半導體器件發(fā)展歷程與展望(精)

/第26卷第4期20XX11月Vol.26,No.4固體電子學研究與進展Nov.,2006硅微電子學半導體器件發(fā)展歷程及其展望肖德元陳國慶<中芯國際集成電路有限公司存儲器技術發(fā)展中心,上海,201203>2004212215收稿,2005203207收改稿Ξ摘要:簡述了半導體器件發(fā)展歷程,及其對人類社會發(fā)展所產(chǎn)生的深刻影響。探討了半導體器件所取得的最新研究成果以及它今天面臨的挑戰(zhàn)及未來發(fā)展趨勢。最后闡述了世界半導體產(chǎn)業(yè)重心的轉(zhuǎn)移及其給中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來的機遇與挑戰(zhàn)。關鍵詞:半導體器件;微電子技術;產(chǎn)業(yè)重心;半導體技術藍圖中圖分類號:TN301文獻標識碼:A文章編號:100023819<2006>042510206SemiconductorDeviceHIAODENGuoqin<MemTtter,SemiconductorManufacturingInternational<Shanghai>Corporation,Shanghai,201203,CHN>Abstract:Inthispaper,abriefintroductionisgiventothesemiconductordevicehistoryanditshugeimpactonhumanbeing.Themostimportantachievementsinthisfieldarelisted.Thechallenges,theindustryfacesaswellasthefuturedevelopmenttrendarealsoexpressed.Finally,thephenomenonofthesemiconductormanufacturingcentershiftingfromonecountrytoanotherisdescribed.ThegreatopportunitiesandhugechallengestotheChinesesemiconductorindustryarediscussed.Keywords:semiconductordevice;microelectronics;manufacturingcenter;semiconductorroadmapEEACC:25201引言互聯(lián)網(wǎng)打開了知識之窗,成為21世紀新的信息化社會的象征。利用互聯(lián)網(wǎng),人們足不出戶,就能夠?qū)β眯辛熊嚮蝻w機的時刻表及目的地的地圖,甚至于購物商店,下榻旅館了如指掌。信息技術<IT>的利用,使社會更具活力,更有效率。那么支撐IT技術進步的驅(qū)動力是什么呢?那就是人們常說的,不斷追求發(fā)展以"更低的能耗"及"更快的速度"處理"更多的信息"為目標的新技術。IT的原動力是半導體技術。有感于半導體技術發(fā)展如此迅速,摩爾1998年感慨道:假如汽車工業(yè)也象半導體工業(yè)那樣進步如此迅速的話,一輛勞斯萊斯跑50萬英里將僅消耗一加侖油,并且丟棄它比將它泊在停車場來得便宜。與半導體技術一同成長起來的我們這一代人,感受良深。今天,集成電路已覆蓋信息4期肖德元等:半導體器件發(fā)展歷程及其展望5112半導體器件發(fā)展歷程1947年12月23日清晨,威廉?肖克萊<WilliamShockley>焦慮不安地駕車穿越紐瓦克境學界稱為"20世紀最重要的發(fā)明"。他們3人因此分享了1956年度的諾貝爾物理獎。自第一個晶體管被發(fā)明以來,各式各樣的新型半導體器件憑借更先進的技術,更新的材料和更深入的理論被發(fā)明[2]。1952年,Ebers提出可控硅器件<Thyristor>基本模型。1954年,貝爾實驗室的闕平<Chapin>等人發(fā)表PN結硅太陽能電池<Solarcell>。1957年,Kroemer提出異質(zhì)結雙極型晶體管<HBT>,這種器件具有更快的速度。