太陽(yáng)能擴(kuò)散工藝基礎(chǔ)原理

技術(shù)部擴(kuò)散工藝基礎(chǔ)原理2/5/20232/5/20232Part1：電池與PN結(jié)的工作原理Part2：擴(kuò)散工序簡(jiǎn)介Part3：清洗及擴(kuò)散原理Part4：異常處理及調(diào)節(jié)2/5/2023Part1：電池與PN結(jié)的工作原理

太陽(yáng)能電池的工作原理太陽(yáng)能電池等效電路PN結(jié)的形成PN結(jié)的特性及等效電路2/5/2023太陽(yáng)能電池工作原理太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池一般是由PN結(jié)、上表面柵狀電極、背面金屬電極構(gòu)成，并且要求表面和背面電極與硅片之間形成良好的歐姆接觸。為了提高太陽(yáng)電池的效率，在電池的背面作了背場(chǎng)，在電池正面作了減反射膜。太陽(yáng)電池的基本結(jié)構(gòu)如圖所示。2/5/2023產(chǎn)生光生電動(dòng)勢(shì)（或光生積累電荷），應(yīng)該滿足以下兩個(gè)條件：半導(dǎo)體材料對(duì)一定波長(zhǎng)的入射光有足夠大的光吸收系數(shù)α，即要求入射光子的能量hν大于或等于半導(dǎo)體材料的帶隙Eg，使該入射光子能被半導(dǎo)體吸收而激發(fā)出光生非平衡的電子空穴對(duì)。具有光伏結(jié)構(gòu)，即有一個(gè)內(nèi)建電場(chǎng)所對(duì)應(yīng)的勢(shì)壘區(qū)。勢(shì)壘區(qū)的重要作用是分離了兩種不同電荷的光生非平衡載流子，在p區(qū)內(nèi)積累了非平衡空穴，而在n區(qū)內(nèi)積累起非平衡電子。產(chǎn)生了一個(gè)與平衡pn結(jié)內(nèi)建電場(chǎng)相反的光生電場(chǎng)，于是在p區(qū)和n區(qū)間建立了光生電動(dòng)勢(shì)（或稱光生電壓）。太陽(yáng)能電池工作原理2/5/20236光生伏特效應(yīng)當(dāng)用適當(dāng)波長(zhǎng)的光照射非均勻半導(dǎo)體(p-n結(jié)等)時(shí)，由于內(nèi)建電場(chǎng)的作用（不加外電場(chǎng)），半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)（光生電壓）；如將p-n結(jié)短路，則會(huì)出現(xiàn)電流（光生電流）。這種由內(nèi)建電場(chǎng)引起的光電效應(yīng)，稱為光生伏特效應(yīng)。光生電壓、電流的產(chǎn)生由于pn結(jié)勢(shì)壘區(qū)內(nèi)存在較強(qiáng)的內(nèi)建電場(chǎng)（自n區(qū)指向p區(qū)），結(jié)兩邊的光生少數(shù)載流子受該場(chǎng)的作用，各自向相反方向運(yùn)動(dòng)：p區(qū)的電子穿過(guò)p-n結(jié)進(jìn)入n區(qū)；n區(qū)的空穴進(jìn)入p區(qū)，使p端電勢(shì)升高，n端電勢(shì)降低，于是在p-n結(jié)兩端形成了光生電動(dòng)勢(shì)，相當(dāng)于在p-n結(jié)兩端加正向電壓V，使勢(shì)壘降低為qVD-qV，產(chǎn)生正向電流。太陽(yáng)能電池工作原理2/5/20237如圖所示,當(dāng)處于開(kāi)路的情況下,當(dāng)光生電流和正向電流相等的時(shí)候,則由于電子和空穴分別流入N區(qū)和P區(qū)，使N區(qū)的費(fèi)米能級(jí)比P區(qū)的費(fèi)米能級(jí)高，在這兩個(gè)費(fèi)米能級(jí)之間,P-N結(jié)兩端將建立起穩(wěn)定的電勢(shì)差Voc(P區(qū)為正,N區(qū)為負(fù))。如果將外電路短路，則外電路中就有與入射光能量成正比的光電流流過(guò)，這個(gè)電流稱作短路電流,只要光生電流不停止,就會(huì)有源源不斷的電流通過(guò)電路,P-N結(jié)起到了一個(gè)電源的作用.這就是太陽(yáng)能電池的工作原理。太陽(yáng)能電池基本原理太陽(yáng)能電池工作原理8ISCRSRSHRLOADCellCell電池片等效電路圖實(shí)際上，pn結(jié)太陽(yáng)能電池存在著Rs和Rsh的影響。其中，Rs是由材料體電阻、薄層電阻、電極接觸電阻及電極本身傳導(dǎo)電流的電阻所構(gòu)成的總串聯(lián)電阻。Rsh是在pn結(jié)形成的不完全的部分所導(dǎo)致的漏電流，稱為旁路電阻或漏電電阻。這樣構(gòu)成的等效電路如右圖所示。理想等效電路圖理想PN結(jié)太陽(yáng)能電池可以用一恒定電流源Iph（光生電流）及一理想二極管的并聯(lián)來(lái)表示。其等效電路如圖所示。太陽(yáng)能電池等效電路2/5/2023PN結(jié)的形成半導(dǎo)體導(dǎo)電原理—產(chǎn)生和復(fù)合由于熱或光激發(fā)而成對(duì)地產(chǎn)生電子空穴對(duì)，這種過(guò)程稱為“產(chǎn)生”?？昭ㄊ枪矁r(jià)鍵上的空位，自由電子在運(yùn)動(dòng)中與空穴相遇時(shí)，自由電子就可能回到價(jià)鍵的空位上來(lái)，而同時(shí)消失了一對(duì)電子和空穴，這就是“復(fù)合”。熱平衡：在一定溫度下，又沒(méi)有光照射等外界影響時(shí)，產(chǎn)生和復(fù)合的載流子數(shù)相等，半導(dǎo)體中將在產(chǎn)生和復(fù)合的基礎(chǔ)上形成熱平衡。此時(shí)，電子和空穴的濃度保持穩(wěn)定不變，但是產(chǎn)生和復(fù)合仍在持續(xù)的發(fā)生。2/5/2023PN結(jié)的形成半導(dǎo)體導(dǎo)電原理—雜質(zhì)半導(dǎo)體多余電子施主能級(jí)導(dǎo)帶電離能價(jià)帶N型半導(dǎo)體空鍵接受電子空穴導(dǎo)帶電離能價(jià)帶受主能級(jí)P型半導(dǎo)體2/5/202311PN結(jié)的形成半導(dǎo)體導(dǎo)電原理—雜質(zhì)補(bǔ)償補(bǔ)償?shù)亩x：一塊半導(dǎo)體中并非僅僅只存在一種類型的雜質(zhì)，常常同時(shí)含有施主和受主雜質(zhì)，此時(shí)，施主雜質(zhì)所提供的電子會(huì)通過(guò)“復(fù)合”而與受主雜質(zhì)所提供的電子相抵消，使總的載流子數(shù)目減少，這種現(xiàn)象就成為“補(bǔ)償”。在太陽(yáng)能PN結(jié)產(chǎn)生過(guò)程中，實(shí)際上就是依據(jù)補(bǔ)償作用，通過(guò)摻雜而獲得我們所需要的導(dǎo)電類型來(lái)組成所要生產(chǎn)的器件。2/5/202312PN結(jié)的形成PN結(jié)的形成當(dāng)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體接觸后，由于交界兩側(cè)半導(dǎo)體類型不同，存在電子和空穴的濃度差。這樣P區(qū)的空穴向N區(qū)擴(kuò)散，N區(qū)的電子向P區(qū)擴(kuò)散。由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，在P區(qū)和N區(qū)的接觸面就產(chǎn)生正負(fù)離子層。N區(qū)失掉電子產(chǎn)生正離子，P區(qū)得到電子產(chǎn)生負(fù)離子。通常稱這個(gè)正、負(fù)離子層為PN結(jié)。在PN結(jié)的P區(qū)一側(cè)帶負(fù)電，N區(qū)一側(cè)帶正電。PN結(jié)便產(chǎn)生了內(nèi)電場(chǎng)，內(nèi)電場(chǎng)的方向是從N區(qū)指向P區(qū)。內(nèi)電場(chǎng)對(duì)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)起到阻礙作用，電子和空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)隨著內(nèi)電場(chǎng)的加強(qiáng)而逐步減弱，直至達(dá)到平衡，在界面處形成穩(wěn)定的空間電荷區(qū)。如下圖：2/5/202313PN結(jié)的正向?qū)ㄐ?若外加電壓使電流從P區(qū)流到N區(qū)，PN結(jié)呈低阻性，所以電流大（如右圖）：外加的正向電壓方向與PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)方向相反，削弱了內(nèi)電場(chǎng)。于是，內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的阻礙減弱，擴(kuò)散電流加大。擴(kuò)散電流遠(yuǎn)大于漂移電流，可忽略漂移電流的影響，PN結(jié)呈現(xiàn)低阻性。若外加電壓繼續(xù)上升，則自建電場(chǎng)被減弱和抵消，所以正向電流隨著外加正向電壓的增加而逐漸上升。PN結(jié)的特性14PN結(jié)的反向截止性:外加的反向電壓方向與PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)方向相同，加強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)。內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的阻礙增強(qiáng)，擴(kuò)散電流大大減小。此時(shí)PN結(jié)區(qū)的少子在內(nèi)電場(chǎng)作用下形成的漂移電流大于擴(kuò)散電流，可忽略擴(kuò)散電流，PN結(jié)呈現(xiàn)高阻性。

