shí)間；從導(dǎo)通到截止的時(shí)間叫反向恢復(fù)時(shí)間；兩個(gè)時(shí)間之和稱為開(kāi)關(guān)時(shí)間。一般反向恢復(fù)時(shí)間大于開(kāi)通時(shí)間，故在開(kāi)關(guān)二極管的使用參數(shù)上只給出反向恢復(fù)時(shí)間。開(kāi)關(guān)二極管的開(kāi)關(guān)速度是相當(dāng)快的，像硅開(kāi)關(guān)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間只有幾納秒，即使是鍺開(kāi)關(guān)二極管，也不過(guò)幾百納秒。開(kāi)關(guān)二極管具有開(kāi)關(guān)速度快、體積小、壽命長(zhǎng)、可靠性高等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備的開(kāi)關(guān)電路、檢波電路、高頻和脈沖整流電路及自動(dòng)控制電路中。5?隔離二極管隔離二極管：顧名思義，利用二極管的單向?qū)ㄔ?，?duì)某方向電壓的導(dǎo)通起到隔離的作用。隔離二極管一般情況下正向?qū)妷涸?.6-0.8V之間（硅二極管）6?肖特基二極管肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬一半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬一半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基整流管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將PN結(jié)整流管稱作結(jié)整流管，而把金屬-半導(dǎo)管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問(wèn)世，這不僅可節(jié)省貴金屬，大幅度降低成本，還改善了參數(shù)的一致性。SBD具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V,最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開(kāi)關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開(kāi)關(guān)器件的續(xù)流二極管、變壓器次級(jí)用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V?1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)外延二極管（FRED）和超快速恢復(fù)二極管（UFRD）。UFRD的反向恢復(fù)時(shí)間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領(lǐng)域用1MHz?3MHz的SMPS需要。（都到空間站了。。0、0蛋疼）即使是硬開(kāi)關(guān)為100kHz的SMPS，由于UFRD的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發(fā)展趨勢(shì)。因此，發(fā)展100V以上的高壓SBD，一直是人們研究的課題和關(guān)注的熱點(diǎn)。近幾年，SBD已取得了突破性的進(jìn)展，150V和200V的高壓SBD已經(jīng)上市，使用新型材料制作的超過(guò)1kV的SBD也研制成功，從而為其應(yīng)用注入了新的生機(jī)與活力。缺點(diǎn)肖特基二極體最大的缺點(diǎn)是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓最高只到50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急遽變大，實(shí)務(wù)設(shè)計(jì)上需注意其熱失控的隱憂。為了避免上述的問(wèn)題，肖特基二極體實(shí)際使用時(shí)的反向偏壓都會(huì)比其額定值小很多。不過(guò)肖特基二極體的技術(shù)也已有了進(jìn)步，其反向偏壓的額定值最大可以到200V。特點(diǎn)特點(diǎn)編輯編輯肖特基二極管SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面：1）由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問(wèn)題。SBD的反向恢復(fù)時(shí)間只是肖特基勢(shì)壘電容的充、放電時(shí)間，完全不同于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少，故開(kāi)關(guān)速度非?？欤_(kāi)關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。但是，由于SBD的反向勢(shì)壘較薄，并且在其表面極易發(fā)生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結(jié)二極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結(jié)二極管大。作用一個(gè)典型的應(yīng)用，是在雙極型晶體管BJT的開(kāi)關(guān)電路里面，通過(guò)在BJT上連接Shockley二極管來(lái)箝位，使得晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)其實(shí)處于很接近截止?fàn)顟B(tài)，從而提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度。這種方法是74LS,74ALS,74AS等典型數(shù)字IC的TTL內(nèi)部電路中使用的技術(shù)。肖特基（Schottky）二極管的最大特點(diǎn)是正向壓降VF比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時(shí)間短。它也有一些缺點(diǎn)：耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時(shí)要全面考慮。在SBD方面，采用SiC材料和JBS結(jié)構(gòu)的器件具有較大的發(fā)展?jié)摿ΑＴ诟邏汗β识O管領(lǐng)域，SBD肯定會(huì)占有一席之地。 肖特基二極管常見(jiàn)的型號(hào)：MBR300100CTMBR400100CTMBR500100CTMBR600100CTMBR30050CTMBR40050CTMBR50050CTMBR60050CT部分參數(shù)下列為比較經(jīng)常用到的二極管參數(shù)05Z6.2Y；硅穩(wěn)壓二極管Vz=6~6.35V,Pzm=500mW,05Z7.5Y；硅穩(wěn)壓二極管Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW,05Z13X；硅穩(wěn)壓二極管Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW,05Z15Y；硅穩(wěn)壓二極管Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW,05Z18Y；硅穩(wěn)壓二極管Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW,1N4001；硅整流二極管50V,1A,(lr=5uA,Vf=1V,lfs=50A)1N4002；硅整流二極管100V,1A,1N4003；硅整流二極管200V,1A,1N4004；硅整流二極管400V,1A,1N4005；硅整流二極管600V,1A,1N4006；硅整流二極管800V,1A,1N4007；硅整流二極管1000V,1A,1N4148；二極管75V,4PF,lr=25nA,Vf=1V,1N5391；硅整流二極管50V,1.5A,(lr=10uA,Vf=1.4V,lfs=50A)1N5392；硅整流二極管100V,1.5A,1N5393；硅整流二極管200V,1.5A,1N5394；硅整流二極管300V,1.5A,1