GB/T 30110-2013空間紅外探測(cè)器碲鎘汞外延材料參數(shù)測(cè)試方法

ICS49060

H80.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30110—2013

空間紅外探測(cè)器碲鎘汞外延材料

參數(shù)測(cè)試方法

Measuringmethodsofparametersof

HgCdTeepilayersusedforspaceinfrareddetectors

2013-12-17發(fā)布2014-05-15實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T30110—2013

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

符號(hào)和說明

4………………3

材料參數(shù)測(cè)試方法

5………………………4

組分與厚度測(cè)試

5.1……………………4

表面晶向測(cè)試

5.2………………………8

晶格常數(shù)測(cè)試

5.3………………………9

表面平整度測(cè)試

5.4……………………10

表面粗糙度測(cè)試

5.5……………………12

材料電學(xué)參數(shù)測(cè)試

5.6…………………13

少數(shù)載流子壽命測(cè)試

5.7………………16

位錯(cuò)密度測(cè)試

5.8………………………18

表面缺陷密度測(cè)試

5.9…………………20

射線雙晶衍射半峰寬測(cè)試

5.10X……………………20

射線形貌測(cè)試

5.11X…………………22

材料性能非均勻性測(cè)試

5.12…………23

空間環(huán)境下材料抗輻照性能測(cè)試方法

6…………………24

試驗(yàn)條件

6.1……………24

材料抗輻照性能參數(shù)測(cè)試

6.2…………24

材料參數(shù)的精密度精確度和不確定度測(cè)試方法

7、……………………24

測(cè)試設(shè)備要求

8……………24

附錄規(guī)范性附錄材料的光學(xué)常數(shù)

A()…………………25

附錄規(guī)范性附錄縱向組分梯度分布的碲鎘汞外延材料透過率T+和反射率R-的計(jì)算

B()aa……26

附錄資料性附錄激光干涉儀原理

C()…………………29

附錄資料性附錄位錯(cuò)密度測(cè)量值的標(biāo)準(zhǔn)均方差與腐蝕坑計(jì)數(shù)平均值的關(guān)系

D()…30

參考文獻(xiàn)

……………………31

GB/T30110—2013

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)空間科學(xué)及其應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC312)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所中國(guó)電子科技集團(tuán)第十一研究所中國(guó)兵器工

:、、

業(yè)集團(tuán)昆明物理研究所

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人楊建榮周立慶魏彥鋒折偉林孫士文陳路王金義何力

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T30110—2013

空間紅外探測(cè)器碲鎘汞外延材料

參數(shù)測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了空間紅外探測(cè)器用碲鎘汞外延材料性能參數(shù)的測(cè)試方法和測(cè)試設(shè)備

(HgCdTe)

要求

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于空間紅外探測(cè)器用碲鎘汞外延材料的參數(shù)測(cè)試其他用途的碲鎘汞外延材料參數(shù)的

,

測(cè)試可參照使用

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

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GJB1485、

測(cè)量設(shè)備的質(zhì)量保證要求計(jì)量確認(rèn)體系

GJB2712

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

襯底substrate

為外延提供周期性排列的表面原子結(jié)構(gòu)的單晶材料

。

32

.

外延材料epitaxialmaterial

在單晶襯底上用氣相和液相等生長(zhǎng)方法獲得的單晶薄膜材料

。

33

.

液相外延liquidphaseepitaxyLPE

;

把半導(dǎo)體材料溶解在溶劑中