GB/T 8756-1988鍺晶體缺陷圖譜

UDC.669.783：620.18訂24中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB8756-88緒晶體缺陷圖譜Collectionofmetallographsondefectsofcrystallinegermanium1988-02-25發(fā)布1989-02-01實(shí)施家標(biāo)準(zhǔn)國(guó)發(fā)布

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)UDC669.783·620.18圖體缺GB8756-88Collectionofmetallographsondefectsofcrystaliinegermanium本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了錯(cuò)多晶、錯(cuò)單晶制備和機(jī)械加工工藝過(guò)程中所產(chǎn)生的各類缺陷的形魏。本標(biāo)準(zhǔn)適用于錯(cuò)多品、錯(cuò)單品、錯(cuò)研磨片和地光鏡片的生產(chǎn)和研究。錯(cuò)二極管、品體管和紅外窗口的制造亦可參照使用。1錯(cuò)多品缺陷1.1氧化物1.1.1特征晶體表面失去銀灰色金屬光澤，呈現(xiàn)不同顏色的表面膜(圖1)。1.1.2產(chǎn)生原因氧化物是由于品體生長(zhǎng)時(shí)或長(zhǎng)期暴露在空氣中，氧或水與錯(cuò)反應(yīng)以及在操作過(guò)程中引進(jìn)的有機(jī)物在高溫下分解，而后與錯(cuò)反應(yīng)生成。1.2.浮渣1.2.1特征在晶體表面呈現(xiàn)無(wú)金屬光澤的灰色薄層(圖2)。11.2.2產(chǎn)生原因浮渣是由氧與錯(cuò)和錯(cuò)中的硅相互作用的生成物以及碳等漂浮在錯(cuò)熔體表面，熔體凝固后形成。1.3孔洞和空洞1.3.1晶體表面孔洞1.3.1.1特征在區(qū)熔、還原以及熔鑄后，鋪晶體與容器相接觸的表面可見到大小不等的坑(圖3和圖4)。1.3.1.2產(chǎn)生原因在定向結(jié)品、區(qū)熔提純和熔鑄過(guò)程中，熔體凝固時(shí)，熔體中的氣體不能及時(shí)排出，致使與石墨容器（特別是沉碳容器)接觸的品體表面產(chǎn)生大小不等的坑。1.3.2晶體體內(nèi)空洞1.3.2.1特征在區(qū)熔錯(cuò)和熔鑄錯(cuò)鍵中有空洞時(shí)，在其切斷面上可見到大小不等、形狀各異的坑(圖5)1.3.2.2產(chǎn)生原因榕體凝固時(shí)，溶于其中的氣體呈過(guò)飽知狀態(tài)，冷卻速度過(guò)快，氣體不能及時(shí)排出，聚集于晶體內(nèi)而形成空洞。13.2.3消除方法采取降低冷卻速度、定向結(jié)品或抽真空等方法可消除品體內(nèi)的空洞。1.3.3空洞夾層1