2022-2025年MOSFET(MOS管)市場分析及未來發(fā)展趨勢報告

2022-2025年MOSFET(MOS管)市場分析及未來發(fā)展趨勢報告日期：2022-10-22目錄1234行業(yè)概述行業(yè)現(xiàn)狀分析行業(yè)痛點及發(fā)展建議行業(yè)格局及前景趨勢CONTENTS1行業(yè)概述行業(yè)定義行業(yè)發(fā)展歷程行業(yè)政策、經(jīng)濟(jì)、社會環(huán)境MOSFET，又稱MOS、MOS管，全稱為MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。根據(jù)工作載流子的極性不同，功率MOSFET可進(jìn)一步分為N溝道型（NMOS）與P溝道型（PMOS），兩者極性不同但工作原理類似，在實際電路中采用導(dǎo)通電阻小、制造較容易的N溝道型MOSFET。MOSFET具有三個電極，分為源極（Source）、漏極（Drain）以及柵極（Gate），通過控制柵極所加電壓可控制源極與漏極之間的導(dǎo)通與關(guān)閉。以N溝道MOSFET為例，當(dāng)G、S極之間的電壓為零時，D、S之間不導(dǎo)通，相當(dāng)于開路，而當(dāng)G、S極之間的電壓為正且超過一定界限時，D、S極之間則可通過電流，因此功率MOSFET在電路中起到的作用近似于開關(guān)。MOSFET(MOS管)行業(yè)定義行業(yè)定義01020304萌芽期（1959-1969年）1959年，全球首款功能性MOSFET問世，這款產(chǎn)品使用了硅低襯、二氧化硅柵極電介質(zhì)和AI柵極電極。此后，通過引入雜質(zhì)吸附的方法以及提高對環(huán)境清潔度的控制，MOSFET柵極不穩(wěn)定的問題得到了解決。這一時期，功率器件領(lǐng)域內(nèi)成功建立起MOSFET的漏極電流Id和漏極電壓Vd以及柵極電壓之間的關(guān)系模型，但由于MOSFET驅(qū)動電流低于雙極結(jié)晶體管，且閾值電壓不穩(wěn)定，尚未成為主流雙極技術(shù)的競爭者。高速發(fā)展期（2014年至今）關(guān)于柵極氧化物的厚度，當(dāng)時業(yè)界普遍認(rèn)為3nm是極限，低于該數(shù)值時則出現(xiàn)隧穿現(xiàn)象。2016年，IBM利用強(qiáng)度更大的背光注入技術(shù)成功地制造出了厚度4nm、柵長6nm的MOSFET，是目前世界上能夠?qū)嶋H運行的“最小”的MOSFET。為實現(xiàn)器件進(jìn)一步的縮小與集成，MOSFET在納米級別還在現(xiàn)基礎(chǔ)上進(jìn)一步向更小尺寸發(fā)展。為突破物理極限，當(dāng)前國際各科研團(tuán)隊在新材料特殊屬性基礎(chǔ)上研發(fā)，試圖制造出更高性能更低功率更小尺寸的MOSFET。成長期（1970-1980年）20世紀(jì)60年代后期，MOSFET開始采用多晶硅柵極電極。70年代初，多晶硅柵極在高溫?fù)诫s擴(kuò)散時形成源-漏極區(qū)域的標(biāo)志，從而讓源極/漏極和柵極電極自行對齊，使MOSFET尺寸不斷縮小成為了可能。在此背景下，MOSFET開始被用于LSI電路的制造，如內(nèi)存和微處理器，但高性能大型計算機(jī)主要還是使用雙極結(jié)晶體管?？焖侔l(fā)展期（1981-2013年）隨著技術(shù)的進(jìn)步，MOSFET的特征尺寸不斷減小。為解決短通道效應(yīng)，業(yè)界提出了輕摻雜漏極結(jié)構(gòu)。自6μm代MOSFET以來，電源電壓二十多年保持在5V，最終在0.5μm代技術(shù)產(chǎn)生時，電源電壓下降至發(fā)展歷程行業(yè)PEST-政策分析《“十三五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》把核心基礎(chǔ)零部件（元器件）、先進(jìn)基礎(chǔ)工藝、關(guān)鍵基礎(chǔ)材料和產(chǎn)業(yè)技術(shù)基礎(chǔ)（統(tǒng)稱“四基”）作為著力破解的發(fā)展瓶頸；并把集成電路及專用裝備作為重點發(fā)展對象，要求著力提升集成電路設(shè)計水平，不斷豐富知識產(chǎn)權(quán)（IP）核和設(shè)計工具，突破關(guān)系國家信息與網(wǎng)絡(luò)安全及電子整機(jī)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心通用芯片，提升國產(chǎn)芯片的應(yīng)用適配能力。