在一定的溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無(wú)關(guān)，這個(gè)電流也稱為反向飽和電流。

PN結(jié)的特性勢(shì)壘電容CB

：勢(shì)壘電容是由空間電荷區(qū)的離子薄層形成的。當(dāng)外加電壓使PN結(jié)上壓強(qiáng)發(fā)生變化時(shí)，離子薄層的厚度也相應(yīng)地隨之改變，這相當(dāng)PN結(jié)中存儲(chǔ)的電荷量也隨之變化，猶如電容的充放電。擴(kuò)散電容CD：擴(kuò)散電容是由多子擴(kuò)散后，在PN結(jié)的另一側(cè)面積累而形成的。因PN結(jié)正偏時(shí)，由N區(qū)擴(kuò)散到P區(qū)的電子，與外電源提供的空穴相復(fù)合，形成正向電流。剛擴(kuò)散過(guò)來(lái)的電子就堆積在P區(qū)內(nèi)緊靠PN結(jié)的附近，形成一定的多子濃度梯度分布曲線。反之，由P區(qū)擴(kuò)散到N區(qū)的空穴，在N區(qū)內(nèi)也形成類似的濃度梯度分布曲線。

當(dāng)外加正向電壓不同時(shí)，擴(kuò)散電流即外電路電流的大小也就不同。所以PN結(jié)兩側(cè)堆積的多子的濃度梯度分布也不同，這就相當(dāng)于電容的充放電過(guò)程。勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容均是非線性電容。電容效應(yīng)PN結(jié)的特性PN結(jié)的等效電路2/5/2023Part2：擴(kuò)散工序簡(jiǎn)介

工序流程清洗及擴(kuò)散工藝各工序設(shè)備及操作規(guī)范

其它輔助工作潔凈度的控制2/5/2023工序流程制絨接片

裝舟超純清洗卸舟測(cè)電阻高溫?cái)U(kuò)散烘干裝夾傳刻蝕注：藍(lán)色區(qū)域?yàn)镾I工藝過(guò)程；除去藍(lán)色區(qū)域?yàn)檎５臄U(kuò)散車間工藝流程。2/5/202320一般工藝的生產(chǎn)流程：制絨接片超純清洗吸籃烘干裝舟進(jìn)爐擴(kuò)散出爐方阻測(cè)試卸舟裝夾傳刻蝕工序流程清洗工藝H2O2+HCLDIW(溢流）DIW(溢流+慢提拉）HF21自動(dòng)清洗工藝流程：手工清洗工藝流程：清洗及擴(kuò)散工藝擴(kuò)散工藝—單晶22清洗及擴(kuò)散工藝擴(kuò)散工藝—多晶23清洗及擴(kuò)散工藝各工序設(shè)備及操作規(guī)范制絨接片—人工2/5/2023各工序設(shè)備及操作規(guī)范清洗—手工清洗穿戴換酸穿戴2/5/2023各工序設(shè)備及操作規(guī)范清洗—自動(dòng)主界面手動(dòng)操作2/5/2023各工序設(shè)備及操作規(guī)范清洗—自動(dòng)12342/5/2023各工序設(shè)備及操作規(guī)范烘干—烘干箱烘干—甩干機(jī)2/5/2023各工序設(shè)備及操作規(guī)范裝舟—人工2/5/2023各工序設(shè)備及操作規(guī)范擴(kuò)散爐—結(jié)構(gòu)模型排風(fēng)氣源柜爐體柜電控柜

