![2023年真題中晶體結(jié)構(gòu)_第1頁](http://file4.renrendoc.com/view/056ca2ce1b9a79fb1fb5446e88ebce24/056ca2ce1b9a79fb1fb5446e88ebce241.gif)
![2023年真題中晶體結(jié)構(gòu)_第2頁](http://file4.renrendoc.com/view/056ca2ce1b9a79fb1fb5446e88ebce24/056ca2ce1b9a79fb1fb5446e88ebce242.gif)
![2023年真題中晶體結(jié)構(gòu)_第3頁](http://file4.renrendoc.com/view/056ca2ce1b9a79fb1fb5446e88ebce24/056ca2ce1b9a79fb1fb5446e88ebce243.gif)
![2023年真題中晶體結(jié)構(gòu)_第4頁](http://file4.renrendoc.com/view/056ca2ce1b9a79fb1fb5446e88ebce24/056ca2ce1b9a79fb1fb5446e88ebce244.gif)
![2023年真題中晶體結(jié)構(gòu)_第5頁](http://file4.renrendoc.com/view/056ca2ce1b9a79fb1fb5446e88ebce24/056ca2ce1b9a79fb1fb5446e88ebce245.gif)
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真題中晶體結(jié)構(gòu)綠寶石Be3Al2[Si6O18]上半個晶胞在(0001)面上的投影圖如圖1所示,整個晶胞的結(jié)構(gòu)按照標(biāo)高50處的鏡面經(jīng)反映即可得到。根據(jù)圖1回答下列問題:(20分)1.綠寶石的硅氧比為多少?硅氧四周體組成的是什么結(jié)構(gòu)?(4分)2.Be和Al分別與周邊什么標(biāo)高的幾個氧配位?構(gòu)成的配位多面體是什么?它們之間又是如何連接的?(8分)3.用Pauling的連接規(guī)則說明標(biāo)高65的氧電價是否平衡?(4分)4.根據(jù)結(jié)構(gòu)說明綠寶石熱膨脹系數(shù)不高、當(dāng)半徑小的Na+存在時,在直流電場下具有顯著離子電導(dǎo)的因素。答:1,O/Si=3組群狀結(jié)構(gòu)2,Be2+與兩個標(biāo)高為65,2個標(biāo)高為25的O2-配位,形成[BeO4]四周體,Al3+與三個標(biāo)高為65,3個標(biāo)高為85的O2-配位,形成[AlO6]八面體,[BeO4]四周體和[AlO6]八面體之間公用標(biāo)高為65,85的2個O2-離子,即共棱連接。3,標(biāo)高為65的O2-同時與一個Be2+,1個Al3+,1個Si4+相連。靜電強(qiáng)度==O2-的電荷數(shù),所以電價飽和。4,綠寶石結(jié)構(gòu)中的六節(jié)環(huán)內(nèi)沒有其他例子存在,使晶體結(jié)構(gòu)中存在大的環(huán)形空腔,當(dāng)有電價低,半徑小的Na+離子存在時,在直流電場中會表現(xiàn)出顯著離子導(dǎo)電,當(dāng)晶體受熱時,質(zhì)點熱振動振幅增大,大的空腔使晶體不會有明顯的膨脹,因而表現(xiàn)出較小的參見滑石、蒙脫石、白云母的結(jié)構(gòu)圖,回答下列問題1.說明為什么這些礦物易在垂直c軸方向解理?(5分)2.為什么滑石粉末有滑膩感而白云母粉末沒有?(5分)3.解釋為什么蒙脫石易吸水,而滑石比較不易吸水?(5分)4.用電價規(guī)則說明Al3+置換骨架中的Si4+時,通常不超過一半,否則將使結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定。答:1,由于在層與層之間沒有較強(qiáng)的化學(xué)鍵來連接,滑石層與層之間依靠較弱的分子間力來結(jié)合,蒙脫石層間由于Al3+可被Mg2+取代,使復(fù)網(wǎng)層帶少量負(fù)電荷,白云母K+進(jìn)行層間平衡電荷,但其較硅氧層的結(jié)合力弱的多。