GB/T 40109-2021表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜硅中硼深度剖析方法

ICS7104040

CCSG.04.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T40109—2021/ISO175602014

:

表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜

硅中硼深度剖析方法

Surfacechemicalanalysis—Secondary-ionmassspectrometry—

Methodfordepthprofilingofboroninsilicon

ISO175602014IDT

(:,)

2021-05-21發(fā)布2021-12-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T40109—2021/ISO175602014

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

符號(hào)和縮略語(yǔ)

3……………1

原理

4………………………2

參考物質(zhì)

5…………………2

用于校準(zhǔn)相對(duì)靈敏度因子的參考物質(zhì)

5.1……………2

用于校準(zhǔn)深度的參考物質(zhì)

5.2…………2

儀器

6………………………2

二次離子質(zhì)譜儀

6.1……………………2

觸針式輪廓儀

6.2………………………2

光學(xué)干涉儀

6.3…………………………2

樣品

7………………………2

步驟

8………………………2

二次離子質(zhì)譜儀的調(diào)整

8.1……………2

優(yōu)化二次離子質(zhì)譜儀的設(shè)定

8.2………………………3

進(jìn)樣

8.3…………………3

檢測(cè)離子

8.4……………3

樣品檢測(cè)

8.5……………3

校準(zhǔn)

8.6…………………4

結(jié)果表述

9…………………5

測(cè)試報(bào)告

10…………………5

附錄資料性針式表面輪廓儀測(cè)試統(tǒng)計(jì)報(bào)告

A()………6

參考文獻(xiàn)

………………………8

Ⅰ

GB/T40109—2021/ISO175602014

:

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件使用翻譯法等同采用表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜硅中硼深度剖析方

ISO17560:2014《

法

》。

與本文件中規(guī)范性引用的國(guó)際文件有一致性對(duì)應(yīng)關(guān)系的我國(guó)文件如下

:

表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜用均勻摻雜物質(zhì)測(cè)定硅中硼的原子濃

———GB/T20176—2006

度

(ISO14237:2000,IDT)

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC38)。

本文件起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所

:。

本文件主要起草人馬農(nóng)農(nóng)何友琴陳瀟張?chǎng)瓮鯑|雪李展平

:、、、、、。

Ⅲ

GB/T40109—2021/ISO175602014

:

引言

本文件為使用二次離子質(zhì)譜對(duì)硅中硼定量深度剖析而

(secondary-ionmassspectrometry,SIMS)

制定

。

對(duì)于定量深度剖析元素濃度和剖析深度的定標(biāo)都是必不可少的中規(guī)定了硅中

,。ISO14237:2010

硼濃度的測(cè)定方法本文件中引用了該國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)[2]中建立了表面化學(xué)分析領(lǐng)

,。GB/T22461

域常規(guī)術(shù)語(yǔ)和譜學(xué)術(shù)語(yǔ)的詞匯表本文件中涉及的相關(guān)術(shù)語(yǔ)和詞匯與之一致

,。

本文件適用于采用二次離子質(zhì)譜法對(duì)單晶硅多晶硅非晶硅中硼元素進(jìn)行深度剖析及用觸針式

、、,

表面輪廓儀或光學(xué)干涉儀進(jìn)行深度定標(biāo)

。

Ⅳ

GB/T40109—2021/ISO175602014

:

表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜

硅中硼深度剖析方法

1范圍

本文件描述了用扇形磁場(chǎng)或四極桿式二次離子質(zhì)譜儀對(duì)硅中硼進(jìn)行深度剖析的方法以及用觸針

,

式表面輪廓儀或光學(xué)干涉儀深度定標(biāo)的方法

。

本文件適用于硼原子濃度范圍163203的單晶硅多晶硅或非晶

1×10atoms/cm~1×10atoms/cm、

硅樣品濺射弧坑深度在及以上

,50nm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜用均勻摻雜物質(zhì)測(cè)定硅中硼的原子濃度

ISO14237:2010(Sur-

facechemicalanalysis—Secondary-ionmassspectrometry—Determinationofboronatomicconcentra-

tioninsiliconusinguniformlydopedmaterials)

3符號(hào)和縮略語(yǔ)

下列符號(hào)和縮略語(yǔ)適用于本文件

。

Ci第i個(gè)測(cè)試周期時(shí)硼總原子濃度用單位體積原子個(gè)數(shù)3表示

,,(atoms/cm)

Ci10第i個(gè)測(cè)試周期時(shí)硼同位素的原子濃度用單位體積原子個(gè)數(shù)3表示

,10,(atoms/cm)

Ci11第i個(gè)測(cè)試周期時(shí)硼同位素的原子濃度用單位體積原子個(gè)數(shù)3表示

,11,(atoms/cm)

di第i個(gè)測(cè)試周期時(shí)的深度用微米或納米表示

,(μm)(nm)

dt弧坑的深度用微米或納米表示

,(μm)(nm)

Ii10第i個(gè)周期測(cè)試時(shí)硼同位素離子強(qiáng)度用每秒計(jì)數(shù)表示

,10,(counts/s)

Ii11第i個(gè)測(cè)試周期時(shí)硼同位素離子強(qiáng)度用每秒計(jì)數(shù)表示

,11,(counts/s