設(shè)立國家產(chǎn)業(yè)投資基金，重點支持集成電路制造領(lǐng)域，兼顧設(shè)計、封裝測試、裝備、材料環(huán)節(jié)，推動企業(yè)提升產(chǎn)能水平和實行兼并重組、規(guī)范企業(yè)治理，形成良性自我發(fā)展能力。明確指出做強(qiáng)信息技術(shù)核心產(chǎn)業(yè)，提升核心基礎(chǔ)硬件供給能力。推動電子器件變革性升級換代，加強(qiáng)低功耗高性能新原理硅基器件、硅基光電子、混合光電子、微波光電子等領(lǐng)域前沿技術(shù)和器件研發(fā)，功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)將迎來新的一輪高速發(fā)展期?！丁笆濉眹倚畔⒒?guī)劃》制定國家信息領(lǐng)域核心技術(shù)設(shè)備發(fā)展戰(zhàn)略綱要，以體系化思維彌補單點弱勢，打造國際先進(jìn)、安全可控的核心技術(shù)體系，帶動集成電路、基礎(chǔ)軟件、核心元器件等薄弱環(huán)節(jié)實現(xiàn)根本性突破?！秶壹呻娐樊a(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》《中國制造2025》行業(yè)PEST-》行業(yè)政策中央辦公廳、國務(wù)院辦公廳國務(wù)院《國家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要》強(qiáng)調(diào)制定國家信息領(lǐng)域核心技術(shù)設(shè)備發(fā)展戰(zhàn)略綱要的重要性，以體系化思維彌補單點弱勢，打造國際先進(jìn)、安全可控的核心技術(shù)體系，帶動集成電路、基礎(chǔ)軟件、核心元器件等薄弱環(huán)節(jié)實現(xiàn)根本性突破。《“十三五”國家戰(zhàn)略性新型發(fā)展產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄》指出加快制定寬禁帶半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)，推動電子器件變革性升級換代。在科研領(lǐng)域加強(qiáng)低功耗高性能新原理硅基器件、硅基光電子、混合光電子、微波光電子等領(lǐng)域前沿技術(shù)和器件研發(fā)，形成一批專用關(guān)鍵制造設(shè)備，提升光網(wǎng)絡(luò)通信元器件支撐能力。支持電力電子功率器件核心產(chǎn)業(yè)，其中包括金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）、絕緣柵雙極晶體管芯片（IGBT）及模塊、快恢復(fù)二極管（FRD）、垂直雙擴(kuò)散金屬-氧化物場效應(yīng)晶體管（VDMOS）、可控硅（SCR）、5英寸以上大功率晶閘管（GTO）、集成門極換流晶閘管（IGCT）、中小功率智能模塊。發(fā)改委行業(yè)社會環(huán)境臺系企業(yè)和臺灣媒體均表示8寸晶圓產(chǎn)能緊張，在高達(dá)2成的缺口下價格有望調(diào)漲，進(jìn)一步驗證我們前篇報告中對8寸產(chǎn)能趨勢的判斷。根據(jù)臺灣電子時報DIGITIMES報道和分析，2020年傳統(tǒng)旺季效應(yīng)在Q3明顯發(fā)酵，由于客戶新品發(fā)布延遲到2020年下半年，8寸產(chǎn)能訂單火爆需求緊張，2020年下半年8寸晶圓交期延長至3~4個月，價格將較上半年調(diào)漲5~10%，20Q4急單價格調(diào)漲10%，2021年8寸晶圓代工價格將會年增10%左右。雖然諸多供應(yīng)商皆有產(chǎn)能擴(kuò)充計劃，但產(chǎn)能無法短期內(nèi)大幅增加，2021年供給缺口約達(dá)2成左右。