標(biāo)準(zhǔn)解讀

《ys/t 14-2015 異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測(cè)量方法》相較于《ys/t 14-1991》,在內(nèi)容上進(jìn)行了更新與調(diào)整,以適應(yīng)技術(shù)進(jìn)步及行業(yè)需求的變化。主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:

首先,在適用范圍上,《ys/t 14-2015》不僅涵蓋了原有的異質(zhì)外延層厚度測(cè)量,還增加了對(duì)硅多晶層厚度測(cè)量的規(guī)定,使得標(biāo)準(zhǔn)更加全面地服務(wù)于半導(dǎo)體材料檢測(cè)領(lǐng)域。

其次,在術(shù)語(yǔ)定義部分,《ys/t 14-2015》對(duì)一些關(guān)鍵術(shù)語(yǔ)進(jìn)行了修訂或新增,確保了專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)使用的準(zhǔn)確性與一致性,有助于減少因理解差異而造成的測(cè)量誤差。

再者,《ys/t 14-2015》對(duì)于測(cè)量方法的選擇給出了更為詳細(xì)具體的指導(dǎo),包括但不限于光學(xué)干涉法、掃描電子顯微鏡法等現(xiàn)代先進(jìn)技術(shù)的應(yīng)用介紹,旨在提高測(cè)量結(jié)果的精確度與可靠性。

此外,新版本標(biāo)準(zhǔn)還加強(qiáng)了對(duì)實(shí)驗(yàn)條件控制的要求,比如環(huán)境溫度、濕度等因素的影響分析,并提出了相應(yīng)的解決方案,保證了不同實(shí)驗(yàn)室之間數(shù)據(jù)的一致性和可比性。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2015-04-30 頒布
  • 2015-10-01 實(shí)施
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YS/T 14-2015異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測(cè)量方法_第1頁(yè)
YS/T 14-2015異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測(cè)量方法_第2頁(yè)
YS/T 14-2015異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測(cè)量方法_第3頁(yè)
YS/T 14-2015異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測(cè)量方法_第4頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

ICS77040

H21.

中華人民共和國(guó)有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

YS/T14—2015

代替

YS/T14—1991

異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測(cè)量方法

Testmethodforthicknessofheteroepitaxylayersandpolycrystallinelayers

2015-04-30發(fā)布2015-10-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部發(fā)布

中華人民共和國(guó)有色金屬

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測(cè)量方法

YS/T14—2015

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20164

*

書(shū)號(hào)

:155066·2-29136

版權(quán)專(zhuān)有侵權(quán)必究

YS/T14—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測(cè)量方法

YS/T14—1991《》。

本標(biāo)準(zhǔn)與異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測(cè)量方法相比主要變化如下

YS/T14—1991《》:

測(cè)量范圍由改為

———1μm~20μm1μm~100μm;

增加了規(guī)范性引用文件和干擾因素

———;

方法提要中用表面臺(tái)階儀測(cè)量臺(tái)階高度代替表面光潔度儀測(cè)量臺(tái)階高度

———;

修改了試樣制備過(guò)程測(cè)量步驟及圖圖

———、1、2;

重新計(jì)算了精密度

———。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC243)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位南京國(guó)盛電子有限公司有研新材料股份有限公司上海晶盟硅材料有限公司

:、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人馬林寶楊帆葛華劉小青孫燕徐新華

:、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———YS/T14—1991。

YS/T14—2015

異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測(cè)量方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測(cè)量方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量襯底與沉積層之間界面層厚度小于的異質(zhì)外延層和硅多晶層的厚度

100nm,

測(cè)量范圍為

1μm~100μm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅片電阻率測(cè)定擴(kuò)展電阻探針?lè)?/p>

GB/T6617

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法

GB/T14847

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

在待測(cè)試樣的表面除留出一定測(cè)量區(qū)域外全部用蠟掩藏將預(yù)留區(qū)域內(nèi)的被測(cè)量層腐蝕掉形成

,,,

一個(gè)臺(tái)階除去掩膜蠟用表面臺(tái)階儀測(cè)量臺(tái)階的高度便可得到異質(zhì)外延層或硅多晶層的厚度

。,,。

5干擾因素

51環(huán)境溫濕度儀器震動(dòng)會(huì)影響測(cè)量結(jié)果

.、。

52試樣表面處理后的光潔度會(huì)影響測(cè)量軌跡

.。

53兩條測(cè)量軌跡線的不平行度會(huì)影響測(cè)量精度

.。

6試劑和材料

61氫氟酸ρ分析純

.:=1.15g/mL,。

62硝酸ρ分析純

.:=1.42g/mL,。

63高純水電阻率大于

.:2MΩ·cm(25℃)。

64三氯乙烯分析純

.:。

65無(wú)水乙醇分析純

.:。

66化學(xué)腐蝕劑氫氟酸硝酸的混合液

.A:(6.1)∶

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