晶體生產(chǎn)工藝

1晶體(jīngtǐ)生產(chǎn)工藝□直拉法晶體生長概念及流程□導流筒懸掛(xuánguà)方式□單晶拉制□中途取晶操作□常見異?！蹙毩曨}精品資料直拉法制備硅單晶過程：

把多晶硅放入石英坩堝，在單晶爐內利用加熱器將硅原料熔化；然后(ránhòu)用一根設定晶向的籽晶插入熔體表面，待籽晶與熔體充分熔接后，慢慢向上提拉籽晶，晶體在籽晶下端生長。籽晶軸（鋼纜(ɡānɡlǎn)）提升裝置籽晶和夾頭加熱器石英坩堝一、直拉法晶體生長概念及流程熔硅晶體晶體旋轉（逆時針）坩堝旋轉（順時針）1、生長概念2精品資料裝料抽空(chōukòng)化料穩(wěn)溫引晶放肩引晶放肩等徑收尾轉肩檢漏(jiǎnlòu)壓力化粘渣轉肩等徑停爐收尾拆清爐一、直拉法晶體生長概念及流程2、生長流程3精品資料二、導流筒懸掛(xuánguà)方式化料1化料2化料31、導流筒上掛式4精品資料化料1化料2化料3二、導流筒懸掛(xuánguà)方式2、導流筒下放(xiàfàng)式5精品資料在主界面選擇(xuǎnzé)【工藝選擇(xuǎnzé)】按鈕，系統(tǒng)顯示自動工藝選擇(xuǎnzé)畫面；在自動工藝界面選擇(xuǎnzé)【開始自動拉晶】按鈕，系統(tǒng)將顯示下面的界面；1、抽真空三、單晶拉制6精品資料抽真空(zhēnkōng)確認點檢根據(jù)界面提示(tíshì)檢查無誤按確定按鈕，系統(tǒng)顯示檢查2畫面；根據(jù)界面提示檢查無誤按確定按鈕，系統(tǒng)跳轉至抽真空工序界面并運行抽空工序；三、單晶拉制7精品資料系統(tǒng)進入抽真空工序，程序將依次打開主真空球閥、智能蝶閥，整個抽空工序將依據(jù)(yījù)SOP工藝參數(shù)自動執(zhí)行；過程中根據(jù)工藝設定自動關閉或打開主真空球閥、氬氣閥連續(xù)沖洗爐子若干分鐘，然后將爐內壓力抽至極限，這樣可有效排除爐內空氣、水氣，獲得較潔凈的晶體生長環(huán)境。三、單晶拉制(lāzhì)8精品資料檢漏就是通過測量一定時間內爐內壓力的增加速度來確定爐體是否漏氣（10min小于30mtor）。如果爐體密封不嚴就會導致外部空氣進入爐體，從而使爐內環(huán)境惡化(èhuà)，此時高溫熔硅極易和空氣中的多種成分發(fā)生反應。從而無法生長單晶。在自動檢漏時，程序會自動關閉所有氣動閥門使爐體處于密閉狀態(tài)。操作者需要注意的是：在檢漏氬氣屏幕被屏蔽，不可操作。當信息欄提示抽真空完成蜂鳴器報警時，在抽真空工序界面按【工藝選擇(xuǎnzé)】按鈕進入工序選擇(xuǎnzé)界面；2、檢漏三、單晶拉制9精品資料選擇【檢漏】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉至檢漏工序界面并運行檢漏工序；）程序自動關閉主真空球閥并延時30秒后開始檢測泄漏速率，兩分鐘后將泄漏率顯示(xiǎnshì)在工藝參數(shù)切換顯示(xiǎnshì)區(qū)內。注意：若泄漏過大（大于50mTorr/hr），可手動充幾次氬氣后再檢漏；因存在漏點造成漏率超標的，查補漏點后應重新執(zhí)行抽真空/檢漏工序。注意(zhùyì)：可以讓控制系統(tǒng)在完成抽真空后自動跳轉到檢漏，而不用人為切換。