標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 4585-2004 交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污穢試驗(yàn)》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn),旨在通過模擬自然環(huán)境中的污穢條件來測(cè)試高壓絕緣子在特定污染情況下的性能。該標(biāo)準(zhǔn)適用于評(píng)估和比較不同類型的絕緣子在人工施加的污穢條件下耐受閃絡(luò)的能力。根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行的試驗(yàn)?zāi)軌驇椭圃焐?、用戶以及研究人員了解絕緣子在實(shí)際運(yùn)行中可能遇到的各種污染物影響下的電氣性能。
按照該標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定,試驗(yàn)主要關(guān)注以下幾個(gè)方面:
- 試驗(yàn)對(duì)象:適用于額定電壓等級(jí)為3kV及以上的新制造或使用中的盤形懸式瓷或玻璃絕緣子。
- 污穢類型:包括固體層法(如鹽密)、霧滴法等方法來模擬自然界中存在的不同類型污穢。
- 試驗(yàn)條件:詳細(xì)規(guī)定了試驗(yàn)所需的大氣溫度、濕度等環(huán)境參數(shù)要求;同時(shí)對(duì)于不同種類的污穢物質(zhì)及其配比也給出了明確指示。
- 閃絡(luò)電壓測(cè)定:通過逐漸增加施加于試品兩端的電壓直至發(fā)生首次閃絡(luò)現(xiàn)象,并記錄此時(shí)的電壓值作為閃絡(luò)電壓。
- 結(jié)果評(píng)價(jià):基于實(shí)驗(yàn)獲得的數(shù)據(jù)對(duì)絕緣子抗污能力進(jìn)行評(píng)估,通常以閃絡(luò)電壓與清潔狀態(tài)下的干閃電壓之比表示其耐污性能的好壞。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2004-05-14 頒布
- 2005-02-01 實(shí)施
文檔簡介
ICS29.080.10K48中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T4585-2004/IEC60507:1991代替GB/T4585.1—1984.GB/T4585.2-1991交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污秒試驗(yàn)Artificialpollutiontestsonhigh-voltageinsulatorstobeusedona.c.systems(IEC60507:1991,IDT)2004-05-14發(fā)布2005-02-01實(shí)施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
GB/T4585-2004/IEC60507:1991三次前言第一節(jié)總?cè)绶秶?目的3定義第二節(jié)-般試驗(yàn)要求4試驗(yàn)方法5被試絕緣子的準(zhǔn)備對(duì)試驗(yàn)設(shè)備要求第三節(jié)鹽霧法7鹽溶液8噴霧系統(tǒng)武驗(yàn)開始前的條件10預(yù)處理過程……耐受試驗(yàn)……12耐受試驗(yàn)的接收準(zhǔn)則·第四節(jié)固體層法污液的組成·精性材料的主要特性15虧層的涂覆…………16被試絕緣子污移度的測(cè)定17污層濕潤的一般要求1018試驗(yàn)程序·………19耐受試驗(yàn)和接收準(zhǔn)則(對(duì)程序A和B都通用的)附錄A(資料性附錄)評(píng)定試驗(yàn)設(shè)備是否要求的補(bǔ)充資料14附錄B(資料性附錄)絕緣子耐受特性的測(cè)定·附錄C(資料性附錄)檢驗(yàn)污層均勻性的污層電導(dǎo)率的測(cè)量17附錄D(資料性附錄)與固體層法程序有關(guān)的補(bǔ)充推薦·1o
GB/T4585-2004/IEC60507:1991本標(biāo)準(zhǔn)等同采用IEC60507:1991《交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污移試驗(yàn)》英文版)為便于使用,本標(biāo)準(zhǔn)做了下列編輯性修改:a)用小數(shù)點(diǎn)"."代替作為小數(shù)點(diǎn)的運(yùn)號(hào)",";刪除IEC60507:1991的前言。本標(biāo)準(zhǔn)代替(B/T4585.1—1984《交流系統(tǒng)用高壓絕緣子人工污移試驗(yàn)方法鹽霧法》和GB/T4585.2—1991《交流系統(tǒng)用高壓絕緣子人工污移試驗(yàn)方法固體層法》。本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T4585.1—1984和GB/T4585.2—1991相比主要變化如下:對(duì)對(duì)試驗(yàn)設(shè)備的短路電流要求不同。GB/T4585.1和GB/T4585.2規(guī)定短路電流不小于10A,而本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定短路電流與被試絕緣子爬電比距有關(guān),當(dāng)爬電比距在16mm/kV至25mm/kV之間變化時(shí),最小短路電流應(yīng)在6A至15A之間變化才能滿足要求:本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定絕緣子鹽霧法試驗(yàn)時(shí)應(yīng)進(jìn)行預(yù)處理(本標(biāo)準(zhǔn)的第10章),而GB/T4585.1無此規(guī)定GB/T4585.2規(guī)定的染污方法包括有定量涂刷法,而本標(biāo)準(zhǔn)未規(guī)定此方法GB/T4585.2規(guī)定染污的污液有兩種,其中的情性材料一為硅藻土,另一為硅藻土和高度分散的二氧化硅。本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的染污污液有兩種,其中一種與GB/T4585.2相同,所含情性材料為硅藻土和高度分散二氧化硅.另一種所含情性材料為高嶺土(或硒石粉)。本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A、附錄B、附錄C、附錄D均為資料性附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由中國電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國絕緣子標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:西安電瓷研究所、武漢高壓研究所、重慶大學(xué)。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:李大楠、吳光亞、蔣興良、丘志賢本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:GB/T4585.1-1984、GB/T4585.2-1991
GB/T4585-2004/IEC60507:1991交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污秒試驗(yàn)第一節(jié)總1范圍本標(biāo)準(zhǔn)適用于系統(tǒng)最高電壓1kV~765kV范圍內(nèi)的交流系統(tǒng)用戶外和暴露在污移大氣中的瓷和玻璃絕緣子的工頻耐受特性的測(cè)定這這些試驗(yàn)不能直接應(yīng)用于涂油絕緣子和特殊型式的絕緣子(具有半導(dǎo)電釉的絕緣子或覆蓋有任何有機(jī)絕緣材料的絕緣子)目的本標(biāo)準(zhǔn)的目的是規(guī)定適用于架空線路、變電站、牽引線路絕緣子以及套管的人工污移試驗(yàn)程序,定義為本標(biāo)準(zhǔn)的目的·規(guī)定了下列定義3.1試驗(yàn)電壓tcstvoltage在整個(gè)試驗(yàn)期間連續(xù)地施加到絕緣子上的電壓的方均根值3.2試驗(yàn)設(shè)備的短路電流(L.)short-circuitcurrent(L.)ofthetestingplant試品在試驗(yàn)電壓下短路時(shí)由試驗(yàn)設(shè)備所供給的電流的方均根值33絕緣子的爬電比距(L、)specificcreepagedistance(Ls)ofaninsulator絕緣子的總爬電距離L除以試驗(yàn)電壓與V3的積;它通常以mm/kV來表示。3.4絕緣子的形狀因數(shù)(F)Formfactorofaninsulator(F)形狀因數(shù)是由絕緣子尺寸確定的。為了圖解估算此形狀因數(shù),應(yīng)將絕緣子圓周的倒數(shù)值(1/P)對(duì)從絕緣子一端到所考慮點(diǎn)的局部爬電距離7畫出。形狀因數(shù)由這個(gè)曲線下的面積給出并按下式計(jì)算:3.5鹽度(S.)salinity(S.)鹽在
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