聯(lián)電表示，2021年市場需求熱絡(luò)，晶圓代工價格將從過去客戶主導(dǎo)，轉(zhuǎn)變?yōu)橘u方拿回發(fā)言權(quán)，整體ASP價格可能略微調(diào)漲。世界先進(jìn)提出，已有客戶陸續(xù)預(yù)訂2021年產(chǎn)能，預(yù)期產(chǎn)能吃緊情況會延續(xù)到一整年。行業(yè)社會環(huán)境作為最基礎(chǔ)的電子器件，MOSFET具有高頻、電壓驅(qū)動、抗擊穿性好等特點，應(yīng)用范圍覆蓋電源、變頻器、CPU及顯卡、通訊、消費電子、汽車電子、工業(yè)等多領(lǐng)域。在一般電子電路中，MOSFET通常被用于放大電路或開關(guān)電路，其可作為邏輯電路和易失性電路內(nèi)存電路的開關(guān)，也可作為放大信號元器件使用。20世紀(jì)70年代，CMOS技術(shù)在NMOS與PMOS工藝基礎(chǔ)上逐漸發(fā)展起來，CMOS的C表示互補，即將NMOS器件與PMOS器件同時制作在同一硅襯底下，制作CMOS集成電路。CMOS集成電路具有功耗低、速度快、抗干擾能力強(qiáng)、集成度高等眾多優(yōu)點，是當(dāng)前集成電路的主流工藝技術(shù)，MOSFET也因此成為當(dāng)前集成電路的重要元器件之一。2014-2015年積累的大批產(chǎn)能在2016年電子產(chǎn)品市場結(jié)構(gòu)調(diào)整中爆發(fā)，疊加下游端的需求壓縮，行業(yè)內(nèi)產(chǎn)能過剩的情況大量存在。但受物聯(lián)網(wǎng)、云計算、大數(shù)據(jù)、智能制造、智能交通、醫(yī)療電子等新興應(yīng)用領(lǐng)域市場拓展的影響，自2016年起，中國MOSFET行業(yè)市場規(guī)模再次恢復(fù)了逐年增長的發(fā)展趨勢。行業(yè)經(jīng)濟(jì)環(huán)境2MOSFET(MOS管)行業(yè)現(xiàn)狀分析MOSFET(MOS管)產(chǎn)業(yè)鏈MOSFET(MOS管)行業(yè)驅(qū)動因素MOSFET(MOS管)行業(yè)現(xiàn)狀分析MOSFET(MOS管)行業(yè)市場規(guī)模產(chǎn)業(yè)鏈上游MOSFET(MOS管)產(chǎn)業(yè)鏈上游概述中國MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈上游市場參與者有晶圓、封裝材料等原材料供應(yīng)商及生產(chǎn)設(shè)備供應(yīng)商。晶圓采購成本約占MOSFET成本的30%-40%，當(dāng)前全球晶圓供給緊張局面促使晶圓價格持續(xù)上漲。12英寸晶圓在2017年起逐季上漲，全年價格漲幅約為20%-30%，受晶圓產(chǎn)能不足的影響，8英寸晶圓價格隨之跟漲。當(dāng)前中國MOSFET芯片良率已達(dá)95%以上，已基本追平98%-99%的國際水平，在中低端領(lǐng)域憑借性價比已基本實現(xiàn)進(jìn)口替代，但制程多集中6英寸，落后于國際市場中功率器件商普遍使用的8英寸晶圓制造技術(shù)。在12英寸晶圓片領(lǐng)域，當(dāng)前國際功率器件廠商僅有英飛凌具備相關(guān)制造技術(shù)。自2000年以來，全球領(lǐng)先晶圓廠產(chǎn)能逐漸從6英寸晶圓產(chǎn)線遷移到更高階的12英寸晶圓產(chǎn)線，8英寸晶圓生產(chǎn)線數(shù)量停滯不前，甚至在2015年生產(chǎn)線數(shù)量處于逐漸下滑的狀態(tài)，2016-2017年市場隨之出現(xiàn)供應(yīng)緊張狀態(tài)。相對于剛剛起步的12英寸產(chǎn)線，8英寸制程可推動中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)推動設(shè)備及材料的聯(lián)動。目前中國有中芯國際、華虹宏力、上海先進(jìn)、華潤微電子等多家集成電路制造廠商已建成多條8英寸生產(chǎn)線。在功率器件12英寸的技術(shù)節(jié)點上，政府高度重視晶圓廠的技術(shù)發(fā)展，近兩年來投入巨額資金支持12英寸及8英寸先進(jìn)晶圓產(chǎn)線發(fā)展，隨著新晶圓產(chǎn)線逐漸建成投產(chǎn)，將為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供堅實的發(fā)展基礎(chǔ)。