設置方法如下：按【系統(tǒng)維護】按鈕再按【工藝設置】按鈕進入工藝設置界面，在“自動進入檢漏工藝”前打√；如果沒有打√，則在抽真空完成之后系統(tǒng)會報警提示抽真空完成，這時就需要手動在“自動工藝（返回）”界面下手動切入“檢漏”步驟。其他的自動步驟都是如此。三、單晶拉制10精品資料檢漏漏率符合工藝要求后，在檢漏工序界面(jièmiàn)按【工藝選擇】按鈕進入工序選擇界面(jièmiàn)；選擇【壓力化】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉至壓力化工序界面(jièmiàn)并運行壓力化工序；程序自動打開上氬氣閥按工藝設定氬氣流量往爐內充入氬氣，當爐內壓力達到20Torr自動打開主真空球閥，自動開“壓力控制”閉環(huán)并在操作界面(jièmiàn)加色顯示，通過對節(jié)流閥開度的自動調節(jié)將爐壓控制在工藝設定值，壓力化完成。3、壓力(yālì)化三、單晶拉制11精品資料按“加熱器開”按鈕打開加熱電源，在壓力化工序界面按【工藝選擇】按鈕進入(jìnrù)工序選擇界面；選擇【熔料】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉至化料工序界面并運行熔料工序；注：如果在選擇熔料之前沒開啟加熱器，此時系統(tǒng)報警要求操作者打開加熱器。熔料功率、堝位、堝轉速度等參數(shù)由設定的SOP工藝表自動控制；若出現(xiàn)水流量低報警，系統(tǒng)會在30秒內自動關閉加熱器電源，此時需迅速檢查原因。4、熔料三、單晶拉制(lāzhì)12精品資料由于加熱器在中部的位置溫度最高，導致在中部的硅料會首先熔化，熔化后的硅料會沿著坩堝壁流到溫度比較低的坩堝底部并二次結晶，結晶后的硅料體積膨脹（液態(tài)硅的密度小于固態(tài)硅），如果不及時升堝位使坩堝底部進入(jìnrù)高溫區(qū)，二次結晶的硅料就會越來越多的聚集在堝底，膨脹后撐裂石英坩堝。所以我們要分步驟進行化料，及時升堝位。由于難以預計何時塌料（塌料后才能升堝位），我們現(xiàn)在實行半自動化料，即開始時進行自動化料，然后當功率升到100KW時退出到手動狀態(tài)?；蠒r，要注意觀察：1）堝轉是否正常2）是否有打火現(xiàn)象3）塌料并及時升堝位三、單晶拉制(lāzhì)13精品資料熔料過程中若出現(xiàn)電極故障報警，馬上觀察加熱器電流和功率是否發(fā)生跳變，如不跳變，繼續(xù)熔料。若發(fā)生跳變，如果熔料時間長，繼續(xù)熔料，如果熔料時間短，停功率等爐子冷卻下來后打開爐蓋檢查。熔料中的注意事項：由于每次的熔料情況都有可能不同，使得堝位參數(shù)不好設置，因此不要試圖通過設置工藝參數(shù)讓控制系統(tǒng)自動提升堝位，還是需要操作者觀察爐內情況手動提升坩堝。如果不及時把坩堝升上來，料塊的主體部分處于低溫區(qū)，會增加熔料時間，也就增加了硅液與石英(shíyīng)堝的反應時間，不利于坩堝的保護。而且堝底長期處于低溫區(qū)，增加了漏硅的幾率。因此要求操作者及時注意熔料情況，隨著料的垮塌手動提升堝位，但應保證料與導流筒之間的安全距離。不能一次性把坩堝升降太多，會使熔料溫度出現(xiàn)大幅變化產(chǎn)生硅跳。熔料過程(guòchéng)（注意事項）三、單晶拉制14精品資料整個熔料過程中，都要有防范漏硅的意識。