1958年,日本的江畸<Esaki>發(fā)現(xiàn)重摻雜PN結具有負阻效應,對這種反常現(xiàn)象的理解是能帶結構中的隧道效應,這促成了隧道二極管<Tunnelingdiode>的問世,1973年度的諾貝爾物理獎。Kilby和仙內(nèi)布滿嚴霜的西部山區(qū),在通往貝爾實驗室的那段擁擠不堪的大道上,肖克萊對周圍的機動車輛幾乎全然不顧,他的心思已經(jīng)不在這里了。這天下午,他所在的研究小組要為上司現(xiàn)場演示一種全新的、頗有前途的電子器件,他得提前作好準備。他深知這種基于半導體的放大器有可能引發(fā)一場革命。二戰(zhàn)結束后,貝爾實驗室開始研制新一代的固體器件,具體由肖克萊負責。前兩天的一個中午,肖克萊的兩位同事理論物理學家巴丁<JohnBardeen>和出生于中國XX的實驗物理學家布拉坦<WalterBrattain>,在一個三角形石英晶體底座上將金箔片壓到一塊鍺半導體材料表面制成兩個點接觸,當一個接觸點為正偏<即相對于第三點加正電壓>,而另一個接觸點為反偏時,的晶體管行為。<Point2contact>它可放大器"以傳導、個晶體管的照片[1成和電阻、電容的集成電路circuit>。一塊集成電路中包含的晶體管,則可完成更復雜的電路功能。從此開創(chuàng)了稱為微電子技術發(fā)展進步和廣泛深入應用的新紀元,即微電子革命?；鶢柋纫虼隧椮暙I獲得20XX度的諾貝爾物理獎,諾宜斯可惜已經(jīng)謝世而無法分享此項殊榮。1960年,由于表面態(tài)問題得到了有限控制,貝爾實驗室的Kahng和Atalla成功地研制出第一只實用型金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET。這種晶體管后來主導了集成電路和微芯片的命運。自MOSFET研制成功后,它得到了迅猛發(fā)展并且成為微處理器<Microprocessor>與存儲器<Memory>等先進集成電路中最重要的器件,與其相關的集成電路產(chǎn)品占有半導體市場90%的份額。1962年,Hall等人研制成功第一個半導體激光二極管。1963年,Kroemer等人發(fā)表異質(zhì)結半導體激光二極管。1963年,Gunn提出轉(zhuǎn)移電子二極管,被稱為耿氏隧道二極管。1963年,貝爾實驗室的Wanlass和薩支唐,發(fā)明互補式金屬氧化物半導體場效應晶體管<CMOS>器件。它是NMOS和PMOS的一種有機組合,構成邏輯器件。其優(yōu)點是該器件只有在邏輯狀態(tài)轉(zhuǎn)換時<比如,從0到1>才會產(chǎn)生大電流,而在穩(wěn)定狀態(tài)時只有極小的電流通過。因此,電路的功率損耗可以大幅度地減小。對先進的集成電路而言,CMOS器件圖1歷史上第一個晶體管Fig.1Thehistoricalfirsttransistor1949年肖克萊發(fā)表了關于PN結理論及一種性能更好的雙極型晶體管<BJT>的經(jīng)典論文,通過控制中間一層很薄的基極上的電流,實現(xiàn)放大作用,次年制成具有PN結的鍺晶體管。由于雙極型晶體管是通過控制固體中的電子運動實現(xiàn)電信號的放大和傳輸功能,比當時的主流產(chǎn)品真空電子管性能可靠、耗電省,更為突出的是體積小得多,因此在應用上受到廣泛重視,它很快取代真空管作為電子信號放大組件,成為電子工業(yè)的強大引擎,由此引發(fā)了一場電子革命,把人類文明帶進現(xiàn)代電子時代,被媒體和科?1994-2007ChinaAcademicJournalElectronicPublishingHouse.Allrightsreserv512固體電子學研究與進展26卷是最佳的器件,它是當今乃至今后相當長一段時間內(nèi)最主要的集成電路技術。1965年,Johnston等人發(fā)明碰撞電離雪崩渡越時間二極管。1965年,摩爾為紀念《電子學》雜志創(chuàng)刊35周年,發(fā)表了集成電路上晶體管數(shù)目每18個月至24個月翻一番的規(guī)律,人稱摩爾定律。雖然它是根據(jù)1959～1965年的數(shù)據(jù)歸納的,但至今仍然有效。1966年,Mead發(fā)明金屬半導體場效應晶體管MESFET,它是單片微波集成電路的關鍵器件。