推舟機(jī)構(gòu)排廢口凈化操作臺(tái)總電源進(jìn)線進(jìn)氣2/5/2023各工序設(shè)備及操作規(guī)范擴(kuò)散爐—?dú)饴纺Ｐ?/5/2023各工序設(shè)備及操作規(guī)范擴(kuò)散爐—擴(kuò)散裝置示意圖2/5/2023各工序設(shè)備及操作規(guī)范擴(kuò)散爐—48所2/5/2023各工序設(shè)備及操作規(guī)范擴(kuò)散爐—8471擴(kuò)散爐2/5/2023各工序設(shè)備及操作規(guī)范擴(kuò)散爐—8472擴(kuò)散爐2/5/2023各工序設(shè)備及操作規(guī)范開(kāi)管爐與閉管爐的區(qū)別開(kāi)管熱損耗大;摻雜源消耗量大;反應(yīng)過(guò)程中副產(chǎn)物偏磷酸生成量大、且無(wú)法有效控制其排放方向,損傷設(shè)備;工藝尾氣如Cl2、HCl

等如果處理不當(dāng),會(huì)危害操作者身體健康、污染環(huán)境;擴(kuò)散質(zhì)量易受外界環(huán)境變化的影響。閉管閉管擴(kuò)散技術(shù)可以節(jié)省擴(kuò)散摻雜源、工藝氣體用量,并降低熱損耗;工藝過(guò)程幾乎不受外界環(huán)境變化的影響;擴(kuò)散的均勻性也有顯著的提高;消除了開(kāi)管擴(kuò)散技術(shù)中由于尾氣處理不當(dāng)而存在的對(duì)操作者身體健康和環(huán)境的潛在威脅。2/5/2023閉管原理是通過(guò)高溫下?tīng)t門密封裝置、尾氣收集裝置、超長(zhǎng)恒溫區(qū)加熱爐體設(shè)計(jì)制造以及溫度的測(cè)量與控制技術(shù),在確保高產(chǎn)能、擴(kuò)散均勻性優(yōu)的前提下減少液態(tài)源POCl3以及其它工藝氣體的用量,從而降低偏磷酸(HPO3)與Cl2生成量以及對(duì)這些有毒害副產(chǎn)物進(jìn)行定向回收、集中處理。各工序設(shè)備及操作規(guī)范各工序設(shè)備及操作規(guī)范擴(kuò)散爐—司爐操作2/5/2023各工序設(shè)備及操作規(guī)范卸舟—人工2/5/2023各工序設(shè)備及操作規(guī)范卸舟—電阻測(cè)試2/5/2023其它輔助工作清洗石英管石英管清洗酸液配比：HF酸1瓶（每瓶4L），HCL酸1瓶（每瓶4L），加水至石英管放入酸槽后的半徑高度。清洗步驟：水洗10min+酸洗15min+水洗10min；清洗完畢后用氮?dú)鈽寣⑹⑵骷蹈桑瑢?duì)于石英管可以先用無(wú)塵布將外壁表面的水擦干，然后再用氮?dú)鈽寣?nèi)壁吹干。清洗注意事項(xiàng)：石英管清洗時(shí)要保證滾軸的轉(zhuǎn)動(dòng)，當(dāng)管內(nèi)有碎屑時(shí)需要用水槍將碎屑沖出；保溫桶清洗前要用塞子將上面的小孔塞住，以避免水將保溫棉浸濕，且由于保溫桶一直飄浮在水面上，清洗時(shí)要不停的用提鉤翻轉(zhuǎn)，保證清洗充分。清洗不凈的處理：當(dāng)爐管的石英器件受到污染時(shí)，按照正常的清洗流程可能清洗不凈；因此對(duì)于受污染的石英器件，可以通過(guò)加大酸的濃度和加長(zhǎng)清洗時(shí)間來(lái)加強(qiáng)清洗效果。對(duì)于無(wú)法清洗干凈的石英器件，需要報(bào)廢并更換新件。2/5/2023其它輔助工作清洗石英管2/5/2023石英管的飽和是指讓石英管充分吸收擴(kuò)散雜質(zhì)。爐溫升至設(shè)定溫度時(shí)，以設(shè)定流量通小N2（攜P源）和O2，使石英管飽和，飽和完成后關(guān)閉小N2和O2。

當(dāng)工藝運(yùn)行一段時(shí)間后，爐管內(nèi)壁和擋片以及石英舟上會(huì)粘附一定量的磷原子而成為一個(gè)擴(kuò)散源，所以新的石英件使用之前以及工藝中斷較長(zhǎng)時(shí)間的情況下，為保證擴(kuò)散結(jié)果的一致性，必須事先做飽和方可運(yùn)行工藝。石英管飽和2/5/2023其它輔助工作清洗石英管復(fù)機(jī)流程：石英管清洗復(fù)機(jī)流程：注:新石英管飽和時(shí)間為24小時(shí)。

2/5/2023其它輔助工作復(fù)機(jī)流程

2/5/2023其它輔助工作復(fù)機(jī)流程停機(jī)不停電復(fù)機(jī)時(shí)，復(fù)機(jī)飽和時(shí)間如下表：設(shè)備故障復(fù)機(jī)流程：當(dāng)產(chǎn)品出現(xiàn)異常時(shí)，工藝工程師有權(quán)叫停異常機(jī)臺(tái)，查找異常原因。若為設(shè)備問(wèn)題，請(qǐng)?jiān)O(shè)備工程師查找原因并確認(rèn)機(jī)臺(tái)可恢復(fù)性。確認(rèn)無(wú)異常后，由工藝工程師確認(rèn)機(jī)臺(tái)是否能投入生產(chǎn)并對(duì)機(jī)臺(tái)做相應(yīng)調(diào)整。若不能確保機(jī)臺(tái)正常，可在測(cè)試片位置放正常片，其余位置為陪片，實(shí)驗(yàn)機(jī)臺(tái)是否能正常使用。若正常方可正常使用，若不正常查找原因并作相應(yīng)處理。