由于每次裝料情況不同，因此熔料過程中操作人員不能離開爐臺(lútái)，要隨時觀察情況，及時處理掛邊、搭橋、漏硅及其他意外事故。為防范漏硅，平時就應該積累以下經(jīng)驗：高溫多少時間會垮料，這時液面在什么位置。判斷漏硅的跡象除了溶液出現(xiàn)的時間、溶液的高度外，還可以查看加熱電流是否穩(wěn)定，因為漏硅會造成打火；波紋管的溫度是否升高等；出現(xiàn)掛邊時，應按情況區(qū)分處理：a、應該在坩堝中心的料未化完時，就將掛邊處理掉。因此，當料剛剛全部垮下時，就要注意觀察有無掛邊的可能。如果有應將堝位降到較低的位置，使掛邊料處于加熱器縱向的中心位置（高溫區(qū)）進行烘烤。在處理掛邊料時，功率要適當升高；三、單晶拉制(lāzhì)15精品資料b、如果所有的料都化完了，仍有較大的掛邊（小塊的在收尾時不致碰到導流筒的不必處理），這時即使有跳料和刮石英片的危險，還是要把堝位降低，停堝轉，升高功率，將掛邊化掉。一般情況下，在還未到嚴重跳料時掛邊就能被處理掉。一旦掛邊搭橋消失，快速降溫，避免產(chǎn)生硅跳。注意：熔掛邊料容易造成石英坩堝損壞:把石英片刮下來,石英坩堝腐蝕歷害,造成含氧高,雜質在熔料濃度增加,石英片在引晶、放肩、轉肩、等徑過程可能粘接在晶體表面。（石英片一般都會沾在石英坩堝邊上(biānshànɡ)）c、以上是一般的處理方法，具體情況下，需要現(xiàn)場分析，隨機應變。全熔后要求仔細觀察液面有無雜質，石英坩堝有無不良反映。如發(fā)現(xiàn)液面上渣子比較多時，應及時降功率，降籽晶進行提渣。確認粘渣牢固，打開關閉翻板閥要確認籽晶位置具體操作參考《粘渣工藝規(guī)定》三、單晶拉制(lāzhì)16精品資料按【工藝選擇】按鈕進入工序選擇界面。選擇【穩(wěn)定化/熔接】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉至熔接工序界面并運行熔接工序。程序將相繼打開“熱場控制”、“液面溫控”控制閉環(huán)并在操作界面加色顯示，通過閉環(huán)控制將硅液、熱場溫度自動調整到適合熔接/引晶時的工藝設定溫度。注意：新的熱系統(tǒng)首次投料生產(chǎn)或者生產(chǎn)工藝更改投料量、引晶堝位、坩堝轉速等工藝參數(shù)時，須在手動控制狀態(tài)下憑經(jīng)驗觀察熔接光圈找到合適(héshì)的引晶溫度，進入【輔助功能】操作主界面將當前熱場溫度SP值校正為1300，將液面溫度SP值校正為1450。標準的熱場溫度為1300SP標準的液面溫度為1450℃。5、熔接(rónɡjiē)（穩(wěn)溫）三、單晶拉制17精品資料注意：過程中嚴密注意觀察，時刻關注堝位和液面變化情況，發(fā)現(xiàn)異常，即時切換至手動狀態(tài)查明原因解決問題后再繼續(xù)執(zhí)行工序，絕對避免液面碰觸導流筒等危險事故發(fā)生。穩(wěn)溫堝位要求：低于導流筒15-25mm。液面溫度穩(wěn)定在工藝設定溫度且溫度偏差不大于工藝要求偏差，程序自動執(zhí)行熔接工序。注意：熔接前應該將上一爐縮頸(suōjǐnɡ)所引出的細頸回熔。熔接時自動開晶轉為工藝表設定轉速，且按設定參數(shù)逐步下降籽晶直至籽晶與硅液接觸熔接。如果溫度過低，籽晶會沿液面凝固，溫度過低熔接不充分縮頸(suōjǐnɡ)后將很難生長出合格的單晶；如果溫度過高又會熔斷籽晶。