標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 6621-2009 硅片表面平整度測(cè)試方法》與《GB/T 6621-1995 硅拋光片表面平整度測(cè)試方法》相比,在內(nèi)容上有以下變更:

首先,適用范圍有所擴(kuò)展。2009版標(biāo)準(zhǔn)不僅適用于硅拋光片,還涵蓋了更廣泛的硅片類型,包括但不限于單晶硅、多晶硅等材料制成的硅片。

其次,對(duì)于測(cè)試設(shè)備的要求更加具體化了。新版本中詳細(xì)規(guī)定了測(cè)試儀器的技術(shù)參數(shù)要求,比如平面度測(cè)量?jī)x或干涉儀的分辨率、重復(fù)性誤差等指標(biāo),確保了不同實(shí)驗(yàn)室之間測(cè)試結(jié)果的一致性和可比性。

再者,關(guān)于樣品準(zhǔn)備及處理過程也進(jìn)行了修訂。例如,明確了試樣清洗的具體步驟以及如何避免在制備過程中引入額外的表面損傷;增加了對(duì)環(huán)境條件(如溫度、濕度)控制的規(guī)定,以減少外界因素對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響。

此外,數(shù)據(jù)處理方法得到了改進(jìn)。新版標(biāo)準(zhǔn)引入了更為先進(jìn)的數(shù)據(jù)分析技術(shù),用于從原始數(shù)據(jù)中提取出有效信息,并提供了具體的計(jì)算公式和評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn),使得最終得到的平整度數(shù)值更加準(zhǔn)確可靠。

最后,附錄部分新增了一些輔助性資料,包括典型缺陷圖像示例及其對(duì)應(yīng)的特征描述,有助于使用者更好地理解和識(shí)別實(shí)際檢測(cè)過程中可能出現(xiàn)的各種情況。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2009-10-30 頒布
  • 2010-06-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

犐犆犛29.045

犎80

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅/犜6621—2009

代替GB/T6621—1995

硅片表面平整度測(cè)試方法

犜犲狊狋犻狀犵犿犲狋犺狅犱狊犳狅狉狊狌狉犳犪犮犲犳犾犪狋狀犲狊狊狅犳狊犻犾犻犮狅狀狊犾犻犮犲狊

20091030發(fā)布20100601實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

犌犅/犜6621—2009

前言

本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T6621—1995《硅拋光片表面平整度測(cè)試方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T6621—1995相比,主要變動(dòng)如下:

———將名稱修改為“硅片表面平整度測(cè)試方法”;

———去掉了目前較少采用的干涉法,只保留了目前常用的電容法;

———增加“引用標(biāo)準(zhǔn)”;

———對(duì)“方法提要”、“儀器裝置”、“測(cè)量程序”、“計(jì)算”進(jìn)行了全面修改;

———經(jīng)實(shí)驗(yàn)重新確定了精密度;

———在第一章增加本標(biāo)準(zhǔn)適用的試樣范圍;

———在“試樣”一章中說明對(duì)所測(cè)試樣的要求。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位:上海合晶硅材料有限公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:徐新華、嚴(yán)世權(quán)、王珍。

本標(biāo)準(zhǔn)所替代標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:

———GB/T6621—1986、GB/T6621—1995。

犌犅/犜6621—2009

硅片表面平整度測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用電容位移傳感器測(cè)定硅拋光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蝕片也可參考此

方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)直徑76mm、100mm、125mm、150mm、200mm,電阻率不大于200Ω·cm

厚度不大于1000μm的硅拋光片的表面平整度和直觀描述硅片表面的輪廓形貌。

2方法概述

2.1將硅片平放入一對(duì)同軸對(duì)置的電容位移傳感器(簡(jiǎn)稱探頭)之間,對(duì)探頭施加一高頻電壓,硅片與

探頭之間便形成了高頻電場(chǎng),其間各形成了一個(gè)電容。探頭中電路測(cè)量其間電流變化量,便可測(cè)得該電

容值犆。如圖1所示。犆由式(1)給出:

犇———A,B探頭間距離;

犪———A探頭與上表面距離;

犫———B探頭與下表面距離;

狋———硅片厚度。

圖1電容位移傳感器測(cè)量方法示意圖

犓·犃

犆=+犆0…………(1)

犪+犫

式中:

犆———在上、下探頭和硅片表面之間所測(cè)得總電容值,單位為法拉(F);

犓———自由空間介電常數(shù),單位為法拉每米F/m;

犃———探頭表面積,單位為平方米(m2);

犪———A探頭與上表面距離,單位為米(m);

犫———B探頭與下表面距離,單位為米(m);

犆0———主要由探頭結(jié)構(gòu)而產(chǎn)生的寄生電容,單位為法拉(F)。

2.2由于在測(cè)量時(shí),兩探頭之間的距離

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