1966年,IBM公司的RobertH.Dennard發(fā)明是大部分量子電子器件的基礎。1980年,Minura等人發(fā)明調(diào)制摻雜場效應晶體管MODFET,這種器件將成為速度更快的場效應晶體管。1980年,K.V.Klitzing從MOSFET結構中發(fā)現(xiàn)量子霍爾效應并開發(fā)出測定物理常數(shù)的新技術,獲得了1985年的諾貝爾物理學獎。1998年諾貝爾物理獎授予HorstStomer、崔琦和RobertLaughlin,以表彰他們發(fā)現(xiàn)分數(shù)量子霍爾效應及對這一新的量子液體的深刻理解。1994年,Yano等人發(fā)明室溫下工作的單電子存儲器<Single2electronmemorycell,SEMC>。它其動態(tài)隨機存儲器DRAM,它是一種揮發(fā)性半導體存儲器<Volatilesemiconductormemory,VSM>,已廣泛應用于當今計算機領域。1967年,貝爾實驗室的Kahng和施敏<S.M.Sze>發(fā)明非揮發(fā)性半導體存儲器<Nonvolatilesemiconductormemory,NVSM>。這是一種非常重要的半導體存儲器,它與通常的MOSFET不同之處在于它的控制柵極下面加了一個浮動柵極,所示,它可以在電源關掉以后,荷。高器件密度、,它已經(jīng)成、筆記本電腦、數(shù)碼相機和智能卡方面最主要的存儲器。實就是將浮動柵極的長度縮小到極小的尺寸<如10nm>所產(chǎn)生的極端非揮發(fā)性半導體存儲器。在這種尺寸下,,浮動柵極的電,。它可以說,因為只需一個電子就<bits>最先進的半導體存儲器的基礎。1998年,IBM公司與日本NEC公司合作,采用原子力顯微鏡<AFM>技術研制成功碳納米管晶體管<Carbonnanotubetransistor,CNT>。該晶體管的襯底為硅,并作為柵極,源極和漏極是用金做的,研究人員用原子力顯微鏡<Atomicforcemicroscope,AFM>在三個電極間放置了一根半導體性的碳納米管,如圖3所示。這只場效應晶體管的性圖2第一個非揮發(fā)性半導體存儲器<NVSM>示意圖Fig.2Thediagramofthefirstnonvolatilesemiconductormemory,NVSM1970年,Boyle和Smith發(fā)明電荷耦合器<CCD>。1970年,英特爾的FedericoFaggin,TedHoff和StanMazor發(fā)明第一個微處理器4004,它是由2300個晶體管組成的一個四位芯片,每秒能處理6萬次運算。此芯片為具備數(shù)據(jù)處理,存儲及輸入輸出,還可以寫入程序的多功能系統(tǒng),其衍生的后代包括現(xiàn)今最流行的Pentium處理器。1974年,張立綱等人發(fā)明共振隧道二極管,它圖3IBM研制的第一個碳納米管晶體管Fig.3Thefirstcarbonnanotubetransistor4期肖德元等:半導體器件發(fā)展歷程及其展望513能良好,當柵電壓變動時,源極與漏極之間的電導變化10萬倍,是一個具有應用價值的電子開關。利用這一突破性的晶體管技術制造的芯片將比現(xiàn)在的硅芯片更小、更快。其技術難點在于納米碳管定位、選擇性成長與連結技術等[3]。1998年,普林斯頓大學研制成功室溫下工作的硅基單電子量子點晶體管<Single2electrontransistor,SET>。器件工作原理是基于庫侖阻塞效應。器件的電流2電壓特性分析顯示,能級分離約110meV,硅孤島<點>的直徑約12nm,如圖4為硅基單電子量子點晶體管結構及顯微照片[4]。圖5柵長僅為5nm的納米線FinFET器件Fig.5The52nmgatelengthnanowireFinFET神秘莫測的微觀物理量走出科學的神圣殿堂,成為集成電路制造晶體管設計用到的參量。今天,集成電路已覆蓋信息、通訊、運輸、軍事、太空以及消費性電子等人類生活的全領域。半導體產(chǎn)品充斥于人們周圍,成為生活當中不可或缺的一部分。圖6為美國半導體協(xié)會<SIA>繪制的半導體技術藍圖,20XX90nm半導體產(chǎn)品的量產(chǎn)標志著人類真正開始進入納米制造時代。