GB/T 29057-2012用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評(píng)價(jià)多晶硅棒的規(guī)程

ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T29057—2012

用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評(píng)價(jià)

多晶硅棒的規(guī)程

Practiceforevaluationofpolocrystallinesiliconrodsbyfloat-zone

crystalgrowthandspectroscopy

(SEMIMF1723-1104,MOD)

2012-12-31發(fā)布2013-10-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T29057—2012

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)修改采用國際標(biāo)準(zhǔn)用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評(píng)價(jià)多晶硅棒的規(guī)

SEMIMF1723-1104《

程為方便比較資料性附錄中列出了本標(biāo)準(zhǔn)章條和對(duì)應(yīng)的國際標(biāo)準(zhǔn)章條的對(duì)照一覽表

》。,A。

本標(biāo)準(zhǔn)在采用時(shí)進(jìn)行了修改這些技術(shù)差異用垂直單線標(biāo)識(shí)在它們所涉及

SEMIMF1723-1104。

的條款的頁邊空白處主要技術(shù)差異如下

。:

在規(guī)范性引用文件中凡我國已有國家標(biāo)準(zhǔn)的均用相應(yīng)的國家標(biāo)準(zhǔn)代替

———“”,,SEMIMF1723-

中的引用文件

1104“”。

增加規(guī)范性引用文件硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法

———GB/T1553《》。

將中中規(guī)定的級(jí)改為中規(guī)定的級(jí)

———6.2“…ISO14644-1ISO5…”“…GB500735…”。

將中中規(guī)定的級(jí)改為中規(guī)定的級(jí)

———7.2.1“…ISO14644-1ISO6…”“…GB500736…”。

將中中規(guī)定的級(jí)改為中規(guī)定的級(jí)

———7.3.1“…ISO14644-1ISO6…”“…GB500736…”。

將中-6改為-4

———7.3.1“…1×10torr…”“…1.3×10Pa…”。

將中硝酸符合級(jí)改為硝酸符合優(yōu)

———8.1“(HNO3)———SEMIC352”“(HNO3)———GB/T626

級(jí)純

”。

將中氫氟酸符合級(jí)改為氫氟酸符合優(yōu)

———8.2“(HF)———SEMIC282”“(HF)———GB/T620

級(jí)純

”。

將中去離子水純度等于或優(yōu)于中的級(jí)改為去離子水純度

———8.4“———ASTMD5127E-2”“———

等于或優(yōu)于中的級(jí)

GB/T11446.1EW-2”。

將中高純氬氣符合改為高純氬氣符合優(yōu)等品

———8.5“———SEMIC3.42”“———GB/T4842”。

增加按照檢測晶棒體內(nèi)少數(shù)載流子壽命

———12.5.2.4“GB/T1553?！?/p>

將中根據(jù)分析碳含量改為根據(jù)分析碳含量

———12.6.1“…SEMIMF1391…”“…GB/T1558…”。

將中按測試方法改為按測試方法

———12.6.3.3“…SEMIMF1391…”“…GB/T1558…”。

將中見改為見

———13.3.5.1“…SEMIMF723…”“…GB/T13389…”。

將中在中改為在中

———14.1“…SEMIMF1391…”“…GB/T1558…”。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司樂山樂電天威硅業(yè)科技有限責(zé)任公司天威四

:、、

川硅業(yè)有限責(zé)任公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人梁洪劉暢陳自強(qiáng)張新藍(lán)志張華端瞿芬芬

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T29057—2012

用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評(píng)價(jià)

多晶硅棒的規(guī)程

1目的

11本標(biāo)準(zhǔn)采用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法來測量多晶硅棒中的施主受主雜質(zhì)濃度測得的施主受

.、。、

主雜質(zhì)濃度可以用來計(jì)算按一定的目標(biāo)電阻率生長單晶硅棒所需要的摻雜量也可以用來推算非摻雜

,

硅棒的電阻率

。

12多晶硅中施主受主雜質(zhì)的濃度及碳濃度可以用來判定多晶硅材料是否滿足要求

.、。

13多晶硅中的雜質(zhì)濃度可以用來監(jiān)測多晶硅生產(chǎn)原料的純度生產(chǎn)工藝以及產(chǎn)品的合格性

.、。

14本標(biāo)準(zhǔn)描述了分析多晶硅中施主受主及碳元素所采用的取樣和區(qū)熔拉晶制樣工藝

.、。

2范圍

21本標(biāo)準(zhǔn)包括多晶硅棒取樣將樣品區(qū)熔拉制成單晶以及通過光譜分析法對(duì)拉制好的單晶硅棒進(jìn)行

.、

分析以確定多晶硅中痕量雜質(zhì)的程序這些痕量雜質(zhì)包括施主雜質(zhì)通常是磷或砷或二者兼有受主

。(,)、

雜質(zhì)通常是硼或鋁或二者兼有及碳雜質(zhì)

(,)。

22本標(biāo)準(zhǔn)中適用的雜質(zhì)濃度測定范圍施主和受主雜質(zhì)為十億分之一原子比

.:(0.002~100)ppba(),

碳雜質(zhì)為百萬分之一原子比樣品中的這些雜質(zhì)是通過低溫紅外光譜法或光致發(fā)

(0.02~15)ppma()。

光光譜法分析的

。

23本標(biāo)準(zhǔn)僅適用于評(píng)價(jià)在硅芯上沉積生長的多晶硅棒

.。

3局限性

31有裂縫高應(yīng)力或深度枝狀生長的多晶硅棒在取樣過程中容易碎裂不宜用來制備樣芯

.、,。

32鉆取的樣芯應(yīng)通過清洗去除油脂或加工帶來的沾污表面有裂縫或空隙的多晶硅樣芯不易清洗

.。,

其裂縫或空隙中的雜質(zhì)很難被完全腐蝕清除同時(shí)腐蝕殘?jiān)部赡芰粼跇有玖芽p中造成污染

;,。

33腐蝕用的器皿酸及去離子水中的雜質(zhì)都會(huì)對(duì)分析的準(zhǔn)確性重復(fù)性產(chǎn)生影響因此應(yīng)嚴(yán)格控制酸

.、、,

和去離子水的純度空氣墻壁地板和家具也可能造成污染因此應(yīng)在潔凈室中進(jìn)行腐蝕和區(qū)熔其

。、、,。

他如酸的混合比例酸腐蝕溫度酸腐蝕剝離的速率腐蝕沖洗次數(shù)以及暴露時(shí)間等都可能產(chǎn)生雜質(zhì)干

、、、

擾應(yīng)加以控制所有與腐蝕后的樣芯接觸的材料和容器都可能沾污應(yīng)在使用前清洗手套和其他用來

,;,;

包裹腐蝕后樣芯的材料應(yīng)檢測和監(jiān)控

。

34區(qū)熔爐的爐壁預(yù)熱器線圈和密封圈等都是常見的污染源應(yīng)保持潔凈

.、、,。

35區(qū)熔過程的任何波動(dòng)都會(huì)影響易揮發(fā)雜質(zhì)在氣相液相和固相中的分布從而改變測試結(jié)果樣

.、,。

芯直徑熔區(qū)尺寸拉速密封圈純度與爐膛條件的變化都可能改變有效分凝系數(shù)或蒸發(fā)速率使晶體中

、、、