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PAGEPAGE1微考點24硅的制取及應(yīng)用一、單項選擇題1.以下關(guān)于硅單質(zhì)及其化合物的說法正確的選項是()①硅是構(gòu)成一些巖石和礦物的根本元素②水泥、玻璃、水晶飾物都是硅酸鹽制品③高純度的硅單質(zhì)廣泛用于制作光導(dǎo)纖維④陶瓷是人類應(yīng)用很早的硅酸鹽材料A.①② B.②③C.①④ D.③④2.關(guān)于硅及其化合物的表達(dá)中,錯誤的選項是()A.硅是良好的半導(dǎo)體材料B.二氧化硅能與石灰石反響:SiO2+CaCO3eq\o(=,\s\up7(高溫))CaSiO3+CO2↑C.可以用焦炭復(fù)原二氧化硅生產(chǎn)硅:SiO2+2Ceq\o(=,\s\up7(高溫))Si+2CO↑D.水泥的主要成分是Na2SiO3、CaSiO3和SiO23.工業(yè)上通過反響“SiO2+2Ceq\o(=,\s\up7(高溫))Si+2CO↑〞制取單質(zhì)硅,以下說法正確的選項是()A.自然界中硅元素均以SiO2形式存在B.硅的化學(xué)性質(zhì)不活潑,常溫下不與任何物質(zhì)反響C.該反響條件下C的復(fù)原性比Si強(qiáng)D.生成4.48LCO時轉(zhuǎn)移電子數(shù)為0.4×6.03×1023二、不定項選擇題4.氯氣用途十分廣泛,可用于生產(chǎn)半導(dǎo)體材料硅,其生產(chǎn)的流程如下,以下說法不正確的選項是()eq\x(石英砂)eq\o(→,\s\up7(①焦炭),\s\do5(高溫))eq\x(粗硅)eq\o(→,\s\up7(②氯氣),\s\do5(加熱))eq\x(四氯化硅)eq\o(→,\s\up7(③氫氣),\s\do5(高溫))eq\x(純硅)A.①③是置換反響,②是化合反響B(tài).高溫下,焦炭與氫氣的復(fù)原性均弱于硅的C.任一反響中,每消耗或生成28g硅,均轉(zhuǎn)移4mol電子D.高溫下將石英砂、焦炭、氯氣、氫氣按一定比例混合可得高純硅5.以下關(guān)于SiO2和CO2的表達(dá)中不正確的選項是()A.都是共價化合物B.都是酸性氧化物,都能與強(qiáng)堿溶液反響C.都能溶于水且與水反響生成相應(yīng)的酸D.SiO2可用于制光導(dǎo)纖維,干冰可用于人工降雨三、非選擇題6.硅是重要的化學(xué)元素之一,在從傳統(tǒng)材料到信息材料的開展過程中,其創(chuàng)造了一個又一個奇跡。請答復(fù)以下問題:(1)硅在元素周期表中的位置是________________。(2)工業(yè)上生產(chǎn)粗硅的反響有SiO2+2C3273K,Si(粗硅)+2CO↑;SiO2+3C3273K,SiC+2CO↑。假設(shè)產(chǎn)品中單質(zhì)硅與碳化硅的物質(zhì)的量之比為1∶1,那么參加反響的C和SiO2的質(zhì)量之比為________。(3)工業(yè)上可以通過如下圖的流程制取純硅:①假設(shè)反響Ⅰ的化學(xué)方程式為Si(粗硅)+3HCl553~573K,SiHCl3+H2,那么反響Ⅱ的化學(xué)方程式為________________________________________________________________________________________________________________________________________________。②整個制備過程必須嚴(yán)格控制無水、無氧。SiHCl3遇水劇烈反響生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫出該反響的化學(xué)方程式:______________________________________________。③假設(shè)每一輪次制備1mol純硅,且生產(chǎn)過程中硅元素沒有損失,反響Ⅰ中HCl的利用率為90%,反響Ⅱ中H2的利用率為93.75%,那么在第二輪次的生產(chǎn)中,補充投入HCl和H2的物質(zhì)的量之比是________。7.單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的根底材料。通常用碳在高溫下復(fù)原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質(zhì)),粗硅與氯氣反響生成四氯化硅(反響溫度450~500℃),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣復(fù)原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。相關(guān)信息如下:a.四氯化硅遇水極易水解;b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反響生成相應(yīng)的氯化物;c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:物質(zhì)SiCl4BCl3AlCl3FeCl3PCl5沸點/℃57.712.8-315-熔點/℃-70.0-107.2---升華溫度/℃--180300162請答復(fù)以下問題:(1)寫出裝置A中發(fā)生反響的離子方程式:___________________________________________________________________________________________________________。