2/5/2023其它輔助工作拉恒溫區(qū)—目的保證擴(kuò)散溫度均在可控范圍內(nèi)；調(diào)節(jié)電阻的均勻性時(shí)有一定的參照；為出現(xiàn)電阻異常時(shí)提供分析依據(jù)；間接統(tǒng)計(jì)設(shè)備的穩(wěn)定性；2/5/2023其它輔助工作拉恒溫區(qū)—對(duì)擴(kuò)散的影響擴(kuò)散溫度對(duì)PN結(jié)深影響較大，結(jié)深與印刷的燒結(jié)溫度是有一定的比例關(guān)系的，若是擴(kuò)散溫度不正常，可能造成印刷燒穿現(xiàn)象；最少也能造成擴(kuò)散與印刷的工藝不匹配使效率降低。雜質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)入硅中后，與硅形成固溶體。在一定的溫度下，雜質(zhì)在硅中有一個(gè)最大的溶解度，其對(duì)應(yīng)的雜質(zhì)濃度，稱該溫度下雜質(zhì)在硅中的固溶度。固溶度在一定程度上決定了硅片的表面濃度。爐管溫度會(huì)影響雜質(zhì)在硅中的固溶度，從而影響摻雜電阻。

2/5/2023其它輔助工作拉恒溫區(qū)—時(shí)機(jī)選擇清洗石英管后；爐管降溫至600℃以下時(shí)；溫度報(bào)警，設(shè)備維修溫控以后（若只是數(shù)據(jù)線虛接則不需拉恒溫區(qū)）；更換溫控儀后；更換板卡，工控機(jī)主機(jī)后；其他任何原因造成溫度波動(dòng)大于10℃時(shí)，在恢復(fù)生產(chǎn)前均需要測(cè)試恒溫區(qū)。2/5/2023其它輔助工作拉恒溫區(qū)—時(shí)機(jī)選擇源流量超出上下限時(shí)；（換源后，單向閥壞等除外）電阻逐漸朝一種趨勢(shì)（一直變大，一直變小）變化時(shí)；（能明確的解釋出原因的情況除外，如換源后，單向閥壞等）調(diào)整溫度（爐口，爐尾設(shè)定值）6℃后電阻仍然沒(méi)有明顯變化的；、拉好恒溫區(qū)以后因電阻問(wèn)題調(diào)正溫度（爐口，爐尾設(shè)定值）超過(guò)10℃時(shí)；切換工藝時(shí)切換工藝前所運(yùn)行的工藝溫度調(diào)節(jié)大于6℃時(shí)；切換工藝時(shí)清洗石英管后未拉將要做工藝的恒溫區(qū)的。（拉過(guò)恒溫區(qū)，但沒(méi)有明確記錄的也要重新拉恒溫區(qū)）。切換工藝前有做過(guò)上述的設(shè)備維修的。2/5/2023其它輔助工作拉恒溫區(qū)—48所5.8.1.1熱偶位置確定：（以下以使用七星爐管自帶5點(diǎn)控溫?zé)崤紴槔t口：使用5#插頭，外露54cm（測(cè)溫小管外露邊緣到熱偶金屬頭與玻璃管連接處的距離）；爐中：使用4#插頭，外漏82cm（測(cè)溫小管外露邊緣到熱偶金屬頭與玻璃管連接處的距離）；爐尾：使用3#插頭，外漏82cm（測(cè)溫小管外露邊緣到熱偶金屬頭與玻璃管連接處的距離）。2/5/2023其它輔助工作拉恒溫區(qū)—七星1.自動(dòng)拉恒溫區(qū)時(shí)，F(xiàn)1界面Autojust項(xiàng)顯示‘Y’；恒溫區(qū)拉好后，顯示‘N’。2.拉恒溫區(qū)時(shí)要求熱偶插頭接觸良好。2/5/2023潔凈度的控制電子工業(yè)潔凈度等級(jí)試行規(guī)定2/5/2023潔凈度的控制污染源的控制—人員即使一個(gè)經(jīng)過(guò)風(fēng)淋的潔凈室操作員，當(dāng)他坐著時(shí)，每分鐘也可釋放10萬(wàn)到100萬(wàn)個(gè)顆粒，當(dāng)人員移動(dòng)時(shí)，這個(gè)數(shù)字還會(huì)大幅增加。這些顆粒都是來(lái)自脫落的頭發(fā)和壞死的皮膚。其他的顆粒源還有象化妝品、染發(fā)劑和暴露的衣服等。2/5/2023潔凈度的控制污染源的控制—空氣空氣：普通空氣中含有許多污染物，主要是可在空氣中傳播的顆粒（一般是微?；蚋m），顆粒的相對(duì)尺寸如下圖所示（單位是：微米）。這些微小顆粒的主要問(wèn)題是在空氣中長(zhǎng)時(shí)間漂浮。而潔凈工作室的潔凈度就是由空氣中的微粒大小和微粒含量決定的。標(biāo)準(zhǔn)按兩種方法設(shè)定：一是顆粒的大小二是顆粒的密度。咱們公司擴(kuò)散車間的凈化等級(jí)為

3000級(jí)，定義為：靜態(tài)下，直徑超過(guò)0.5um的顆粒每立方英尺不超過(guò)300個(gè)，直徑超過(guò)0.3um的顆粒每立方英尺不超過(guò)3000個(gè)。2/5/2023潔凈度的控制污染源的控制—工業(yè)用水工藝用水DI：在電池生產(chǎn)的整個(gè)過(guò)程中，要經(jīng)過(guò)多次的化學(xué)刻蝕與清洗，每步刻蝕與清洗后都要經(jīng)過(guò)清水沖洗。所以所有工藝用水必須經(jīng)過(guò)處理，達(dá)到非常嚴(yán)格潔凈度的要求。普通城市用的水中包含大量潔凈室不能接受的污染物，主要有：溶解的礦物顆粒菌溶解氧二氧化碳有機(jī)物普通水中的礦物來(lái)自鹽分，鹽分在水中分解為離子。例如食鹽會(huì)分解為鈉離子和氯離子。每個(gè)離子都是污染物。2/5/2023潔凈度的控制污染源的控制—作業(yè)要求潔凈區(qū)要限制人數(shù)，而且潔凈區(qū)工作人員應(yīng)注意以下事項(xiàng)：