產(chǎn)業(yè)鏈中游MOSFET(MOS管)產(chǎn)業(yè)鏈中游概述按生產(chǎn)模式來分，MOSFET廠商可分為IDM（IntegratedDesignandManufacture，垂直整合制造）模式、Fabless（無工廠芯片供應(yīng)商）模式及Foundry（代工廠）模式。IDM模式:集MOSFET設(shè)計、制造、封測，甚至是下游電子終端產(chǎn)品生產(chǎn)于一體的模式。中國MOSFETIDM廠商主要有新潔能、揚杰、深愛半導(dǎo)體等，企業(yè)可在設(shè)計、制造等環(huán)節(jié)協(xié)同優(yōu)化，充分發(fā)掘技術(shù)潛力，可率先實現(xiàn)領(lǐng)先技術(shù)的實驗并推行新的半導(dǎo)體技術(shù)。但I(xiàn)DM模式資金壁壘較高，通常IDM廠商規(guī)模龐大，管理成本高，資本回報率較低。Fabless模式:指僅負(fù)責(zé)MOSFET芯片設(shè)計，將生產(chǎn)、測試、封裝等環(huán)節(jié)外包的模式。Fabless模式下，廠商直接面對用戶，根據(jù)用戶需求進(jìn)行個性化定制，企業(yè)資產(chǎn)輕，初始投資規(guī)模小，創(chuàng)業(yè)難度低，運營費用低，轉(zhuǎn)型靈活。中國華南地區(qū)以及江浙滬地區(qū)有眾多中小型MOSFET廠商，其地理位置多貼近下游消費電子整機(jī)廠廠址。這些中小型MOSFET廠商多使用Fabless模式，從晶圓廠購買芯片直接售賣，或者將封裝、測試環(huán)節(jié)外包，出售MOSFET成品。部分小廠商的主要客戶為中低端消費電子整機(jī)廠，產(chǎn)品利潤水平低，客戶對產(chǎn)品質(zhì)量要求低，廠商為壓縮成本甚至不進(jìn)行測試環(huán)節(jié)。Foundry模式:只負(fù)責(zé)代工制造、封裝或測試的其中一環(huán)，不負(fù)責(zé)MOSFET產(chǎn)品設(shè)計的模式，如蘇州固锝，其不僅生產(chǎn)自身產(chǎn)品，還為其他設(shè)計公司提供芯片代工服務(wù)。一般代工廠模式下，廠商可同時為多家設(shè)計公司提供服務(wù)。代工廠不存在因市場調(diào)研不準(zhǔn)與產(chǎn)品設(shè)計缺陷等問題帶來的決策風(fēng)險，但是批量化的生產(chǎn)需要較大投資規(guī)模，高昂的生產(chǎn)線運維費用導(dǎo)致該行業(yè)資金壁壘遠(yuǎn)高于Fabless模式廠商。由于半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝水平直接影響產(chǎn)品質(zhì)量與產(chǎn)品良率，高工藝水平的芯片代工廠在產(chǎn)業(yè)鏈中具有較高話語權(quán)。在行業(yè)內(nèi)出現(xiàn)周期性產(chǎn)能緊張的時候，知名芯片代工廠，如華虹電子訂單交付周期將從淡季的1-2個月延長至6個月以上。大部分設(shè)計公司為了囤貨應(yīng)對市場需求，會采用競價的方式高價購買代工廠提前交付的產(chǎn)品。產(chǎn)業(yè)鏈下游MOSFET(MOS管)產(chǎn)業(yè)鏈下游概述產(chǎn)業(yè)鏈直接下游企業(yè)涵蓋消費電子、工業(yè)、通訊、汽車電子、CPU/GPU及電子照明等多領(lǐng)域，并通過直接客戶與汽車、計算機(jī)、家用電器等眾多最終消費品配套。據(jù)在MOSFET行業(yè)從業(yè)超過十年的專家表示，中國MOSFET應(yīng)用分布中，汽車電子及充電樁占比達(dá)20-30%，消費電子占比在20%以上，工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用約占20%，通訊設(shè)備占比自2019年3月份起呈持續(xù)上升態(tài)勢。近三年來，受益于國家經(jīng)濟(jì)刺激政策的實施以及新能源、新技術(shù)的應(yīng)用，下游最終產(chǎn)品的市場需求保持著良好的增長態(tài)勢，從而為MOSFET行業(yè)的發(fā)展提供了廣闊的市場空間。