標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 4326-1984 非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測(cè)量方法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，旨在規(guī)范非本征半導(dǎo)體單晶材料中霍爾遷移率及霍爾系數(shù)的測(cè)量過程。該標(biāo)準(zhǔn)適用于研究與開發(fā)領(lǐng)域內(nèi)對(duì)半導(dǎo)體材料性能進(jìn)行表征時(shí)使用的技術(shù)人員。

根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn)，霍爾效應(yīng)是指當(dāng)電流通過置于磁場(chǎng)中的導(dǎo)體或半導(dǎo)體時(shí)，在垂直于電流方向和磁場(chǎng)方向上會(huì)產(chǎn)生一個(gè)橫向電場(chǎng)的現(xiàn)象?；谶@一原理，可以測(cè)定樣品的載流子濃度、類型（n型或p型）以及遷移率等重要參數(shù)。標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)描述了實(shí)驗(yàn)所需設(shè)備、測(cè)試條件設(shè)置、樣品準(zhǔn)備步驟、數(shù)據(jù)采集方法以及計(jì)算公式等方面的內(nèi)容。

在具體操作流程方面，首先需要制備符合要求的樣品，并確保其表面清潔無污染；然后將樣品放置于特定夾具中并連接至測(cè)量電路；接著施加恒定且均勻的磁場(chǎng)，并通過樣品通入穩(wěn)定電流；最后記錄下此時(shí)產(chǎn)生的霍爾電壓值。重復(fù)上述過程以獲得不同磁場(chǎng)強(qiáng)度下的多組數(shù)據(jù)點(diǎn)。利用這些數(shù)據(jù)結(jié)合相關(guān)物理公式即可求得待測(cè)樣品的霍爾系數(shù)和載流子遷移率。

整個(gè)測(cè)量過程中需要注意控制環(huán)境溫度、避免外界電磁干擾等因素的影響，同時(shí)對(duì)于不同類型的半導(dǎo)體材料可能還需要調(diào)整某些具體的實(shí)驗(yàn)參數(shù)來保證結(jié)果準(zhǔn)確性。此外，該標(biāo)準(zhǔn)還提供了誤差分析的方法，幫助研究人員評(píng)估測(cè)量精度并對(duì)結(jié)果做出合理解釋。


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  • 1984-04-12 頒布
  • 1985-03-01 實(shí)施
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GB/T 4326-1984非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測(cè)量方法_第1頁
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GB/T 4326-1984非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測(cè)量方法-免費(fèi)下載試讀頁

文檔簡(jiǎn)介

UDC621.315.592:621.317.3中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB4326-84非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測(cè)量方法ExtrinsicsemiconductorsingleeCrystals-measurementofHallmobilityandHallcoeffictent1984-04-12發(fā)布1985-03-01實(shí)施家標(biāo)準(zhǔn)局批準(zhǔn)

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)UDC621.315非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和.592:621.317.8GB4326-84霍爾系數(shù)測(cè)量方法ExtrinsicsemiconductorsingleCrystals-measurementofHallmobilityandHallcoerficient本標(biāo)準(zhǔn)適用于在非本征半導(dǎo)體單晶試樣中確定載流子霍爾遷移率。為獲得霍爾遷移率必須測(cè)量電阻率和霍爾系數(shù)，因此本標(biāo)準(zhǔn)也分別適用于這些參數(shù)的測(cè)量。本方法僅在有限的范圍內(nèi)和對(duì)錯(cuò)、硅和砷化欽進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，但該方法也可適用于其他半導(dǎo)體單晶材料。所述的測(cè)量技術(shù)至少適用于室溫電阻率高達(dá)10"Qcm的試樣。1術(shù)語1.1電阻率1.1.1電阻率是材料中平行于電流的電位梯度與電流密度之比。電阻率應(yīng)在零磁通下測(cè)定。11.1.2電阻率是材料中直接測(cè)量的址。在具有單一類型載流子的非本征半導(dǎo)體中，電阻率與材料基本參數(shù)的關(guān)系如下：p=（neu）-！（1）式中：p一電阻率，.cmi載流子濃度，cm-3電子電荷值，C；-載流子遷移率，cm2/V·s。必須指出，對(duì)于本征半導(dǎo)體和某些P型半導(dǎo)體如P-Ge（存在兩種空穴)，式（1）顯然是不適用的，而必須采用如下關(guān)系式：P-二（meui）-（2）式中心和4,表示第；種載流子相關(guān)的量。1.2蛋爾系數(shù)在各向同性的固體上同時(shí)加上互相垂直的電場(chǎng)和磁場(chǎng)，1.2.1則載流子在第三個(gè)互相垂直的方向上偏轉(zhuǎn)，在試樣兩側(cè)建立橫向電場(chǎng)，稱

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