(2)裝置A中g(shù)管的作用是______________;裝置C中的試劑是____________;裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是___________________________________________。(3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似屢次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是________(填寫元素符號)。(4)為了分析殘留物中鐵元素的含量,先將殘留物預(yù)處理,使鐵元素復(fù)原成Fe2+,再用KMnO4標(biāo)準(zhǔn)溶液在酸性條件下進(jìn)行氧化復(fù)原滴定,反響的離子方程式為5Fe2++MnOeq\o\al(-,4)+8H+=5Fe3++Mn2++4H2O。①滴定前是否要滴加指示劑?________(填“是〞或“否〞),請說明理由:________________________________________________________________________________________________________________________________________________。②某同學(xué)稱取5.000g殘留物,經(jīng)預(yù)處理后在容量瓶中配制成100mL溶液,移取25.00mL試樣溶液,用1.000×10-2mol·L-1KMnO4標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定。到達(dá)滴定終點時,消耗標(biāo)準(zhǔn)溶液20.00mL,那么殘留物中鐵元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)是________。

答案精析1.C2.D3.C[自然界硅元素以硅酸鹽和二氧化硅兩種形式存在,A錯誤;反響SiO2+2Ceq\o(=,\s\up7(高溫))Si+2CO↑中C作復(fù)原劑,Si為復(fù)原產(chǎn)物,復(fù)原性:復(fù)原劑>復(fù)原產(chǎn)物,所以復(fù)原性:C>Si,C正確;沒有指明標(biāo)準(zhǔn)狀況,D錯誤。]4.BD[二氧化硅與碳反響生成硅和一氧化碳,四氯化硅與氫氣反響生成硅和氯化氫,都是置換反響,硅和氯氣反響生成四氯化硅,是化合反響,A正確;二氧化硅與碳反響生成硅和一氧化碳,四氯化硅與氫氣反響生成硅和氯化氫,根據(jù)復(fù)原劑的復(fù)原性大于復(fù)原產(chǎn)物的復(fù)原性,那么高溫下,焦炭與氫氣的復(fù)原性均強(qiáng)于硅,B錯誤;28g硅的物質(zhì)的量為1mol,每消耗或生成1個硅,化合價均變化4,即均轉(zhuǎn)移4個電子,所以每消耗或生成28g硅,均轉(zhuǎn)移4mol電子,C正確;在高溫下將石英砂、焦炭、氯氣、氫氣按一定比例混合,那么石英砂與焦炭反響,氯氣與氫氣反響,就不再按照題干的流程進(jìn)行,不會得到高純硅,D錯誤。]5.C[二氧化硅不溶于水,硅酸是利用可溶性硅酸鹽與酸反響制得的。]6.(1)第三周期ⅣA族(2)1∶2(3)①SiHCl3+H21373~1453K,Si(純硅)+3HCl②SiHCl3+3H2O,H2SiO3↓+3HCl+H2↑③5∶1解析(1)根據(jù)硅的原子序數(shù)為14,可知其在元素周期表中位于第三周期ⅣA族。(2)根據(jù)產(chǎn)品中單質(zhì)硅與碳化硅的物質(zhì)的量之比為1∶1,再利用方程式計算。假設(shè)參加反響的C為5mol,SiO2為2mol,那么二者的質(zhì)量之比為(5mol×12g·mol-1)∶(2mol×60g·mol-1)=1∶2。(3)①根據(jù)流程圖中的信息知,反響Ⅱ的反響物有SiHCl3和H2,生成物有Si(純硅)和HCl,利用觀察法將其配平。②由于SiHCl3中Si為+4價、H為-1價、Cl為-1價,SiHCl3與H2O發(fā)生了氧化復(fù)原反響(歸中反響),其氧化產(chǎn)物和復(fù)原產(chǎn)物均為H2,最后利用觀察法將其配平。③據(jù)題意:綜合以上各反響的數(shù)據(jù)可知,在第二輪次的生產(chǎn)中補充投入HCl的物質(zhì)的量為(eq\f(3,90%)-3)mol,投入H2的物質(zhì)的量為(eq\f(1,93.75%)-1)mol,二者的比值為5∶1。7.(1)MnO2+4H++2Cl-eq\o(=,\s\up7(△))Mn2++Cl2↑+2H2O(2)平衡氣壓濃H2SO4SiCl4沸點較低,用冷卻液可得到液態(tài)SiCl4(3)Al、Cl、P(4)①否MnOeq\o\al(-,4)有顏色,故不需其他指示劑②4.48%解析A為Cl2的發(fā)生裝置,B、C為Cl2的凈化裝置,D中發(fā)生2Cl2+Sieq\o(=,\s\up7(△))SiCl4,生成物SiCl4用E收集,B中為飽和食鹽水將氯化氫氣體除去,C中應(yīng)為濃H2SO4除水;SiCl4沸點較低,E中用冷卻液可得到液態(tài)SiCl4;由題中信息粗硅含鐵、鋁、硼、磷等雜質(zhì),即可輕松完成(3)問。(4)①因

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