三、單晶拉制(lāzhì)18精品資料注意：自動工序過程中時刻關注熔接情況，防止溫度過高不斷將籽晶熔斷導至籽晶全部熔化甚至將籽晶夾頭浸入硅液。為有效防止此事故發(fā)生，需根據(jù)新籽晶首次接觸液面時晶體的位置以及所使用的籽晶長度在熔接工藝表內設置好籽晶最小位置值。如果溫度設置正確(zhèngquè)，籽晶將與硅液充分熔接且長時間保持即不生長又不溶化的狀態(tài)，達到這種狀態(tài)后就可以開始單晶生長過程的引晶階段。要讓單晶正常生長，引晶溫度至關重要，控制合適的引晶溫度需要有一定的拉晶經(jīng)驗，以下介紹尋找合適的引晶溫度的辦法：如果這個爐子在上一爐引晶時已經(jīng)把輔助功能里的液面溫度進行了校正，那么很簡單，把操作界面里的液面溫控環(huán)打上ON，由控制系統(tǒng)自動控制液面溫度到以前引晶的溫度。如果需要手動找引晶溫度，就要觀察籽晶和熔硅接觸后的情況，如發(fā)現(xiàn)接種后籽晶周圍馬上出現(xiàn)光圈，而且光圈抖動厲害，最后熔斷，說明溫度偏高，應適當降溫，由于加熱器保溫系統(tǒng)的惰性，需要等待溫度穩(wěn)定后再試。三、單晶拉制(lāzhì)19精品資料如果籽晶接種后周圍出現(xiàn)一片白色結晶，而且越來越大，說明熔硅溫度偏低，應立即升溫。此時也有可能籽晶和夾頭預熱不夠，籽晶和夾頭還很冷而導致(dǎozhì)結晶。這就需要判斷是否有充足的預熱過程。合適的引晶溫度是在籽晶熔接好后，籽晶周圍逐漸出現(xiàn)光圈，并出現(xiàn)均勻分布的白點（如<100>晶向為4個點），最后光圈變圓，說明引出的是單晶，溫度也是合適的。三、單晶拉制(lāzhì)20精品資料在熔接工序界面按【工藝選擇】按鈕進入工序選擇界面；選擇【自動引晶】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉至引晶工序界面并運行細頸生長工序；程序自動退出“液面溫控”控制閉環(huán)并開晶體慢速提升按工藝設定的時間、提升速度準備縮頸；引晶開始程序將自動打開“等徑控制”、“生長控制”控制閉環(huán)并在操作界面加色顯示，前者控制細頸生長直徑，后者控制細頸生長過程的溫度補償；注意：（1）引晶直徑與長度要求以有效排除位錯為準，通常直徑要求在4.5mm~5.5mm，細頸有效長度不少于所拉制單晶的一個直徑，適當增加引晶長度不僅有利于位錯的排除，對液面溫度的穩(wěn)定也有一定(yīdìng)的幫助，可提高放肩成功率。6、引晶三、單晶拉制(lāzhì)21精品資料引晶的過程就是通過調節(jié)拉速和溫度使細頸保持均勻且直徑大小合適。引晶目的：隨著細頸生長，位錯會向晶體表面移動，從而(cóngér)排除機械熱沖擊產(chǎn)生的位錯。因熱場大，溫度反應慢，當拉速提到較高值時，要適當升溫，為放肩做準備。引晶的平均速度應控制在200~300mm/hr之間，過慢不能排除位錯，過快則放肩時易放飛（長的太快，直邊長度大于圓弧長度），容易導致單晶半途斷苞。細頸有效長度達到工藝設定長度后，信息欄提示工序完成信息并蜂鳴器報警，引晶工序結束。