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. /mosfet、 CG3E3 ..

150℃或175 . V(BR)DS/Tj：漏源擊穿電壓的溫度系數(shù)，一般在0.1~0.6V.便。...MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏源間的最大. IC參數(shù)。 具有更大的V（BR）CES，但是.MOSFET的體內(nèi)寄生二極管導(dǎo)通能力及反向恢復(fù)表現(xiàn)并不比普通二.FWDFWD ⒈FWD wheelingDiode,簡(jiǎn)稱FWD）是一種 ⒉FRED. 區(qū). QgQgs Qg=QGS+QGD+ 柵源電壓－時(shí)間曲 , .. toff=td(off)+

...靜態(tài)duDS/dt：它出現(xiàn)在器件的關(guān)斷狀態(tài)或者即將關(guān)斷的時(shí)刻，.應(yīng)相同，過(guò)高的dvDS/dt會(huì)經(jīng)反饋關(guān)斷的功率MOSFET再次誤開(kāi)通。 區(qū) 。 反 ）短 區(qū)） GL200HF60T2G MMOSFETU超快型(2到4位數(shù)字) SD=單管 +CU斬波（二極管在高壓側(cè)）CL=斬波（二極管在低壓側(cè)）HF=半橋HT=三單元HH=H橋

T194mmx34mm銅底板T2=106mmx62mm,銅底板T9=94mmx34mm,無(wú)底板A1=67mmx40mm,無(wú)底板==. 62mmPCB安裝 2、DLC/KE3→GL,DN2→GK,KS4→GF/GU.3、應(yīng)用：LTK、F、 40mmA13、應(yīng)用：LTK、F、..3、應(yīng)用：LTK、F、U換，PIM和infineonEconoPIM?

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