進(jìn)入潔凈區(qū)要先穿戴好專用凈化工作服、鞋、帽。

每天洗工作服，洗澡、理發(fā)、剪指甲，盡量不用化妝品。

與工作無(wú)關(guān)的紙張、書報(bào)等雜物不得帶入。

嚴(yán)禁在凈化區(qū)做會(huì)造成粉末的活，工作外少走動(dòng)。

進(jìn)入凈化區(qū)的設(shè)備、試劑、氣瓶等所有物品都要經(jīng)嚴(yán)格清潔處理后才可進(jìn)入。

每天上班先清掃、擦洗設(shè)備，下班前清理好工作現(xiàn)場(chǎng)。（當(dāng)然我們有專門的清潔工來(lái)打掃衛(wèi)生）

定期檢測(cè)潔凈度，超標(biāo)要采取各種措施，將潔凈度達(dá)標(biāo)。當(dāng)我們夾硅片時(shí)，應(yīng)該盡量不要將胳膊在硅片上方揮動(dòng)。2/5/2023Part3：清洗及擴(kuò)散原理

清洗原理擴(kuò)散機(jī)制擴(kuò)散工藝流程擴(kuò)散原理

擴(kuò)散層質(zhì)量參數(shù)擴(kuò)散的影響因素2/5/2023清洗原理雜質(zhì)的分類有機(jī)物沾污：包括切、磨、拋工藝中的潤(rùn)滑油脂；石蠟、松香等粘合劑；手指分泌的油脂及光刻膠、有機(jī)溶劑的殘留物等。金屬離子、氧化物及其他無(wú)機(jī)物質(zhì)：包括腐蝕液中重金屬雜質(zhì)離子的殘留；各種磨料中的氧化物或金屬離子；使用的容器、鑷子、水中金屬離子的沾污；各種氣體、人體汗液等引入的雜質(zhì)離子。其他可溶性雜質(zhì)。清洗的思路清洗硅片的一般工藝程序?yàn)?去分子→去離子→去原子→去離子水沖洗另外,為去除硅片表面的氧化層,常要增加一個(gè)稀氫氟酸浸泡步驟，因?yàn)檠趸瘜邮钦次巯葳逡矔?huì)引入外延缺陷2/5/2023清洗原理清洗液的要求清洗硅片的清洗溶液必須具備以下兩種功能:(1)去除硅片表面的污染物。溶液應(yīng)具有高氧化能力，可將金屬氧化后溶解于清洗液中，同時(shí)可將有機(jī)物氧化為CO2和H2O；

(2)防止被除去的污染物再向硅片表面吸附。這就要求硅片表面和顆粒之間的Z電勢(shì)具有相同的極性，使二者存在相斥的作用。1.對(duì)硅腐蝕速率適中2.高氧化勢(shì)（原電池）3.能與金屬離子形成絡(luò)4.能溶解金屬沾污5.不增加表面微粗糙度6.對(duì)環(huán)境的影響小7.去除自然氧化層2/5/2023清洗原理清洗液的介紹（1）HCl的作用：中和殘留在硅片表面殘余堿液；去除在硅片切割時(shí)表面引入的金屬雜質(zhì)。

注：鹽酸具有酸和絡(luò)合劑的雙重作用，氯離子能與Fe3+、Pt2+、Au3+、Ag+、Cu+、Cd2+、Hg2+等金屬離子形成可溶于水的絡(luò)合物（2）HF的作用：去除硅片表面二氧化硅層；與硅片表面硅懸掛鍵形成Si-H鈍化鍵。（3）DIWater：一個(gè)作用是沖洗硅片表面已經(jīng)脫附的雜質(zhì)，另外一個(gè)作用是沖洗掉硅片表面的殘余洗液，防止對(duì)接下來(lái)的洗液產(chǎn)生負(fù)面影響。2/5/2023清洗原理現(xiàn)行工藝介紹HCL/H2O2/H2O循環(huán)DIWaterDHF去除表面微粒及金屬雜質(zhì)去除化學(xué)作用產(chǎn)生的氧化層循環(huán)DIWater2/5/2023擴(kuò)散，是一種高溫制程。是將摻雜氣體導(dǎo)入放有硅片的高溫爐中,將雜質(zhì)擴(kuò)散到硅片內(nèi)以改變半導(dǎo)體基片或已擴(kuò)散區(qū)域的導(dǎo)電類型或表面雜質(zhì)濃度的一種方法。在以硅為底材的半導(dǎo)體制程中,主要有兩種不同形態(tài)的Dopant:P-type,N-type。