接觸液面時產(chǎn)生的位錯線三、單晶拉制(lāzhì)22精品資料在引晶工序界面(jièmiàn)按【工藝選擇】按鈕進入工序選擇界面(jièmiàn)；選擇【放肩】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉至放肩工序界面(jièmiàn)并運行放肩工序；程序將自動退出“等徑控制”、“生長控制”控制閉環(huán)，按工藝設定晶體提升速度進行放肩生長；注意：放肩至快接近轉肩啟動直徑時應使用測徑儀測量實際直徑，然后進入輔助功能操作界面(jièmiàn)將CCD掃描測量的直徑值校正為測徑儀測量的實際直徑。放肩直徑到工藝設定轉肩啟動直徑時信息欄提示工序完成信息并蜂鳴器報警，放肩工序結束。注意：轉肩啟動直徑根據(jù)前幾爐轉肩后直徑來決定，比如前一爐在轉肩完成時比設定直徑小2mm，那么這次轉肩啟動直徑就應比上一爐大2mm。7、放肩三、單晶拉制(lāzhì)23精品資料放肩：適當降低溫度與拉速，使晶體慢慢放大至目標(mùbiāo)直徑大小。分析(fēnxī)影響肩部生長的因素：溫度的影響拉速的影響三、單晶拉制24精品資料在放肩工序界面按【工藝選擇】按鈕進入工序選擇界面；選擇【轉肩】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉至轉肩工序界面并運行轉肩工序；程序將自動打開“坩堝跟蹤”控制閉環(huán)并根據(jù)工藝設定提高晶體拉速；注意(zhùyì)：拉晶過程中爐內硅液液面高度應保持恒定，當熔液逐漸減少時坩堝應逐漸升高且坩堝升高的距離應該等于液面下降的距離，通過坩堝跟蹤控制閉環(huán)以及設定的堝跟比值可確保爐內液面高度保持恒定。

8、轉肩三、單晶拉制(lāzhì)25精品資料在轉肩工序界面按【工藝選擇】按鈕進入工序選擇界面；選擇【等徑】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉至等徑工序界面并運行等徑工序；程序將自動打開(dǎkāi)“等徑控制”閉環(huán)，等徑長度達到工藝設定生長控制1打開(dǎkāi)長度時，程序自動打開(dǎkāi)“生長控制”閉環(huán)；剛進入等徑程序時應使用測徑儀量取晶棒直徑，若測量直徑與CCD掃描直徑偏差，則需退出等徑控制閉環(huán)，進入輔助功能操作界面將CCD掃描直徑校正為測徑儀測量直徑，之后手動打開(dǎkāi)等徑控制環(huán)；等直徑生長是一個長時間的工序過程，必須經(jīng)常關注氬氣壓力、氬氣流量、爐內壓力、節(jié)流閥開度、拉速、晶轉、堝轉、冷卻水等設備運轉情況。9、等徑三、單晶拉制(lāzhì)26精品資料合適的轉肩直徑和拉速的合理調節(jié)是轉肩成功的關鍵(guānjiàn).等徑：放肩到目標直徑大小后，通過拉速、溫度的控制，將晶體直徑控制在目標直徑范圍內。等徑時要看什么：1、是否斷苞2、直徑確認3、拉速，加熱溫度是否變化(biànhuà)異常4、堝位5、晶體是否晃動三、單晶拉制27精品資料當晶體重量達到收尾啟動重量，信息欄提示等徑完成提示信息并蜂鳴器報警時，在等徑工序界面按【工藝選擇】按鈕進入工序選擇界面；選擇【收尾】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉至收尾工序界面并運行收尾工序；程序將退出“等徑控制”、“生長控制”、“坩堝跟蹤”控制閉環(huán)，自動狀態(tài)下拉速與溫度補償由程序工藝參數(shù)控制；認真(rènzhēn)觀察光圈變化，發(fā)現(xiàn)異常應手動調節(jié)拉速及溫度，避免堝邊結晶或收尖前拉斷。