GB/T 40110-2021表面化學(xué)分析全反射X射線(xiàn)熒光光譜法(TXRF)測(cè)定硅片表面元素污染

ICS7104040

CCSG.04.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T40110—2021/ISO147062014

:

表面化學(xué)分析

全反射X射線(xiàn)熒光光譜法TXRF

()

測(cè)定硅片表面元素污染

Surfacechemicalanalysis—Determinationofsurface

elementalcontaminationonsiliconwafersbytotal-reflection

X-rafluorescenceTXRFsectrosco

y()ppy

(ISO14706:2014,IDT)

2021-05-21發(fā)布2021-12-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T40110—2021/ISO147062014

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

縮略語(yǔ)

4……………………2

原理

5………………………2

儀器設(shè)備

6…………………2

試樣制備及其測(cè)量環(huán)境

7…………………2

校準(zhǔn)參考物質(zhì)

8……………3

安全性

9……………………3

測(cè)量程序

10…………………3

結(jié)果表達(dá)

11…………………4

精密度

12……………………5

測(cè)試報(bào)告

13…………………5

附錄資料性參考物質(zhì)

A()………………6

附錄資料性相對(duì)靈敏度因子

B()………………………7

附錄資料性參考物質(zhì)制備

C()…………10

附錄資料性法

D()VPD-TXRF………………………13

附錄資料性掠射角設(shè)置

E()……………14

附錄資料性國(guó)際實(shí)驗(yàn)室間試驗(yàn)結(jié)果

F()………………17

參考文獻(xiàn)

……………………20

Ⅰ

GB/T40110—2021/ISO147062014

:

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件等同采用表面化學(xué)分析全反射射線(xiàn)熒光光譜法測(cè)定硅片表

ISO14706:2014《X(TXRF)

面元素污染

》。

與本文件中規(guī)范性引用的國(guó)際文件有一致性對(duì)應(yīng)關(guān)系的我國(guó)文件如下

:

潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第部分空氣潔凈度等級(jí)

———GB/T25915.1—20101:(ISO14644-1:

1999,IDT)

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC38)。

本文件起草單位中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院華南理工大學(xué)

:、。

本文件主要起草人王海張艾蕊王梅玲任丹華徐昕榮范燕

:、、、、、。

Ⅲ

GB/T40110—2021/ISO147062014

:

引言

本文件是為了測(cè)量硅片表面元素污染的需要而制定的它是在和基礎(chǔ)半

,ASTMF1526、SEMIM33

導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展研究所發(fā)布的一個(gè)

(InstituteofBasicSemiconductorTechnologyDevelopment)UCS

超潔凈學(xué)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)化文件的基礎(chǔ)上制定而成的

(Ultra-CleanSociety,)。

需要利用參考物質(zhì)來(lái)做定量分析原子表面密度低于102的有證參考物質(zhì)難

TXRF。10atoms/cm

以獲得即使能夠獲得從環(huán)境引入的污染也可能會(huì)縮短這些參考物質(zhì)的有效期

。,。

出于校準(zhǔn)目的相關(guān)分析實(shí)驗(yàn)室都將需要制備和分析參考物質(zhì)因此需要分別制定

,TXRF。,

測(cè)量程序和參考物質(zhì)制備兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)化文件本文件為前者即關(guān)于測(cè)量程序的標(biāo)準(zhǔn)化

TXRF。,TXRF

文件

。

Ⅳ

GB/T40110—2021/ISO147062014

:

表面化學(xué)分析

全反射X射線(xiàn)熒光光譜法TXRF

()

測(cè)定硅片表面元素污染

1范圍

本文件描述了測(cè)量經(jīng)化學(xué)機(jī)械拋光或外延生長(zhǎng)的硅片上表面元素污染的原子表面密度的

TXRF

方法

。

本文件適用于以下情形

:

原子序數(shù)從到的元素

———16(S)92(U);

原子表面密度介于102142之間的污染元素

———1×10atoms/cm~1×10atoms/cm;

采用氣相分解樣品制備方法得到的原子表面密度介于8212

———VPD()5×10atoms/cm~5×10at-

2之間的污染元素見(jiàn)

oms/cm(3.4)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

潔凈室及相關(guān)控制環(huán)境第部分空氣潔凈度等級(jí)

ISO14644-11:(Cleanroomsandassociated

controlledenvironments—Part1:Classificationofaircleanliness)

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

31

.

全反射totalreflection

掠入射射線(xiàn)輻照到一種具有較大射線(xiàn)光密度的介質(zhì)時(shí)在兩種介質(zhì)邊界處發(fā)生的完全反射

XX,。

注硅片對(duì)于射線(xiàn)的折射率小于以小的掠射角入射到硅片表面的射線(xiàn)會(huì)在硅片表面發(fā)生全反射此時(shí)反