標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 32282-2015 氮化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)量 陰極熒光顯微鏡法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，專(zhuān)門(mén)針對(duì)氮化鎵（GaN）單晶材料中位錯(cuò)密度的測(cè)定方法進(jìn)行了規(guī)定。該標(biāo)準(zhǔn)采用了陰極熒光顯微鏡技術(shù)作為主要手段來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)位錯(cuò)密度的定量分析。陰極熒光顯微鏡能夠通過(guò)觀察樣品在電子束激發(fā)下發(fā)出的熒光強(qiáng)度分布情況，從而間接反映出晶體內(nèi)部缺陷的狀態(tài)。

標(biāo)準(zhǔn)首先明確了適用范圍，指出其適用于采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法或氫化物氣相外延法制備的氮化鎵單晶片。接著，詳細(xì)描述了實(shí)驗(yàn)所需設(shè)備條件，包括但不限于陰極熒光顯微鏡、掃描電鏡等，并且對(duì)這些儀器的具體參數(shù)提出了要求。此外，還列舉了進(jìn)行測(cè)試時(shí)所需要的輔助工具和試劑。

對(duì)于樣品準(zhǔn)備過(guò)程，《GB/T 32282-2015》給出了具體指導(dǎo)，包括取樣位置的選擇、表面處理方式等，以確保所測(cè)得的數(shù)據(jù)具有代表性。同時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)也強(qiáng)調(diào)了如何正確設(shè)置陰極熒光顯微鏡的工作參數(shù)，比如加速電壓、電流密度等，以便獲得清晰準(zhǔn)確的圖像信息。

在數(shù)據(jù)采集與處理方面，文件說(shuō)明了如何從陰極熒光圖像中識(shí)別出代表位錯(cuò)的特征信號(hào)，并提供了計(jì)算位錯(cuò)密度的方法。這通常涉及到統(tǒng)計(jì)一定區(qū)域內(nèi)亮點(diǎn)的數(shù)量，并將其轉(zhuǎn)換為單位面積上的位錯(cuò)數(shù)目。最后，為了保證測(cè)量結(jié)果的一致性和可比性，《GB/T 32282-2015》還制定了一系列的質(zhì)量控制措施，包括重復(fù)性試驗(yàn)、再現(xiàn)性試驗(yàn)等，以及相應(yīng)的評(píng)判標(biāo)準(zhǔn)。

該標(biāo)準(zhǔn)為氮化鎵單晶材料的研究開(kāi)發(fā)及質(zhì)量控制提供了科學(xué)依據(jù)和技術(shù)支持。


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....

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  • 2015-12-10 頒布
  • 2016-11-01 實(shí)施
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GB/T 32282-2015氮化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)量陰極熒光顯微鏡法_第1頁(yè)
GB/T 32282-2015氮化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)量陰極熒光顯微鏡法_第2頁(yè)
GB/T 32282-2015氮化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)量陰極熒光顯微鏡法_第3頁(yè)
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GB/T 32282-2015氮化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)量陰極熒光顯微鏡法-免費(fèi)下載試讀頁(yè)

文檔簡(jiǎn)介

ICS77040

H21.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T32282—2015

氮化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)量

陰極熒光顯微鏡法

TestmethodfordislocationdensityofGaNsinglecrystal—

Cathodoluminescencespectroscopy

2015-12-10發(fā)布2016-11-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T32282—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所蘇州納維科技有限公司

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人曾雄輝張燚董曉鳴牛牧童劉爭(zhēng)暉邱永鑫王建峰徐科

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T32282—2015

氮化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)量

陰極熒光顯微鏡法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用陰極熒光顯微鏡法測(cè)試氮化鎵單晶位錯(cuò)密度的方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于位錯(cuò)密度在3個(gè)28個(gè)2之間的氮化鎵單晶中位錯(cuò)密度的測(cè)試

1×10/cm~5×10/cm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所用的修改單適用于本文件

。,()。

硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

GB/T1554

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

微束分析掃描電鏡圖像放大倍率校準(zhǔn)導(dǎo)則

GB/T27788

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

陰極熒光cathodoluminescence

材料在陰極射線電子束激發(fā)下產(chǎn)生發(fā)光的一種物理現(xiàn)象

()。

32

.

輻射復(fù)合radiativerecombination

電子從高能態(tài)到低能態(tài)的躍遷過(guò)程中電子和空穴復(fù)合時(shí)會(huì)釋放一定的能量能量以光子的形式

,,

釋放

。

33

.

非輻射復(fù)合nonradiativerecombination

電子從高能態(tài)到低能態(tài)的躍遷過(guò)程中電子和空穴復(fù)合時(shí)會(huì)釋放一定的能量能量以除光子輻射之

,,

外的其他形式釋放

。

4方法提要

通常待測(cè)發(fā)光材料樣品在電子束的作用下會(huì)被激發(fā)出各種信號(hào)如二次電子信號(hào)背散射電子信

,,,、

號(hào)射線信號(hào)陰極熒光信號(hào)等采用特定的探測(cè)器對(duì)上述信號(hào)進(jìn)行分別接收便可得到反映樣品相

、X、。,

應(yīng)特征的圖像對(duì)陰極熒光信號(hào)主要采用光電倍增管來(lái)探測(cè)將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電流最后以圖像輸出

。,,。

陰極熒光圖像上的襯度反映了樣品不同區(qū)域發(fā)光的強(qiáng)弱

。

位錯(cuò)通常是氮化鎵單晶中的非輻射復(fù)合中心因此會(huì)在陰極熒光圖像上表現(xiàn)為暗點(diǎn)陰極熒光顯微

,,

鏡的空間分辨率可達(dá)到幾十納米

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