注意：收尾是為了排除位錯，收尾錐型要求均勻，尾錐必須收尖。過程中堝邊結晶嚴重有安全隱患的則可吊斷避免發(fā)生事故。收尾要求：具體參照《收尾暫行規(guī)定》10、收尾(shōuwěi)三、單晶拉制28精品資料收尾完畢，在收尾工序界面按【工藝選擇】按鈕進入工序選擇界面；選擇【停爐】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉至停爐工序界面并運行停爐工序；程序將退出“熱場溫度”控制閉環(huán)并下降加熱器給定功率至零，控制系統(tǒng)報警并提示關閉加熱器。按“加熱器關”按鈕關閉加熱電源；根據(jù)工藝要求，程序按設定參數(shù)自動下降堝位25~50㎜，關堝轉、晶轉并以給定的冷卻時拉速緩慢提升晶體；停功率冷卻3~4小時后程序自動退出“壓力控制”閉環(huán)，關氬氣閥將爐內壓力抽至極限真空進行熱檢漏；檢漏合格,按“主真空泵關”按鈕停機械泵，繼續(xù)冷卻2小時后打開爐子取出晶體。注意：過程中不允許切斷(qiēduàn)冷卻水，否則爐內余熱可能損壞爐體部件。三、停爐、冷卻(lěngquè)29精品資料晶體生長過程中如需要取出一段已生長的單晶，剩余硅液繼續(xù)進行生長，則必須進行中途取晶操作：單晶冷卻:在取出單晶前，晶體應逐步冷卻，以防止晶體裂開。將等徑控制、熱場控制、坩堝跟蹤控制環(huán)全部退到OFF，放慢堝轉到2rpm，并將加熱功率適當升高；快速下降坩堝20-30mm，使晶體脫離液面；將晶升速度調整到180mm/hr，慢速提升晶體使之逐步冷卻，保持30分鐘后，將晶升速度加到360mm/hr，保持30分鐘之后，將晶升速度加到500mm/hr，保持60分鐘。最后將晶體提升到副室內。隔離：確認晶體全部進入副室，按【工藝選擇】按鈕進入工序(gōngxù)選擇界面；選擇四、中途(zhōngtú)取晶操作1、中途取晶30精品資料【隔離】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉至隔離工序界面并運行隔離工序；按屏幕提示關閉翻板閥至“隔離閥關”行程開關動作；快充氬氣充開副室，最后取出晶體。注意：翻板閥關閉后“隔離閥關”行程開關不動作，程序將無法(wúfǎ)自動切換各氬氣閥開關，隔離工序也將無法(wúfǎ)正常運行。副室凈化：取出晶體后，檢查好籽晶、鋼絲繩。將籽晶、爐蓋上的密封圈、插板閥等擦拭干凈，合好副室；將籽晶提升進副室；打開“副真空泵開”按鈕，在隔離工序主界面按【工藝選擇】按鈕進入工序選擇界面；四、中途(zhōngtú)取晶操作2、隔離31精品資料選擇【副室凈化】按鈕確定后系統(tǒng)跳轉至副室凈化工序界面并運行凈化工序；控制系統(tǒng)自動進行副室清洗，信息欄提示凈化完成可以打開隔離閥提示信息并蜂鳴器報警時，打開翻板閥至“隔離閥開”行程開關動作；關閉輔助真空泵。注意：自動隔離后程序自動更改投料量為剩料重量。正常情況，二節(jié)引晶堝位為一節(jié)隔離時堝位，即隔離取晶后要求堝位不變。回熔：1）引晶拉斷、放肩時斷棱或者等徑時斷苞，切換(qiēhuàn)至手動狀態(tài)，關閉等徑控制、熱場控制、坩堝跟蹤控制環(huán)，準備回熔；2）升高加熱器功率，降低堝轉至1-2轉，緩慢停晶轉，下降坩堝。