圖7顯示出集成電路集成度的驚人進步。圖4室溫下工作的硅基單電子量子點晶體管Fig.4Theroomtemperaturequantumdotsiliconsingleelectrontransistor20XX,楊福良<Fu2LiangYang>等人研制成功柵長僅為5nm的納米線FinFET器件[5]。3半導體及微電子技術展望上世紀初,物理學的中心在歐洲,物理學家偏重于理論及物質(zhì)本性的探索研究。物理學上的許多微觀量,如晶格常數(shù)、電子電荷、普朗克常數(shù),能帶結構中的禁帶寬度、費米能級等通常都是物理學家們進行學術探討時對物質(zhì)的微觀世界進行描述而用到的高深詞匯,不為常人所理解。隨著物理中心的西移,美國的實用主義哲學成就了晶體管的發(fā)明,使這些圖6半導體技術藍圖Fig.6Semiconductorroadmap器件特征尺寸的不斷微型化是微電子技術的關鍵,隨著半導體器件的進一步發(fā)展,它越來越受到來.514固體電子學研究與進展26卷nm,溝道中的電離雜質(zhì)數(shù)目下降到幾百到幾十個,這時其漲落現(xiàn)象已不可忽略。對于器件溝道內(nèi)的載流子在100量級的情況,漲落引起的器件載流子數(shù)目變化將達到10%左右,并使得器件的閾值電壓產(chǎn)生相應的起伏,影響電路的正常工作。最后是功率耗散問題日益嚴重:集成密度和工作頻率的增加,使得芯片單位面積內(nèi)的功耗急劇增加,降低功耗和增強散熱成為集成電路開發(fā)的一個重要考慮因素。20XX10月21日,由于處理器散熱問題難以解決,Intel不得不更新產(chǎn)品路線圖,宣布放棄4GHz主頻奔4處理器,新的產(chǎn)品路線圖表明,Intel全面轉(zhuǎn)向多核結構。采用高遷移率與超淺結離子注入摻雜技術、高介電常數(shù)絕緣材料柵技術、銅及低介電常數(shù)絕緣材料互連技術、、原子層沉積<Atomic制程技術有助于上。,將50nm甚至更小,已成為。集成電路是近半個世紀發(fā)展最快的技術,設計尺寸40多年間縮小了近150倍。20XX單個芯片的晶體管數(shù)目與1963年相比,增加了10億倍。進入納米時代后,這一數(shù)目將保持每5年就增加10倍的速度。1990年,IBM的科學家曾經(jīng)用隧道掃描顯微鏡,在超真空及液氦溫度<412K>條件下,將吸附在鎳表面的氙原子,一個個地拖曳排列成"I三個字BM"母,引起了世人的矚目,這是人類首次對原子進行操作。單原子的操作成功使人們對納米技術的應用信心大增。但是,用原子操作做出具有特殊功能特性的原子或分子器件,往往需要在極限條件下進行,而且花費時間很長,現(xiàn)時的工藝遠遠沒有達到進行大型生產(chǎn)的要求。業(yè)已知道物質(zhì)包括電子具有波粒二象性。就目前微電子學所取得的成就而言,雖然已快接近器件物理的極限,即達到器件原子級操作,但從器件原理的角度,還只不過是利用到了電子的粒子性,其更重要更具潛力的波動性還未能加以利用,新的器件結構將會出現(xiàn)。如對電子的自旋、相位等進行調(diào)制。今后新型器件的研發(fā)將主要圍繞量子力學效應的全面克服和利用來進行,前途還是一片光明的。微電子技術仍將以硅基CMOS工藝為主流技術,器件的特征尺寸繼續(xù)按比例縮小,并朝著系統(tǒng)集成芯片<SystemonChip,簡稱SOC>方向發(fā)展,即將子系統(tǒng)或整個系統(tǒng)集成在一塊硅芯片上,具有信息的存儲、處理及刷新功能。這將是微電子領域內(nèi)的另一場革命。進一步,甚至于可以將各種物理、化學和生物傳圖7集成電路集成度發(fā)展歷程與藍圖Fig.7ICdensityroadmap自器件工藝與器件物理本身兩方面的限制。器件特征尺寸的進一步縮小,關鍵在于光刻技術的進步。90nm產(chǎn)品采用193nm深紫外<DUV>光源,目前的主要方向。一方面是將現(xiàn)有的紫外光光刻技術<即193nm及157nmDUV光源技術>進一步拓展,以期實現(xiàn)最小線寬為65nm的硅集成電路。據(jù)總部位于荷蘭專門生產(chǎn)光刻機的ASML采用沉浸透鏡技術<Immersion193nmDUVnm。