擴(kuò)散機(jī)制擴(kuò)散的定義擴(kuò)散技術(shù)目的在于控制半導(dǎo)體中特定區(qū)域內(nèi)雜質(zhì)的類型、濃度、深度和PN結(jié)。擴(kuò)散機(jī)構(gòu)分為替位式擴(kuò)散機(jī)構(gòu)和填隙式擴(kuò)散機(jī)構(gòu)。空位擴(kuò)散填隙擴(kuò)散替位填隙擴(kuò)散直接交換環(huán)形交換磷擴(kuò)散可通過(guò)空位擴(kuò)散、替位填隙擴(kuò)散兩種機(jī)制實(shí)現(xiàn)擴(kuò)散機(jī)制擴(kuò)散機(jī)制空位擴(kuò)散空位擴(kuò)散條件結(jié)構(gòu)條件——擴(kuò)散原子周圍存在點(diǎn)陣空位能量條件——擴(kuò)散原子具有超越能壘的自由能量p型電池片存在空穴，摻雜pocl3多出電子可跳躍至空穴中，實(shí)現(xiàn)空位擴(kuò)散。對(duì)于直接易位和環(huán)易機(jī)構(gòu)多發(fā)生在無(wú)點(diǎn)缺陷機(jī)制中，因此對(duì)于p型電池片的擴(kuò)散不可能出現(xiàn)這兩種機(jī)制。擴(kuò)散機(jī)制替位填隙式擴(kuò)散結(jié)合替位和填隙兩種擴(kuò)散機(jī)制，當(dāng)填隙式雜質(zhì)原子遇到硅晶格空位時(shí)，可以被空位俘獲而成為替位式雜質(zhì)原子。替位式擴(kuò)散機(jī)構(gòu)：這種雜質(zhì)原子或離子大小與Si原子大小差別不大，它沿著硅晶體內(nèi)晶格空位跳躍前進(jìn)擴(kuò)散，雜質(zhì)原子擴(kuò)散時(shí)占據(jù)晶格格點(diǎn)的正常位置，不改變?cè)瓉?lái)硅材料的晶體結(jié)構(gòu)。硼、磷、砷等是此種方式。填隙式擴(kuò)散機(jī)構(gòu)：這種雜質(zhì)原子大小與Si原子大小差別較大，雜質(zhì)原子進(jìn)入硅晶體后，不占據(jù)晶格格點(diǎn)的正常位置，而是從一個(gè)硅原子間隙到另一個(gè)硅原子間隙逐次跳躍前進(jìn)。鎳、鐵等重金屬元素等是此種方式。擴(kuò)散機(jī)制替位填隙式擴(kuò)散結(jié)合替位和填隙兩種擴(kuò)散機(jī)制，當(dāng)填隙式雜質(zhì)原子遇到硅晶格空位時(shí)，可以被空位俘獲而成為替位式雜質(zhì)原子。替位式擴(kuò)散機(jī)構(gòu)：這種雜質(zhì)原子或離子大小與Si原子大小差別不大，它沿著硅晶體內(nèi)晶格空位跳躍前進(jìn)擴(kuò)散，雜質(zhì)原子擴(kuò)散時(shí)占據(jù)晶格格點(diǎn)的正常位置，不改變?cè)瓉?lái)硅材料的晶體結(jié)構(gòu)。硼、磷、砷等是此種方式。雜質(zhì)原子Si原子晶格空位擴(kuò)散機(jī)制替位填隙式擴(kuò)散結(jié)合替位和填隙兩種擴(kuò)散機(jī)制，當(dāng)填隙式雜質(zhì)原子遇到硅晶格空位時(shí)，可以被空位俘獲而成為替位式雜質(zhì)原子。填隙式擴(kuò)散機(jī)構(gòu)：這種雜質(zhì)原子大小與Si原子大小差別較大，雜質(zhì)原子進(jìn)入硅晶體后，不占據(jù)晶格格點(diǎn)的正常位置，而是從一個(gè)硅原子間隙到另一個(gè)硅原子間隙逐次跳躍前進(jìn)。鎳、鐵等重金屬元素等是此種方式Si原子雜質(zhì)原子PSG除去硅磷氣體反應(yīng)淀積O2硅氧化POCl3O2PSGPSG雜質(zhì)再分布擴(kuò)散工藝過(guò)程：加載>>升溫氧化>>預(yù)沉積>>再分布>>卸載擴(kuò)散前氧化可減少‘死層’的影響；雜質(zhì)再分布的同時(shí)可以起到吸雜的作用，利用PSG對(duì)鈉、鉀等離子的吸附和固定作用除去這些有害離子。該步時(shí)間不能過(guò)短，否則POCl3得不到充分分解、淀積，影響反應(yīng)效果。擴(kuò)散工藝流程2/5/2023熱氧化會(huì)使硅片表面位置發(fā)生變化，一般生長(zhǎng)1um的SiO2，要消耗掉0.46um的Si。但不同熱氧化方式生長(zhǎng)的SiO2密度不同，消耗的Si會(huì)略有差異。46%Si-SiO2界面原始硅表面SiO2表面54%氧化擴(kuò)散工藝流程硅片晶向：氧化速率(110)>(111)>(100)襯底摻雜雜質(zhì)濃度：雜質(zhì)會(huì)增強(qiáng)氧化速率；壓力影響：壓力增大，氧化速率增大；溫度：溫度升高，氧化速率增大；氧化方式：方式不一樣，速率也會(huì)有差異；原有氧化層厚度：氧化所需要的氧需要穿透先前生長(zhǎng)的氧化層才能到達(dá)硅表面與硅反應(yīng)形成SiO2。氧化擴(kuò)散工藝流程整個(gè)擴(kuò)散過(guò)程中，硅片表面濃度NS保持不變，因此恒定表面濃度擴(kuò)散分布符合余誤差分布。這類擴(kuò)散的特點(diǎn)是:在整個(gè)擴(kuò)散過(guò)程中,硅片表面始終暴露在具有恒定而均勻的雜質(zhì)源的氣氛中。在一定的擴(kuò)散溫度下，雜質(zhì)原子從氣相擴(kuò)散到固相的硅片里而形成一定的雜質(zhì)分布。這種分布曲線的特點(diǎn)是：硅片表面雜質(zhì)濃度始終不變,它與時(shí)間無(wú)關(guān),只與擴(kuò)散的雜質(zhì)和擴(kuò)散的溫度有關(guān)。硅片內(nèi)部的雜質(zhì)濃度則隨時(shí)間增加而增加，隨距離增加而減少。余誤差分布擴(kuò)散工藝流程氣體反應(yīng)淀積—恒定表面源擴(kuò)散擴(kuò)散工藝流程雜質(zhì)再分布—恒定表面源擴(kuò)散（限定源擴(kuò)散）高斯分布雜質(zhì)源限定在硅片表面薄的一層，限定源擴(kuò)散時(shí)的雜質(zhì)分布是高斯函數(shù)分布。擴(kuò)散系數(shù)以及表面濃度對(duì)恒定表面擴(kuò)散的影響相當(dāng)大。這類擴(kuò)散的特點(diǎn)是：在整個(gè)擴(kuò)散過(guò)程中，硅片內(nèi)的雜質(zhì)總量保持不變，沒(méi)有外來(lái)雜質(zhì)補(bǔ)充，只依靠擴(kuò)散前在硅片表面上已淀積的那一薄層內(nèi)有限數(shù)量的雜質(zhì)原子，向硅片體內(nèi)擴(kuò)散。隨著擴(kuò)散時(shí)間的增長(zhǎng)，表面雜質(zhì)濃度不斷下降，并不斷地向內(nèi)部推進(jìn)擴(kuò)散，這時(shí)表面雜質(zhì)深度都發(fā)生了變化。

