GB/T 41033-2021CMOS集成電路抗輻射加固設(shè)計(jì)要求

ICS49035

CCSV.29

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T41033—2021

CMOS集成電路抗輻射加固設(shè)計(jì)要求

DesignrequirementsofradiationhardeningforCMOSIC

2021-12-31發(fā)布2022-07-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T41033—2021

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)定義和縮略語(yǔ)

3、………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3.1…………………………1

縮略語(yǔ)

3.2………………2

設(shè)計(jì)流程

4…………………2

抗輻射加固設(shè)計(jì)要求

5……………………3

抗總劑量輻射加固設(shè)計(jì)原則與要求

5.1………………3

抗單粒子輻射加固設(shè)計(jì)原則與要求

5.2………………7

集成電路輻射效應(yīng)建模與仿真要求

6……………………10

集成電路輻射效應(yīng)建模與仿真一般要求

6.1…………10

集成電路輻射效應(yīng)建模與仿真要求

6.2………………10

集成電路輻射效應(yīng)建模與仿真方法

6.3………………10

輻照驗(yàn)證試驗(yàn)要求

7………………………11

總劑量輻照驗(yàn)證試驗(yàn)要求

7.1…………11

單粒子輻照驗(yàn)證試驗(yàn)要求

7.2…………14

GB/T41033—2021

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)宇航技術(shù)及其應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC425)。

本文件起草單位中國(guó)航天科技集團(tuán)有限公司第九研究院第七七一研究所

:。

本文件主要起草人劉智葛梅謝成民王斌于洪波岳紅菊姚思遠(yuǎn)李海松耿增建胡巧玉

:、、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T41033—2021

CMOS集成電路抗輻射加固設(shè)計(jì)要求

1范圍

本文件規(guī)定了集成電路抗輻射總劑量單粒子加固設(shè)計(jì)的流程設(shè)計(jì)要求建模仿真驗(yàn)

CMOS(、)、、、

證試驗(yàn)要求

。

本文件適用于基于體硅工藝的數(shù)字集成電路模擬集成電路和數(shù)?；旌霞呻娐返?/p>

/SOICMOS、

抗輻射總劑量單粒子加固設(shè)計(jì)

(、)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,。,()

本文件

。

集成電路術(shù)語(yǔ)

GB/T9178

3術(shù)語(yǔ)定義和縮略語(yǔ)

、

31術(shù)語(yǔ)和定義

.

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T9178。

311

..

總劑量輻射效應(yīng)totalionizingdoseeffectsTID

;

總劑量輻射效應(yīng)是指電離輻射的累積導(dǎo)致器件的參數(shù)發(fā)生退化的現(xiàn)象

。

312

..

單粒子效應(yīng)singleeventeffectsSEE

;

具有一定能量的單個(gè)重離子或質(zhì)子射入集成電路引發(fā)集成電路翻轉(zhuǎn)鎖定燒毀等致使集成電路

,、、,

性能退化或功能失效的現(xiàn)象的統(tǒng)稱

。

313

..

單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)singleeventupseteffectsSEU

;

由單粒子輻射引發(fā)集成電路邏輯狀態(tài)改變的效應(yīng)

。

314

..

單粒子瞬態(tài)效應(yīng)singleeventtransienteffectsSET

;

由單粒子輻射導(dǎo)致集成電路輸出端出現(xiàn)異常脈沖信號(hào)的效應(yīng)