>光刻技術<13nmEUV光源技術>20nm,由此可將現(xiàn)有的CMOS工藝推至加工極限。極限紫外光刻技術的研究從概念的提出至今,已經(jīng)發(fā)展了近15年,它或許是最后一代用光實現(xiàn)納米制造的光刻技術。除了極限紫外光刻技術以外,還有其它新一代納米級的光刻技術,如:X光光刻、電子束投影、離子束投影、微型電子束陣列等等。目前工業(yè)界主要看好的還只是極限紫外光刻技術。在集成電路遵循摩爾定律進入納米領域后,除了制造工藝會遇到新的困難,器件結構的微觀特征變得明顯,量子效應日漸突出,現(xiàn)有器件將面臨下述物理限制的挑戰(zhàn)[6]。首先是器件的短溝道效應:隨著MOS器件溝道長度的不斷縮小,器件的閾值電壓Vt與溝道長度的關聯(lián)度進一步加強,即器件的短溝道效應將變得更明顯,需要設法改進器件結構加以抑制。其次強場效應:器件縱橫向尺寸縮小,而電源電壓并不能以同樣比例縮小,使得柵絕緣介質(zhì)和溝道內(nèi)場強不斷加強,會在器件穿通和熱電子等方面產(chǎn)生可靠性問題。再次是薄氧化層的隧穿效應:在器件尺寸縮小到100nm以下時為維持足夠的柵控能力,需進一步減小氧化層的厚度,將導致電子在氧化層中的隧穿幾率增加,致使柵漏電流增大。第四是溝道雜質(zhì)原子無序漲落效應:溝道長度減小到小于1004期肖德元等:半導體器件發(fā)展歷程及其展望515感器和執(zhí)行器與信息處理及存儲系統(tǒng)集成在一塊硅芯片上。目前,電子工業(yè)的銷售額已超過汽車工業(yè),成為第一大工業(yè)。集成電路身為電子工業(yè)的核心,將以更高的速度成長并超過鋼鐵工業(yè)。圖8給出了半導體的發(fā)展在過去30年以及到20XX的預期。據(jù)美國半導體協(xié)會<SIA>預測,到20XX,集成電路全行業(yè)銷售額將達到1萬億美元,它將支持6萬億到8萬億美元的電子裝備、30萬億美元的電子信息服務業(yè)和約50萬億美元國民生產(chǎn)總值。這場由肖克萊為代表的半導體先驅(qū)們點燃的晶體之火正熊熊燃燒,迄今還未見到它將熄滅的跡象……隨著中國作為新的世界制造戰(zhàn)略基地的崛起,中國半導體廠的興建經(jīng)歷了一股熱潮。僅僅幾年前,中國的半導體廠還距世界先進水平有著四、五代的巨大差距,而今,這差距已被迅速縮小至僅僅一、兩代。20XX9月25日,中芯國際集成電路制造有限公司<SMIC>在北京舉行隆XX典,慶祝其第一座12英寸芯片廠成功投產(chǎn)進入正式營運階段。中國第一條12英寸芯片生產(chǎn)線的建成,標志著中國集成電路制造技術已經(jīng)跨入300mm時代,中國業(yè)已進入全球半導體制造強國的行列。僅中芯國際三地的總產(chǎn)能在20XX底達到預定的月產(chǎn)12萬5千片八等值晶圓。自20XX的第三季開始,中芯國際已超過新加坡特許半導體成為全球第三大晶圓代工廠商,在行業(yè)內(nèi)的排名僅次于臺積電和聯(lián)電。自20XX起,開始導入90nm制程,。這意味著909到,130nm技術上落。意法半導體<STMicroelectronics>企業(yè)副總裁OttoKosgalwies在德國慕尼黑舉行的2004Electronica會議上表示,中國將在20XX成為全球最大的半導體制造國,其出貨比重占全球23%,金額為500億美元。圖81970年至20XX全球國民生產(chǎn)總值<GWP>及電子、半導體、微處理器與存儲器產(chǎn)品的銷售額Fig.8Glossworldproduct,electronic,semiconductor,microprocessorandmemoryproductssalesfromyear1970toyear20105結束語半導體技術已經(jīng)歷了巨大的發(fā)展,成為發(fā)展最快的技術。它對人類社會的發(fā)展產(chǎn)生了深刻影響。新世紀初的中國,面臨著發(fā)展民族半導體產(chǎn)業(yè)的強大機遇與挑戰(zhàn)。國家在加強對半導體企業(yè)實行優(yōu)惠政策的同時,還將完善我國現(xiàn)行科技法律、法規(guī)與獎勵辦法,努力提高我國高新技術專家、發(fā)明家和實踐革新家的地位和聲望。