POCl3是目前磷擴(kuò)散用得較多的一種雜質(zhì)源無(wú)色透明發(fā)煙液體，有辛辣氣味。如果純度不高則呈紅黃色。比重為1.67，熔點(diǎn)2℃，沸點(diǎn)107℃，在潮濕空氣中發(fā)煙。POCl3極易揮發(fā)，遇水猛烈分解,產(chǎn)生大量的熱和濃煙,甚至爆炸。對(duì)很多金屬尤其是在潮濕空氣存在下有腐蝕性。劇毒，有腐蝕性。本品遇水蒸氣分解成磷酸與氯化氫，含磷可致磷中毒。對(duì)皮膚、粘膜有刺激腐蝕作用。儲(chǔ)存的管理：儲(chǔ)存于陰涼、干燥、通風(fēng)良好的庫(kù)房。遠(yuǎn)離火種、熱源。庫(kù)溫不超過(guò)25℃，相對(duì)濕度不超過(guò)75％。包裝必須密封，切勿受潮。應(yīng)與還原劑、活性金屬粉末、醇類等分開(kāi)存放，切忌混儲(chǔ)。POCl3擴(kuò)散原理2/5/2023POCl3分解產(chǎn)生的P2O5淀積在硅片表面，P2O5與硅反應(yīng)生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成一層磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中進(jìn)行擴(kuò)散。POCl3液態(tài)源擴(kuò)散方法具有生產(chǎn)效率較高，得到PN結(jié)均勻、平整和擴(kuò)散層表面良好等優(yōu)點(diǎn)，這對(duì)于制作具有大的結(jié)面積的太陽(yáng)電池是非常重要的。5POCl3===3PCl5+P2O5

2P2O5+5Si===5SiO2+4P大于600C在有氧氣的存在時(shí)，POCl3熱分解的反應(yīng)式為：4POCl3+3O2===2P2O5+6Cl2注：POCl3熱分解時(shí)，如果沒(méi)有外來(lái)的氧（O2）參與其分解是不充分的，生成的PCl5是不易分解的，并且對(duì)硅有腐蝕作用，破壞硅片的表面狀態(tài)。擴(kuò)散原理2/5/2023結(jié)深是指在硅片中摻入不同導(dǎo)電類型的雜質(zhì)時(shí)，在距離硅片表面xj的地方，摻入的雜質(zhì)濃度與硅片的本體雜質(zhì)濃度相等，即在這一位置形成了pn結(jié)。xj稱為結(jié)深。表面濃度就是擴(kuò)散完成后在硅片表面的擴(kuò)散層中的雜質(zhì)含量

擴(kuò)散層質(zhì)量參數(shù)結(jié)深與表面濃度PN結(jié)位置76擴(kuò)散層質(zhì)量參數(shù)方塊電阻由摻雜濃度和結(jié)深決定，即由摻雜雜質(zhì)總量決定。圖中直線陳列四根金屬探針（一般用鎢絲腐蝕而成）排列在彼此相距為S一直線上，并且要求探針同時(shí)與樣品表面接觸良好，外面一對(duì)探針用來(lái)通電流、當(dāng)有電流注入時(shí)，樣品內(nèi)部各點(diǎn)將產(chǎn)生電位，里面一對(duì)探針用來(lái)測(cè)量2、3點(diǎn)間的電位差。方塊電阻測(cè)試原理均勻性好的分層擴(kuò)散層質(zhì)量參數(shù)小N2的流量小N2流量的大小決定了擴(kuò)散源濃度的大小，也就決定了硅片N區(qū)磷摻雜濃度的大小。增加小N2的流量可提高N區(qū)表面的摻雜濃度，改善金屬柵線與硅的接觸。源溫

POCl3是揮發(fā)性較強(qiáng)的物質(zhì)，常溫下為液態(tài)，源溫的變化會(huì)影響源氣的揮發(fā)量，使摻雜雜質(zhì)的總量發(fā)生變化,因此必須保證源溫相對(duì)穩(wěn)定擴(kuò)散溫度工藝溫度會(huì)影響雜質(zhì)在硅中的固溶度，從而影響摻雜電阻；時(shí)間一定的情況下，溫度會(huì)影響結(jié)深。擴(kuò)散的影響因素?cái)U(kuò)散時(shí)間擴(kuò)散溫度對(duì)PN結(jié)深影響較大。多晶硅的再分布時(shí)間加長(zhǎng)。

N型區(qū)域磷濃度和擴(kuò)散結(jié)深共同決定著方塊電阻的大小。排風(fēng)排風(fēng)不暢，會(huì)使摻雜氣體不能及時(shí)排出，集中在爐管之內(nèi)，使摻雜電阻大小、均勻性變化。

排風(fēng)大小主要由動(dòng)力部門控制，通常遠(yuǎn)離主排廢口的排風(fēng)風(fēng)速要小于主排廢口的風(fēng)速；同一臺(tái)擴(kuò)散爐下方爐管的風(fēng)速要小于上放爐管的風(fēng)速擴(kuò)散的影響因素n+/p硅太陽(yáng)能電池的發(fā)射極n+是由磷擴(kuò)形成的高濃度淺結(jié)區(qū)域，在此區(qū)中，由于電不活潑磷原子處于晶格間隙位置，會(huì)引起晶格缺陷，且由于磷、硅原子半徑不匹配，高濃度的磷還會(huì)造成晶格失配。因此在硅電池表層中，少數(shù)載流子的壽命極低，表層吸收短波光子所產(chǎn)生的光生載流子對(duì)電池的光電流輸出貢獻(xiàn)甚微，此層稱為“死層”。死層的定義利用氧化層的保護(hù)作用，透過(guò)氧化層進(jìn)行擴(kuò)散，可以減少高濃度淺結(jié)擴(kuò)散中造成的晶格損傷（晶格缺陷和失配），從而減少‘死層’的影響。提高短路電流、開(kāi)路電壓。擴(kuò)散的影響因素用于雜質(zhì)選擇擴(kuò)散的掩蔽膜