2,由于滑石層與層之間只能依靠較弱的分子間力來結(jié)合致使層間易相對滑動,而白云母層與層之間是是K+與硅氧層結(jié)合,雖然比層內(nèi)化學(xué)鍵弱得多,但比分子間結(jié)合力大得多。3,由于蒙脫石結(jié)構(gòu)中由于Al3+可被Mg2+取代,但復(fù)網(wǎng)層并不呈電中性,帶有少量的負(fù)電荷,且復(fù)網(wǎng)層之間有斥力,使略帶電中性的水化正離子易進(jìn)入層間,如此同時,水分子也易滲透進(jìn)層間,而滑石復(fù)網(wǎng)層內(nèi)事電中性的。4,當(dāng)有一半取代時:O2-離子的電荷數(shù)為:與O2-電荷數(shù)差值為,若取代超多一半則兩者差必然超過,超過結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定。根據(jù)纖鋅礦(六方ZnS)結(jié)構(gòu)圖回答下列問題(12分):(1)指出結(jié)構(gòu)中正負(fù)離子的堆積方式;(2)寫出正負(fù)離子的配位數(shù)及配位多面體;(3)分別計算立方柱晶胞和平行六面體晶胞的晶胞分子數(shù);(4)纖鋅礦結(jié)構(gòu)為什么具有熱釋電性?答:(1)S2-做六方最緊密堆積,Zn2-也做六方最緊密堆積,占四周體空隙的1/2(2)配位數(shù)都為4,[SZn4][ZnS4](3)六方柱晶體中ZnS分子數(shù)為6,平行六面體中分子數(shù)為2.其結(jié)構(gòu)中無對稱中心,加熱使整個晶體溫度變化,結(jié)果在該晶體C軸垂直方向的一端出現(xiàn)正電荷,在相反的一側(cè)出現(xiàn)負(fù)電荷的性質(zhì)。2.簡述硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)的基本特點(8分)。答:硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜,但不同結(jié)構(gòu)之間具有下面的共同特點:(1)結(jié)構(gòu)中Si4+離子位于O2-離子形成的四周體中心,構(gòu)成硅酸鹽的基本結(jié)構(gòu)單元[SiO4]四周體。(2)[SiO4]四周體的每個頂點,即O2-離子最多只能為兩個[SiO4]四周體所共用。(3)兩個相鄰的[SiO4]四周體之間只能共頂而不能共棱或共面連接。(4)[SiO4]四周體中心的Si4離子可部分的被Al3+所取代,取代后結(jié)構(gòu)自身并不發(fā)生變化,即所謂同晶取代,但晶體的性質(zhì)卻發(fā)生很大的變化。鎂鋁尖晶石MgAl2O4晶體結(jié)構(gòu)中,氧離子作面心立方堆積,結(jié)構(gòu)中A塊和B塊的質(zhì)點配置見圖。1.A塊、B塊重要反映的是哪種離子的配位情況?寫出其配位多面體和配位數(shù);(4分)2.指出結(jié)構(gòu)中氧離子的配位數(shù)和配位多面體,并判斷其電價是否飽和;(4分)3.若尖晶石的晶胞分子數(shù)為8,且A塊、B塊在空間交替出現(xiàn),請構(gòu)造尖晶石的單位晶胞;(4分)4.計算結(jié)構(gòu)中空隙填充率;5.分析該結(jié)構(gòu)是正尖晶石還是反尖晶石。(4分)
答:A塊重要反映Mg2+離子配位[MgO4]B塊重要反映Al3+離子配位[AlO6]2,CNO2-=4,[OMgAl3]靜電強(qiáng)度=的電價數(shù)。34,Mg2+離子占據(jù)四周體空隙的1/8,Al3+占據(jù)八面體空隙的1/25,正尖晶面1.硅酸鹽晶體滑石的化學(xué)式為Mg3[Si4O10](OH)2,判斷其結(jié)構(gòu)類型,用氧化物寫法表征滑石的分子式,分析其結(jié)晶習(xí)性。2.在鈉硅酸鹽玻璃中,分析Na2O對熔體粘度的影響,并說明理由。3.為什么相同組成的固體的表面能總是高于液體的表面能?答:1,層狀結(jié)構(gòu),3MgO4SiO2H2O2,Na2O能減少熔體粘度,由于Na+半徑大,電荷少,與O2-的作用力較小,提供了系統(tǒng)中的自由氧,減少了Si/O比,導(dǎo)致本來的硅氧負(fù)離子團(tuán)解聚為較簡樸的結(jié)構(gòu)單元,因而減少了粘滯活化能,粘度變小。