標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 38446-2020 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù) 帶狀薄膜抗拉性能的試驗(yàn)方法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，旨在規(guī)范微機(jī)電系統(tǒng)中帶狀薄膜材料的抗拉性能測(cè)試過(guò)程。該標(biāo)準(zhǔn)適用于MEMS領(lǐng)域內(nèi)使用的各種帶狀薄膜材料，通過(guò)定義統(tǒng)一的測(cè)試方法來(lái)確保不同實(shí)驗(yàn)室或機(jī)構(gòu)間測(cè)試結(jié)果的一致性和可比性。

標(biāo)準(zhǔn)首先明確了術(shù)語(yǔ)和定義部分，對(duì)關(guān)鍵概念如“帶狀薄膜”、“抗拉強(qiáng)度”等進(jìn)行了界定，為后續(xù)內(nèi)容的理解奠定了基礎(chǔ)。接著，在試驗(yàn)設(shè)備章節(jié)里，詳細(xì)描述了進(jìn)行此類實(shí)驗(yàn)所需的基本裝置配置要求，包括但不限于拉伸試驗(yàn)機(jī)、夾具以及測(cè)量工具等，并規(guī)定了這些設(shè)備的具體技術(shù)參數(shù)與精度等級(jí)。

對(duì)于樣品制備，《GB/T 38446-2020》提出了明確的操作指南，涵蓋從選取合適尺寸的試樣到如何正確安裝于測(cè)試儀器上的全過(guò)程。同時(shí)，還特別強(qiáng)調(diào)了環(huán)境條件（如溫度、濕度）對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響，建議在控制良好的條件下開展實(shí)驗(yàn)以減少外界因素干擾。

在試驗(yàn)步驟方面，標(biāo)準(zhǔn)詳盡地列出了每一步驟的具體操作流程，從加載方式的選擇到數(shù)據(jù)記錄方法均有涉及。此外，還針對(duì)可能出現(xiàn)的數(shù)據(jù)異常情況給出了處理建議。最后，在結(jié)果計(jì)算與表示環(huán)節(jié)，《GB/T 38446-2020》提供了公式用于計(jì)算關(guān)鍵指標(biāo)值，并指導(dǎo)如何準(zhǔn)確表達(dá)最終測(cè)試成果。


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....

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  • 2020-10-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

ICS31200

L55.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T38446—2020

微機(jī)電系統(tǒng)MEMS技術(shù)

()

帶狀薄膜抗拉性能的試驗(yàn)方法

Micro-electromechanicalsystemtechnology—

Testmethodsfortensilepropertymeasurementofstripthinfilms

2020-03-06發(fā)布2020-10-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T38446—2020

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

試驗(yàn)方法

4…………………2

數(shù)據(jù)處理

5…………………4

附錄資料性附錄采用工藝的樣品制備

A()MEMS……………………5

附錄資料性附錄對(duì)準(zhǔn)偏差和幾何結(jié)構(gòu)對(duì)性能測(cè)試的影響

B()………7

附錄資料性附錄納米壓痕儀的測(cè)試結(jié)果誤差及補(bǔ)償

C()……………9

參考文獻(xiàn)

……………………10

GB/T38446—2020

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位北京大學(xué)中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心北京智芯傳感科技有限公司無(wú)錫華潤(rùn)上華科技

:、、、

有限公司中北大學(xué)北京必創(chuàng)科技股份有限公司

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張威李海斌張亞婷朱悅夏長(zhǎng)奉石云波陳得民馬書嫏程紅兵周浩楠

:、、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T38446—2020

微機(jī)電系統(tǒng)MEMS技術(shù)

()

帶狀薄膜抗拉性能的試驗(yàn)方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了帶狀薄膜抗拉性能的試驗(yàn)方法及數(shù)據(jù)處理

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于厚度在到數(shù)微米之間且長(zhǎng)度和厚度的比值大于的樣品也可用于

50nm300,MEMS

產(chǎn)品帶狀薄膜結(jié)構(gòu)的質(zhì)量監(jiān)控

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語(yǔ)

GB/T26111(MEMS)

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T26111。

31

.

彈性模量modulusofelasticity

E

材料在彈性變形階段時(shí)應(yīng)力與應(yīng)變的比值

,。

注改寫定義

:GB/T3102.3—1993,3.18.1。

32

.

屈服強(qiáng)度yieldstrength

Re

當(dāng)材料呈現(xiàn)屈服現(xiàn)象時(shí)在試驗(yàn)期間達(dá)到塑性變形發(fā)生而力不增加的應(yīng)力點(diǎn)

,。

注1改寫定義

:GB/T228.1—2010,3.10.2。

注2對(duì)于屈服現(xiàn)象明顯的材料屈服強(qiáng)度就是材料發(fā)生屈服現(xiàn)象時(shí)屈服極限的應(yīng)力對(duì)于屈服現(xiàn)象不明顯的材料

:,;,

屈服強(qiáng)度為應(yīng)變達(dá)到殘余應(yīng)變時(shí)的應(yīng)力

0.2%。

33

.

抗拉強(qiáng)度tensilestrength

Rm

材料拉斷過(guò)程中對(duì)應(yīng)的最大應(yīng)力

。

注改寫定義

:GB/T228.1—2010,3.10.1。

34

.

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