GB/T 4326-2006非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法

ICS77.040.01H17中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T4326-一2006代替GB/T4326-1984非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法ExtrinsicsemiconductorsinglecrystalsmeasurementofHallmobilityandHallcoefficient2006-07-18發(fā)布2006-11-01實(shí)施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T4326—2006本標(biāo)準(zhǔn)是對GB/T4326-1984《非本征半導(dǎo)體單品霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法》的修訂。本標(biāo)準(zhǔn)是在原標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)上.參考ASTMF76標(biāo)準(zhǔn)編制的本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比主要變動(dòng)如下：-在測量范圍條款列舉的材料中增加了磷化鏢單品材料，擴(kuò)大了本標(biāo)準(zhǔn)的適用范圍：增增加了附錄A·在附錄A中列出／因子數(shù)值表，用于電阻率計(jì)算；增加了原理?xiàng)l款，簡述了測量原理；在樣品制備條款中規(guī)定樣品切片必須經(jīng)過研磨.以消除機(jī)械損傷。取消了原標(biāo)準(zhǔn)中用洗滌劑或有機(jī)溶劑清洗樣品的規(guī)定：改變了用于砷化家樣品的腐蝕液：增加了規(guī)定磷化緣樣品腐蝕方法的條款；規(guī)定了配制腐蝕液的化學(xué)試劑的純度等級修改了砷化鏢樣品的電極制備方法.取消了腐蝕過程，改變了燒結(jié)條件;增加了規(guī)定磷化鏢樣品電極制備方法的條款;改了對薄片試樣接觸尺寸線的要求，由線度不大于0.01L.改位不大于0.02L.;在電極制備設(shè)備條款中提出對燒結(jié)爐的要求：取消了原標(biāo)準(zhǔn)中電子設(shè)備條款下規(guī)定轉(zhuǎn)換開關(guān)裝置和品體管圖示儀的子條目：取消了原標(biāo)準(zhǔn)中的環(huán)境控制裝置條款，保留了其中關(guān)于試樣架的部分內(nèi)容.改寫為5.6條；取消了原標(biāo)準(zhǔn)中定位裝置條款：改寫了原標(biāo)準(zhǔn)測量程序條款中表述測量步驛的部分，修正了原標(biāo)準(zhǔn)中的文法錯(cuò)誤和表述不確切的地方：-改寫了原標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定測試報(bào)告的條款本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A為資料性附錄。本標(biāo)準(zhǔn)自實(shí)施之日起代替GB/T4326-1984本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)由北京有色金屬研究總院負(fù)責(zé)起草。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：王彤涵。本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)負(fù)責(zé)解釋本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：GB/T4326-1984

GB/T4326—2006非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的測量方法適用于測量非本征半導(dǎo)體單品材料的霍爾系數(shù)、載流子霍爾遷移率、電阻率和載流子濃皮。本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的測量方法僅在有限的范圍內(nèi)對錯(cuò)、硅、砷化鏢和磷化家單品材料進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)室測量但該方法也可適用于其他半導(dǎo)體單品材料，一般情況下，適用于室溫電阻率高達(dá)10·Q·cm半導(dǎo)體單品材料的測試、術(shù)語和定義以下術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)21電阻率resistivity電阻率是材料中平行于電流的電位梯度與電流密度之比。電阻率應(yīng)在零磁通下測量。電阻率是材料參數(shù)中可直接測量的量。在具有單一類型載流子的非本征半導(dǎo)體材料中，電阻率與材料基本參數(shù)的關(guān)系如下：P=（1）···················（1）式中：-電阻率··cmi載流子濃度·Cm-；九電子電荷值，C(庫侖)；-載流子遷移率，cm'/（V·s）、必須指出.對于本征半導(dǎo)體和某些型半導(dǎo)體如力Ge(存在兩種空穴).式（1)顯然不適用.而必須采用如下關(guān)系式：式中：表示第;種載流子相關(guān)的量。2.2霍爾系數(shù)hallcoefficient在半導(dǎo)體單品材料試樣上同時(shí)加上互相垂直的電場和磁場.則試樣中的載流子將在第3個(gè)互相垂直的方向上偏轉(zhuǎn),在試樣兩側(cè)建立橫向電場，稱之為霍爾電場,見圖1?；魻栂禂?shù)是