3,同一種物質(zhì),其液體固體表面結(jié)構(gòu)不同,液體分子可以自由移動,總是通過形成球形表面來減少其表面能,固體則不能,固體質(zhì)點不能自由移動,只能通過表面質(zhì)點的極化、變形、重排來減少體統(tǒng)表面能,固體表面處在搞能量狀態(tài)(由于表面力的存在)。鈣鈦礦ABO3型結(jié)構(gòu)屬于立方晶系,其中2價正離子位于立方晶胞頂點位置,4價正離子位于立方晶胞體心位置,2價負(fù)離子位于立方晶胞面心位置。(20分)1.畫出鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的晶胞投影圖;2.指出晶胞中各離子的配位數(shù);3.根據(jù)鮑林規(guī)則計算O2-離子電價是否平衡;4.BaTiO3和CaTiO3都屬于鈣鈦礦結(jié)構(gòu),其中BaTiO3晶體具有鐵電效應(yīng)而CaTiO3沒有,請從結(jié)構(gòu)方面予以解釋;5.證明形成抱負(fù)鈣鈦礦結(jié)構(gòu)時,兩種陽離子半徑rA、
rB與氧離子半徑rO之間滿足下面的關(guān)系式rA+rO=(rB+rO)答:1,圖略2,CNCa2+=12CNO2-=6CNTi4+=63,O2-的配位多面體為[OCa4Ti2]靜電強(qiáng)度與O2-的電價一致,故電價平衡。4,具有鐵電效應(yīng)的晶體必存在自發(fā)極化,該極化源于晶胞內(nèi)部正負(fù)離子電荷中心不重合,兩者均為鈣鐵礦結(jié)構(gòu),符合ABO3組成形式,當(dāng)A原子發(fā)生變化,如半徑增大必使晶胞參數(shù)增大,進(jìn)而使八面體空隙增大,Ca2+半徑小,在CaTiO3中八面體空隙小于Ti4+半徑,Ti4+受到很強(qiáng)的彈性恢復(fù)力而不能固定在某處以產(chǎn)生正負(fù)電荷中心的偏離,故無自發(fā)極化的產(chǎn)生,而BaTiO3中八面體空隙大于Ti4+半徑,使其受到恢復(fù)力小,同時由于Ti4+的極化作用與O2-產(chǎn)生電場力,足以使Ti4+產(chǎn)生偏移形成自發(fā)極化偶極,又BaTiO3中[TiO6]八面體沿C軸呈直線排列,有助于電疇傳遞,故BaTiO3有鐵電效應(yīng)。5,假設(shè)晶胞參數(shù)為a。,在晶胞側(cè)面上有:2rA+2ro=a。在八面體內(nèi)有:2rB+2ro=a。于是rA+ro=(Rb+ro)白云母的抱負(fù)化學(xué)式為KAl2[AlSi3O10](OH)2,其結(jié)構(gòu)如下圖所示,試分析白云母的結(jié)構(gòu)類型、層的構(gòu)成及結(jié)構(gòu)特點、層內(nèi)電性及層間結(jié)合。答:白云母KAl2(AlSi3010)(OH)2,結(jié)構(gòu)類型:絡(luò)陰離子團(tuán)為[AlSi3010](Al+Si):O=4:10層狀結(jié)構(gòu)硅酸鹽層的構(gòu)成:有圖(1)可以看出非橋氧依次指向相反的方向,為復(fù)網(wǎng)層結(jié)構(gòu)。復(fù)網(wǎng)層由兩個硅氧層及中間的水鋁層所組成。在每一層內(nèi)Si4+與O2-配位CNsi4+=4,形成[SiO4]多面體。Al3+同時與O2-和OH-配位,CN=6,形成[AlO4(OH)2]多面體Al3+占據(jù)八面體空隙的2/3,形成二八面體結(jié)構(gòu)。[AlO4(OH)2]多面體共棱相連,與[SiO4]之間共頂相連。層間結(jié)構(gòu):在層與層之間以K+相連,K+的配位數(shù)為12,由于K+電價低,半徑大,電量小,與硅氧層的結(jié)合力較層內(nèi)的化學(xué)鍵弱的多,故白云母易沿層間發(fā)生解理,可剝離成片狀。Na2O晶體結(jié)構(gòu)屬于螢石型結(jié)構(gòu)。(15分)1.試畫出Na2O的晶胞結(jié)構(gòu)圖。2.根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)指出3離子的配位數(shù)。3.該結(jié)構(gòu)存在解理現(xiàn)象嗎?