GB/T 34326-2017表面化學(xué)分析深度剖析AES和XPS深度剖析時離子束對準(zhǔn)方法及其束流或束流密度測量方法

ICS7104040

G04..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T34326—2017/ISO165312013

:

表面化學(xué)分析深度剖析AES和

XPS深度剖析時離子束對準(zhǔn)方法及其

束流或束流密度測量方法

Surfacechemicalanalysis—Depthprofiling—Methodsforionbeam

alignmentandtheassociatedmeasurementofcurrentorcurrentdensity

fordepthprofilinginAESandXPS

(ISO16531:2013,IDT)

2017-09-29發(fā)布2018-08-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T34326—2017/ISO/165312013

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語定義符號和縮略語

3、、………………1

系統(tǒng)要求

4…………………2

離子束對準(zhǔn)方法

5…………………………3

何時進行離子束對準(zhǔn)及其檢查

6…………10

附錄資料性附錄離子束對準(zhǔn)優(yōu)劣情況下深度剖析譜圖對比

A()AES……………11

附錄資料性附錄使用同軸電極杯對準(zhǔn)

B()……………12

參考文獻

……………………13

Ⅰ

GB/T34326—2017/ISO/165312013

:

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)使用翻譯法等同采用表面化學(xué)分析深度剖析和深度剖析

ISO16531:2013《AESXPS

時離子束對準(zhǔn)方法及其束流或束流密度測量方法

》。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC38)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國計量科學(xué)研究院

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人王海王梅玲張艾蕊宋小平

:、、、。

Ⅲ

GB/T34326—2017/ISO/165312013

:

引言

俄歇電子能譜和射線光電子能譜用于表面化學(xué)分析時離子濺射常與它們廣泛結(jié)

(AES)X(XPS),

合用于許多器件和材料的表面清潔及其層狀結(jié)構(gòu)的深度表征目前厚度小于的超薄膜在現(xiàn)代

。,10nm

器件中日益得到應(yīng)用較低能量的離子在深度剖析中變得更加重要為了得到可重現(xiàn)的濺射速率和好

,。

的深度分辨率在最佳位置對準(zhǔn)離子束非常重要隨著要求越來越好的深度分辨率優(yōu)化過程變得愈加

,。,

至關(guān)重要定期進行離子束對準(zhǔn)通常不是必需的但當(dāng)儀器參數(shù)發(fā)生改變時應(yīng)該進行離子束對準(zhǔn)例如

。,,

更換離子槍燈絲或烘烤儀器后在離子束對準(zhǔn)過程中需停止濺射否則會影響樣品臺上的待分析樣

。,,

品離子束對準(zhǔn)涉及儀器的不同部件本標(biāo)準(zhǔn)描述了種方法用以保證大多數(shù)分析人員可使用其中

。。7,

的至少一種方法兩種方法對于測量離子束流或束流密度也非常有用且在測量濺射產(chǎn)額和濺射速率

。,

的一致性時非常重要對于商業(yè)化儀器制造商會提供一種方法和設(shè)備用于對準(zhǔn)離子束如果制造商

。,。

提供的方法合適本標(biāo)準(zhǔn)描述的方法或許不是必需的但它們能幫助確認(rèn)制造商提供方法的有效性

,,。

文獻描述了利用層狀樣品測量深度分辨率以及如何利用深度分辨率去監(jiān)測深度剖析是否充

[1],

分正確優(yōu)化或符合預(yù)期然而文獻描述的方法從儀器設(shè)置經(jīng)深度測量至深度分辨率評估非常

、。,[1]()

耗時為了保證離子束被正確對準(zhǔn)本標(biāo)準(zhǔn)提供了更加快捷的方法它可用于文獻描述方法的第一

。,,[1]

步或者更多的日常檢查

。

Ⅳ

GB/T34326—2017/ISO/165312013

:

表面化學(xué)分析深度剖析AES和

XPS深度剖析時離子束對準(zhǔn)方法及其

束流或束流密度測量方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了在俄歇電子能譜和射線光電子能譜中使用惰性氣體離子以保證濺射

(AES)X(XPS)

深度剖析具有好的深度分辨率以及最佳表面清潔效果而采取的離子束對準(zhǔn)方法這些方法分為兩類

。:

一類通過法拉第杯測量離子束流另一類通過成像方法法拉第杯方法也規(guī)定了離子束束流密度和束

,。

流分布的測量這些方法不包括深度分辨率的優(yōu)化

。。

這些方法均適用于束斑直徑小于的離子槍

1mm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

表面化學(xué)分析詞匯第部分通用術(shù)語和譜學(xué)術(shù)語

ISO18115-11:(Surfacechemical

analysis—Vocabulary—Part1:Generaltermsandtermsusedinspectroscopy)

3術(shù)語定義符號和縮略語

、、

界定的術(shù)語和定義以及下列符號和縮略語適用于本文件

ISO18115-1。

A法拉第杯孔面積

(AreaofFaradaycupaperture)

A樣品平面上離子束掃描面積

0(Areaofionbeamrasterinsampleplane)

A在離子束已知取向上的掃描面積

R(Rasterareaataknownorientationtotheionbeam)

B離子束寬化參數(shù)等于II之比I

,outer/inner(Ionbeambroadeningparameterequaltoratioouter/

I

inner)

束流

C(Current)

束流密度

CD(Currentdensity)

D樣品上的離子劑量速率

'(Iondoserateatthesample)

F離子槍傳遞的離子流量速率

'(Ionfluenceratedeliveredbyiongun)