GB/T 41064-2021表面化學(xué)分析深度剖析用單層和多層薄膜測定X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜中深度剖析濺射速率的方法

ICS7104040

CCSG.04.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T41064—2021/ISO171092015

:

表面化學(xué)分析深度剖析用單層和

多層薄膜測定X射線光電子能譜俄歇

、

電子能譜和二次離子質(zhì)譜中深度剖析

濺射速率的方法

Surfacechemicalanalysis—Depthprofiling—Methodforsputterrate

determinationinX-rahotoelectronsectroscoAuerelectronsectrosco

ypppy,gppy

andsecondary-ionmassspectrometrysputterdepthprofilingusingsingleand

multi-layerthinfilms

ISO171092015IDT

(:,)

2021-12-31發(fā)布2022-07-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T41064—2021/ISO171092015

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

單層和多層薄膜參考物質(zhì)的要求

4………………………1

濺射速率的確定

5…………………………2

附錄資料性國際比對實驗報告

A()……………………5

附錄資料性通過濺射產(chǎn)額列表值估算其他材料的濺射速率

B()……11

參考文獻

……………………12

Ⅰ

GB/T41064—2021/ISO171092015

:

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件等同采用表面化學(xué)分析深度剖析用單層和多層薄膜測定射線光電

ISO17109:2015《X

子能譜俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜中深度剖析濺射速率的方法

、》。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC38)。

本文件起草單位清華大學(xué)中國石油大學(xué)北京

:、()。

本文件主要起草人姚文清段建霞楊立平王雅君李展平徐同廣王巖華

:、、、、、、。

Ⅲ

GB/T41064—2021/ISO171092015

:

引言

表面化學(xué)分析的濺射速率通常是由輪廓儀測得的濺射深度與濺射時間的比率然而這種方法只能

,

測得多層薄膜的平均濺射速率無法測量由不同濺射速率材料構(gòu)成多層薄膜的濺射速率并且濺射速

,。

率也受到各種材料制備參數(shù)的影響因此很難對其進行制表推算和用于濺射深度校準(zhǔn)為了提高準(zhǔn)確

,。

度在每個實驗室的特定實驗條件下對濺射速率進行測定是很重要的濺射速率應(yīng)使用比濺射離子范

,,。

圍更厚的單層來確定這樣表面瞬態(tài)效應(yīng)可以忽略不計或者使用多層薄膜可以排除表面瞬態(tài)現(xiàn)象的

,。,

影響并且使界面瞬變最小化本文件利用俄歇電子能譜射線光電子能譜和二次離子

,。(AES)、X(XPS)

質(zhì)譜對單層和多層薄膜進行深度剖析通過測定濺射速率實現(xiàn)濺射深度的校準(zhǔn)測定的濺射速

(SIMS),。

率可用于預(yù)測各種其他材料的濺射速率以便在常規(guī)樣品中通過濺射產(chǎn)額和體積密度的表值估算深度

,

尺度或濺射時間

。

Ⅳ

GB/T41064—2021/ISO171092015

:

表面化學(xué)分析深度剖析用單層和

多層薄膜測定X射線光電子能譜俄歇

、

電子能譜和二次離子質(zhì)譜中深度剖析

濺射速率的方法

1范圍

本文件規(guī)定了一種通過測定濺射速率校準(zhǔn)材料濺射深度的方法即在一定濺射條件下測定一種具

,

有單層或多層膜參考物質(zhì)的濺射速率用作相同材料膜層的深度校準(zhǔn)當(dāng)使用俄歇電子能譜

,。(AES)、

射線光電子能譜和二次離子質(zhì)譜進行深度分析時這種方法對于厚度在

X(XPS)(SIMS),20nm~200nm

之間的膜層具有的準(zhǔn)確度濺射速率是由參考物質(zhì)相關(guān)界面間的膜層厚度和濺射時間決

5%~10%。

定使用已知的濺射速率并結(jié)合濺射時間可以得到被測樣品的膜層厚度測得的離子濺射速率可用

。,。

于預(yù)測各種其他材料的離子濺射速率從而可以通過濺射產(chǎn)額和原子密度的表值估算出這些材料的深

,

度尺度和濺射時間

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

表面化學(xué)分析濺射深度剖析用層狀膜系為參考物質(zhì)的優(yōu)化方法

ISO14606(Surfacechemical

analysis—Sputterdepthprofiling—Optimizationusinglayeredsystemsasreferencematerials)

注表面化學(xué)分析濺射深度剖析用層狀膜系為參考物質(zhì)的優(yōu)化方法

:GB/T20175—2006(ISO14606:2000,

IDT)

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

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