通過國家政策和投入,體現(xiàn)國家意志,在總體上實現(xiàn)市場和計劃對中國一流半導體企業(yè)技術中心的全力支持,使其盡快成長為世界一流的實驗室和生產(chǎn)中心。在此,筆者預言:在不遠的將來,中國一定會擁有世界一流的企業(yè)、世界一流的大學與世界一流的實驗室、世界一流的科研人才!我們一定會不斷創(chuàng)新,不會錯過這一難得也可能是唯一的機遇。參考文獻[1]邁克爾?賴爾登,莉蓮?霍德森著,浦根洋譯.晶體之火[M].上海:上?？萍汲霭嫔?2002:2.4半導體產(chǎn)業(yè)重心的轉(zhuǎn)移及中國半導體產(chǎn)業(yè)的機遇與挑戰(zhàn)20世紀70年代末,半導體產(chǎn)業(yè)重心從美國轉(zhuǎn)移到了日本,而20世紀80年代末,韓國與中國XX成為半導體產(chǎn)業(yè)的主力。每一次產(chǎn)業(yè)重心轉(zhuǎn)移,都引發(fā)了整個產(chǎn)業(yè)的劇烈震蕩,這種力量也給那些新興國家和地區(qū)帶來了巨大的經(jīng)濟動力。這種轉(zhuǎn)移在日本造就了日立、東芝、三菱電氣、富士通和NEC等世界頂級的半導體制造商。而僅僅通過十余年的不懈努力,韓國成為繼美國、日本之后的世界第三個半導體產(chǎn)業(yè)中心,自上個世紀90年代中期以來,半導體產(chǎn)值一度占據(jù)韓國出口產(chǎn)品的第一位。韓國三星公司更成為世界第一大存儲器生產(chǎn)大廠。<下轉(zhuǎn)第521頁>4期胡建等:一種適用于射頻電子標簽的時鐘數(shù)據(jù)恢復電路521型鑒頻鑒相器,它同時具備了鑒頻鑒相的功能以及對NRZ數(shù)據(jù)的正確識別的功能。此外設計了一個自適應控制單元,能夠動態(tài)地根據(jù)輸入數(shù)據(jù)的速率自動調(diào)節(jié)邊沿檢測器的延遲單元,使其輸出能為后級單元提供較理想的信號。經(jīng)過流片后實測,此時鐘數(shù)據(jù)恢復電路能工作在1.15V的低電壓下,且具有低功耗的特點,適合在射頻電子標簽芯片等對功耗要求比較嚴格的場合下使用。參考文獻[1]FinkenzellerK著,陳大才編譯.射頻識別<RFID>技術clockdynamicCMOScircuittechnique[J].IEEEJournalofSolid2stateCircuits,1987,22:8992901.[5]RazaviB.DesignofAnalogCMOSIntegratedCircuits[M].McGraw2Hill,2001:5322576.[6]HanumoluPK,BrownleeM,MayaramK,etal.Analysisofcharge2pumpphase2lockedloop[J].IEEETransactionsonCircuitsandSystems2I:RegularPapers,2004,51<9>:166521674.[7]ChenDL.ApowerandareaefficientCMOSclockdatarecoverycircuitforhigh2speedserialinterfaces[J].IEEEJournalofSolid2stateCircuits,1996,31<8>:1170.胡建<HUJianyun>男,1981年生,20XX6月獲復旦大學微電子學理學學士學位,20XX9月起在復旦大學專用集學位。?！獰o線電感應的應答器和非接觸IC卡的原理與應用[M].北京:電子工業(yè)出版社,2001.[2]RazaviB.DesignofMonolithicPhase2lockedLoopsandClockRecoveryCircuits[M].IEEEPress,Piscataway,NJ1996.[3]SharpeCA.A32statephasedetectorcanimproveyournextPLLdesign[J].EDNMagazine,1976,9:55259.[4]JirenY,KarlssonI,SvenssonC.Atruesingle<上接第515[2]SezSM.rDevicesPhysicsand<10>:120521