請說明理由。4.Na2O晶體在擴(kuò)散溫度范圍進(jìn)行擴(kuò)散解決時,結(jié)構(gòu)中易出現(xiàn)何種機(jī)制的擴(kuò)散?為什么?5.在Na2OcaOSiO2系統(tǒng)玻璃中,Na2O對該體系玻璃的電導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性有什么影響?如何克制其不利影響?答:反螢石結(jié)構(gòu)圖參看照片版2,Na+的配位數(shù)為4O2-配位數(shù)為123,由于NaO晶體結(jié)構(gòu)中一半的立方體空隙沒有有被O2-填充,所以在{111}面網(wǎng)方向上存在著互相比鄰的同號離子層,其靜電斥力其重要作用,導(dǎo)致晶體在平行余{111}面網(wǎng)方向上易發(fā)生解理,呈八面體解理。圖1是Na2O的抱負(fù)晶胞結(jié)構(gòu)示意圖,試回答:
1.晶胞分子數(shù)是多少;4;
2.結(jié)構(gòu)中何種離子做何種密堆積;何種離子填充何種空隙,所占比例是多少;O2-離子做面心立方密堆積,Na+填所有四周體空隙;?3.結(jié)構(gòu)中各離子的配位數(shù)為多少,寫出其配位多面體;=4CNO2-=8[NaO4][ONa8];
4.計算說明O2-的電價是否飽和;O2-電價飽和,由于O2-的電價=(Na+的電價/Na+的配位數(shù))×O2的配位數(shù);
?5.畫出Na2O結(jié)構(gòu)在(001)面上的投影圖。
?二.圖2是高嶺石(Al2O3·2SiO2·2H2O)結(jié)構(gòu)示意圖,試回答:
1.請以結(jié)構(gòu)式寫法寫出高嶺石的化學(xué)式;Al4[Si4O10](OH)8;?2.高嶺石屬于哪種硅酸鹽結(jié)構(gòu)類型;單網(wǎng)層狀結(jié)構(gòu);
3.分析層的構(gòu)成和層的堆積方向;一層硅氧層一層水鋁石層且沿C軸方向堆積;
4.分析結(jié)構(gòu)中的作用力;層內(nèi)是共價鍵,層間是氫鍵;
5.根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點推測高嶺石具有什么性質(zhì)。片狀微晶解理。?
根據(jù)CaTiO3晶胞圖(見圖1)回答下列問題:
2.結(jié)構(gòu)中各離子的配位數(shù)為多少,寫出其配位多面體;
3.晶胞分子數(shù)是多少?何種離子添何種空隙,空隙運(yùn)用率是多少??Ti4+添八面體空隙,八面體空隙運(yùn)用率1/4,四八面體空隙全;4.結(jié)構(gòu)中是否存在TiO32-離子,為什么?否,由于Ti4+和O2-間沒有明顯的共價鍵成分?圖2是鎂橄欖石(Mg2[SiO4])結(jié)構(gòu)示意圖,試回答:島狀結(jié)構(gòu)
2.計算說明O2-的電價是否飽和;O2-與一個[SiO4]、三個[MgO6]配位:4/4×1+2/6×3=2=O2-的電價,O2-的電價
3.結(jié)構(gòu)中有幾種配位多而體,各配位多面體間的連接方式如何?
結(jié)構(gòu)中有兩種配位多面體[SiO4]、[MgO6](2分);[SiO4]呈孤立的島狀,中間被[MgO6]隔開,SiO4]與[MgO6]之間共頂或共棱連接,同層的[MgO6]之間共棱、不同層的[MgO6]之間共頂連接;4.鎂橄欖石是否容易形成玻璃,為什么?
不易,由于鎂橄欖石的Si/O=1/4,最低,網(wǎng)絡(luò)連接限度弱,結(jié)構(gòu)中絡(luò)陰離子團(tuán)尺寸小,遷移阻力小,熔體的粘度低,冷卻過程中結(jié)構(gòu)調(diào)整速率不久。(2分)?
圖1圖2?根據(jù)CaTiO3晶胞圖(見圖1)回答下列問題(18):
1、晶面BCGF、HAC的晶面指數(shù);晶向DF、AH的晶向指數(shù)。(100)(111)[111][0-11]?2、結(jié)構(gòu)中各離子的配位數(shù)為多少,寫出其配位多面體;CNTi4+=6[TiO6]CNCa2+=12[CaO12]CNO2--=6[OTi2Ca4]
3、晶胞分子數(shù)是多少?何種離子添何種空隙,空隙運(yùn)用率是多少?