常用雜質(zhì)(硼,磷,砷等)在氧化層中的擴(kuò)散系數(shù)遠(yuǎn)小于在硅中的擴(kuò)散系數(shù)，因此氧化層具有阻擋雜質(zhì)向半導(dǎo)體中擴(kuò)散的能力。利用這一性質(zhì)，在硅上的二氧化硅層上刻出選擇擴(kuò)散窗口，則在窗口區(qū)就可以向硅中擴(kuò)散雜質(zhì)，其它區(qū)域被二氧化硅屏蔽，沒(méi)有雜質(zhì)進(jìn)入，實(shí)現(xiàn)對(duì)硅的選擇性擴(kuò)散。作為掩蔽膜時(shí)，一定要保證足夠厚的厚度，雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散或穿透深度必須要小于二氧化硅的厚度，并有一定的余量，以防止可能出現(xiàn)的工藝波動(dòng)影響掩蔽效果。氧化膜厚度對(duì)擴(kuò)散的影響擴(kuò)散的影響因素Part4：異常處理及調(diào)節(jié)

異常種類燒焦片、滴源片電阻異常片2/5/2023

擴(kuò)散前清洗不凈主因

制絨異常;

清洗機(jī)臺(tái)臟污;

酸液配比問(wèn)題;

換酸周期影響;

人員操作影響。

異常產(chǎn)品處理：氧化。異常種類

清洗干凈

清洗不凈85

燒焦/黑點(diǎn)

主因:

硅酸鹽殘留;

爐管污染;

噴源;

烘干或甩干不到位;

清洗有殘留;

硅片本身原因等.異常種類86

滴源片主因：交叉出爐時(shí)，在上方的爐子殘余的磷源，滴在下面的硅片上異常種類燒焦片產(chǎn)生原因燒焦片產(chǎn)生的原因很多，根本原因?yàn)檫M(jìn)爐前或進(jìn)爐后硅片表面被污染導(dǎo)致污染物在表面發(fā)生反應(yīng)造成燒焦異常。燒焦片類型主要有：齒痕燒焦；一點(diǎn)燒焦；麻點(diǎn)燒焦；邊緣燒焦；泛藍(lán)燒焦；其他類型燒焦。燒焦片滴源周邊燒焦小亮斑齒痕燒焦背面白色粉末燒焦背面白色粉末燒焦燒焦片麻點(diǎn)燒焦宏觀、微觀照片及原因分析麻點(diǎn)宏觀麻點(diǎn)燒焦在硅片上燒焦的位置不固定，且在舟上不一定連續(xù)出現(xiàn)，產(chǎn)生該種燒焦的原因一般為片源較臟，導(dǎo)致清洗不凈。微觀200倍微觀400倍微觀600倍正常絨面燒焦片四周燒焦宏觀、微觀照片及原因分析四周燒焦（發(fā)黃）宏觀微觀200倍微觀400倍微觀600倍四周燒焦，一般會(huì)導(dǎo)致四周顏色發(fā)黃。在多晶燒焦片中這種類型的燒焦片出現(xiàn)的較多。懷疑為清洗不凈所致。正常絨面燒焦片背面四周邊緣燒焦宏觀、微觀照片及原因分析背面四周邊緣燒焦（發(fā)黃）宏觀微觀200倍微觀400倍微觀600倍背面四周邊緣燒焦，大部分為清洗后未烘干所致。正常絨面燒焦片邊緣一點(diǎn)燒焦宏觀、微觀照片及原因分析邊緣一點(diǎn)燒焦宏觀微觀200倍微觀400倍微觀600倍正常絨面邊緣一點(diǎn)燒焦，一般為籃齒位置一點(diǎn)燒焦。懷疑為清洗不凈或籃齒位置未烘干所致。燒焦片一塊泛藍(lán)燒焦宏觀、微觀照片及原因分析一塊泛藍(lán)燒焦宏觀照片微觀200倍微觀400倍微觀600倍正常絨面一塊泛藍(lán)燒焦燒焦，大部分為清洗不凈或硅片本身被雜質(zhì)污染所致。齒痕燒焦宏觀、微觀照片及原因分析齒痕燒焦宏觀照片微觀200倍微觀400倍微觀600倍正常絨面齒痕燒焦燒焦，舟是否清洗干凈并督促生產(chǎn)清洗，同時(shí)關(guān)注烘干操作。燒焦片其它部分燒焦類型及原因分析履帶、滾輪印燒焦，統(tǒng)計(jì)異常片數(shù)量、時(shí)間段和制絨機(jī)臺(tái)，并通知制絨工藝注意制絨機(jī)臺(tái)。疊片燒焦，由于有碎片粘在片子上或者制絨后疊片進(jìn)爐擴(kuò)散，督促生產(chǎn)裝舟時(shí)注意檢查。查看硅片來(lái)源有無(wú)異常，車間潔凈度是否達(dá)標(biāo)燒焦片評(píng)審：1.小于1mm的麻點(diǎn)燒焦片不會(huì)對(duì)外觀產(chǎn)生任何影響。小于2mm的麻點(diǎn)燒焦片會(huì)產(chǎn)生淺白色小點(diǎn)。燒焦片效率要比baseline效率要略低。挑片容易產(chǎn)生花斑。處理流程：多晶156輕微燒焦片下傳標(biāo)準(zhǔn)2.正面小于1mm的麻點(diǎn)燒焦片直接下傳。3.正面小于2mm的麻點(diǎn)燒焦片如果小于等于3個(gè)，直接下傳。4.背面燒焦片面積小于5X5mm，直接下傳5.燒焦片不符合下傳標(biāo)準(zhǔn)的，需轉(zhuǎn)處理片。燒焦片評(píng)審及處理流程燒焦片

電阻異常異常定義：a.一點(diǎn)或多于一點(diǎn)阻值超出SPEC范圍;b.單片單點(diǎn)超出CL范圍,但單點(diǎn)在SPEC范圍內(nèi)。

異常主因:a.量測(cè)問(wèn)題;b.工藝運(yùn)行異常;c.片源問(wèn)題;d.換磷源影響;e.機(jī)臺(tái)部件影響(如buffer,石英門,隔熱板,石英舟等);f.溫區(qū)漂移;g.機(jī)臺(tái)硬體異常(如單向閥,流量計(jì)等);h.人員疏忽片源：（什么時(shí)候換片源，換片源后電阻/方差有無(wú)變化）；換源：（換源前源剩余多少；換源后電阻的變化）；恒溫區(qū)：（溫度波