坩堝位置以液面進入高溫區(qū)為宜；3）逐漸將晶棒降到液面以下回熔，一次不可降太多，等液體里的固體棒溶完后方可再下降一些。如果降得過快，會使固體棒子頂?shù)绞③釄宓撞?，造成事故。四、中?zhōngtú)取晶操作3、副室凈化、回熔32精品資料331）發(fā)生停水或水壓報警時，先確認水壓表是否偏低，水管和爐筒溫度是否明顯升高?？焖偬嵘w或籽晶，使晶體或籽晶脫離液面150mm。關閉加熱功率。在控制柜面板上將單晶生長各個模塊關閉，使其處于手動狀態(tài)。降低堝位到熔料堝位，關閉堝轉。2）停水后水壓恢復。冷卻水恢復供應時，監(jiān)控水壓，有異常立即報告管理人員。水壓恢復時，爐內無嚴重氧化現(xiàn)象，熔體未結晶或已結晶但液面結晶小于10分鐘且石英坩堝未破裂，按加熱功率開，調節(jié)功率到熔料功率。啟動堝轉，設定(shèdìnɡ)為1轉/分。熔化結晶面，在此期間應密切關注爐內有無嚴重氧化現(xiàn)象，注意硅料液面熔化情況，一旦發(fā)生嚴重氧化現(xiàn)象、硅液面下降，立即停爐并上報管理人員。待結晶全熔后，手動調節(jié)功率為引晶功率，溫度穩(wěn)定后，開始引晶。3）停水后水壓無法恢復，或恢復時熔體已結晶大于10分鐘。在熔體結晶30分鐘時，快速提升坩堝，使坩堝頂起導流筒100mm。停爐，充分冷卻后拆爐五、常見(chánɡjiàn)異常1、停水精品資料341）若單晶爐工作時，加熱部分停電。在控制柜面板上將單晶生長各個模塊關閉，使其處于手動狀態(tài)。降低堝位到熔料堝位。關閉堝轉。加熱部分恢復時，若時間較短（液面未結晶或液面已結晶但小于10分鐘且石英坩堝未破），按加熱功率開，將功率升至熔料功率。啟動堝轉，設定為1轉/分。熔化結晶面，在此期間應密切注意硅料液面熔化情況，一旦發(fā)生硅液面下降，立即停爐并上報管理人員。待結晶全熔后，手動調節(jié)(tiáojié)功率為引晶功率，溫度穩(wěn)定后，開始引晶。加熱部分恢復時，若停電時間較長（液面結晶已經(jīng)大于10分鐘或石英坩堝破裂），快速提升晶體或籽晶，使晶體或籽晶脫離液面150mm。在熔體結晶30分鐘時，快速提升坩堝，使坩堝頂起導流筒，但不要離水冷套過近，避免損壞導流筒。停爐，充分冷卻后拆爐。五、常見(chánɡjiàn)異常2、停電精品資料352）若爐子工作時，加熱電源、控制電源同時斷電立即關閉抽空閥門。手動搖手柄降低堝位使晶棒與硅液脫離。同時將氬氣流量調為最大，充氬氣至-0.05MPa左右，關閉氬氣。電源恢復時，立即開真空泵，待半分鐘后開抽空閥門，將氬氣流量恢復正常。若時間較短（液面未結晶或液面已結晶但小于10分鐘且石英坩堝未破），按加熱功率開，將功率升至熔料功率。啟動堝轉，設定(shèdìnɡ)為1轉/分。若晶體或籽晶與液面結晶在一起，則要等晶體或籽晶與液面結晶面熔化并脫離后方可啟動。熔化結晶面，在此期間應密切注意硅料液面熔化情況，一旦發(fā)生硅液面下降，立即停爐并上報管理人員。待結晶全熔后，手動調節(jié)功率為引晶功率，溫度穩(wěn)定后，開始引晶。若停電時間較長（液面結晶已經(jīng)大于10分鐘或石英坩堝破裂），快速提升晶體或籽晶，使晶體或籽晶脫離液面150mm。在熔體結晶30分鐘時，快速提升坩堝，使坩堝頂起導流筒100mm。停爐，充分冷卻后拆爐。五、常見(chánɡjiàn)異常精品資料363、石英坩堝裂開或漏硅觀察爐內硅液