Z=1(1分)Ti4+
(1分)占據(jù)1/4八面體空隙4、計算說明O2-的電價是否飽和;由于:Z+=2/12*4+4/6*2=2=Z-
所以:飽和
5、結(jié)構(gòu)中是否存在TiO32-離子,為什么?不存在,由于是復(fù)合氧化合物?下列硅酸鹽礦物各屬何種結(jié)構(gòu)類型(6):?r-Ca2[Si04],島狀K[AISi3O8],架狀CaMg[Si2O6],鏈狀Mg3[Si4O10](OH)2,層狀Ca2Al[AlSiO7],組群狀Ca2Mg5[Si4O11]鏈狀(OH)2
?根據(jù)Mg2[SiO4]在(110)面的投影圖回答(10分):
?(1)結(jié)構(gòu)中有幾種配位多面體,各配位多面體間的連接方式如何?有兩種配位多面體,[SiO4],[MgO6],同層的[MgO6]八面體共棱,如59[MgO6]和49[MgO6]共棱75O2-和27O2-,不同層的[MgO6]八面體共頂,如1[MgO6]和51[MgO6]共頂是22O2-,同層的[MgO6]與[SiO4]共頂,如T[MgO6]和7[SiO4]共頂22O2-,不同層的[MgO6]與[SiO4]共棱,T[MgO6]和43[SiO4]共28O2-和28O2-;
(2)O2-的電價是否飽和?
(3)晶胞的分子數(shù)是多少?z=4
(4)Si4+和Mg2+所占的四周體空隙和八面體空隙的分?jǐn)?shù)是多少?Si4+占四周體空隙=1/8,Mg2+占八面體空隙=1/2。黑球:Si4+?小白球:Mg2+?大白球:O2-二、晶體結(jié)構(gòu)-性質(zhì)關(guān)系(20分)1、根據(jù)下圖的螢石結(jié)構(gòu)圖回答下列問題1)指出螢石結(jié)構(gòu)中正負(fù)離子的堆積方式(兩種方式);Ca2+面心立方堆積,簡樸立方堆積寫出結(jié)構(gòu)中正負(fù)離子的配位數(shù)及其配位多面體;
鈣的配位數(shù)為8,[CaF8]立方體;F的配位數(shù)為4,[FCa4]四周體Ca2+離子的配位多面體之間是如何連接的?
[CaF8]立方體之間共棱(共用2個頂點)連接在結(jié)構(gòu)圖中用△和▽標(biāo)示互相平行的同號離子層,分析螢石晶體的解理性。平行(111)面存在同號離子層,外力作用下沿平行(111)面方向有解理現(xiàn)象根據(jù)Si/O比例不同劃分硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)類型。(6分)2、Si/O=1/2,架狀結(jié)構(gòu);Si/O=4/10,層狀結(jié)構(gòu);Si/O=4/11,雙鏈結(jié)構(gòu);Si/O=2/6,單鏈結(jié)構(gòu);Si/O=2/7,組群狀(雙四周體)結(jié)構(gòu);Si/O=2/7,組群狀(雙四周體)結(jié)構(gòu);Si/O=1/3,組群狀(環(huán)狀)結(jié)構(gòu);Si/O=1/4,島狀結(jié)構(gòu);(6分)
二、作圖題(10分)1、
作圖表達(dá)立方晶系的晶體中晶面和晶向(標(biāo)出坐標(biāo)系)。2、作圖表達(dá)NaCl單晶表面的結(jié)構(gòu),并說明其結(jié)構(gòu)特點。馳豫表面(或雙電層結(jié)構(gòu))三、右圖是CaF2的抱負(fù)晶胞結(jié)構(gòu)示意圖(白球是Ca離子,黑球是F離子),試回答(12分):
1、晶胞分子數(shù)是多少;42、結(jié)構(gòu)中何種離子做何種密堆積;結(jié)構(gòu)中有幾種空
隙,空隙運(yùn)用率是多少;Ca2+離子做面心立方密堆積(2分);四周體空隙100%(1分)、八面體空隙全空結(jié)構(gòu)中各離子的配位數(shù)為多少,寫
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