汽車電氣化為MOSFET帶來巨大的增量空間。2017年2月，國務(wù)院發(fā)布的《“十三五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》中提出，到2020年中國新能源汽車年產(chǎn)銷200萬輛以上，累計產(chǎn)銷超過500萬輛，整體技術(shù)水平保持與國際同步，形成一批具有國際競爭力的新能源汽車整車和關(guān)鍵零部件企業(yè)。2015年11月，國家發(fā)改委印發(fā)的《電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展指南（2015-2020）》提出，到2020年中國充換電站數(shù)量達(dá)到2萬個，分散式充電樁超過480萬個。傳統(tǒng)汽車中，MOSFET主要用于輔助驅(qū)動各種電動馬達(dá)，包括通風(fēng)系統(tǒng)、雨刮器、電動車窗等。電動汽車中大量電氣控制裝置將促使MOSFET的用量大幅上升。根據(jù)英飛凌測算，電動汽車中半導(dǎo)體價值量接近傳統(tǒng)汽車的兩倍，MOSFET與IGBT等功率器件是電動車電機(jī)控制器實現(xiàn)功率變換的核心部件，高端電動汽車中，MOSFET器件用量可達(dá)250只。同時新能源汽車的普及也將進(jìn)一步帶動充電樁的需求，MOSFET作為充電樁的核心功率器件，其銷量將隨著充電樁分布密度的提高不斷上升。在低壓MOSFET市場中，PC占據(jù)了40%以上的市場份額，每一代CPU（又稱“主板”）、GPU（又稱“顯卡”）的更迭都會帶動一波MOSFET的市場需求。隨著CPU、GPU運算能力的上升，所需供電電流愈高，當(dāng)電流超過電子元件的承受能力后，多相供電就成為了必要。多相供電電路中每一項供電都至少需要上下橋兩個MOSFET。電競的蓬勃發(fā)展促使PC硬件最高配置逐年升級，當(dāng)前英偉達(dá)領(lǐng)先產(chǎn)品NVIDIATITANRTX中搭載的iMOSDrMOS電源高達(dá)13相，遠(yuǎn)高于五年前主流的4-6相供電，CPU與GPU的算力提高使MOSFET用量大幅增加。行業(yè)現(xiàn)狀中國MOSFET行業(yè)整體不斷發(fā)展，市場規(guī)模（以銷量計）從2014年的8億只增長至2018的年939.8億只，年復(fù)合增長率高達(dá)326.5%。2016年，中國MOSFET行業(yè)結(jié)束了自2012年起市場份額逐年增長的態(tài)勢，其主要原因如下:（1）宏觀上，由于全球經(jīng)濟(jì)整體復(fù)蘇乏力，且PC市場衰退，移動通信終端市場增速減緩及平板等主要電子產(chǎn)品市場發(fā)展放緩；（2）2014-2015年積累的大批產(chǎn)能在2016年電子產(chǎn)品市場結(jié)構(gòu)調(diào)整中爆發(fā)，疊加下游端的需求壓縮，行業(yè)內(nèi)產(chǎn)能過剩的情況大量存在。但受物聯(lián)網(wǎng)、云計算、大數(shù)據(jù)、智能制造、智能交通、醫(yī)療電子等新興應(yīng)用領(lǐng)域市場拓展的影響，自2016年起，中國MOSFET行業(yè)市場規(guī)模再次恢復(fù)了逐年增長的發(fā)展趨勢。行業(yè)市場規(guī)模2019年3月起，MOSFET的價格從高點下跌，消費電子整機(jī)出口量的下降直接壓縮了中小廠商的生存空間。雖然上游晶圓供應(yīng)情況逐漸緩解，價格出現(xiàn)了10%左右的降幅，但中國中小MOSFET下游市場需求主要集中于消費電子領(lǐng)域，隨著下游需求的銳減，競爭加劇，利率空間直接被壓縮。而華南等地小廠將面臨供應(yīng)鏈不全的壓力，中小型MOSFET廠商難以低價獲得晶圓，低端客戶又難以承受MOSFET整體價格上漲帶來的成本壓力，部分中小廠商開始接低于10%利潤率的訂單。在中國長三角及華南地區(qū)有大量中小MOSFET廠商，這些廠商多為Fabless模式，芯片制造與封裝環(huán)節(jié)外包，甚至不進(jìn)行測試直接售賣。在產(chǎn)能調(diào)整時期，MOSFET市場集中度將逐漸提升，落后產(chǎn)能將被市場逐漸淘汰，整體產(chǎn)品質(zhì)量逐漸提高。2017年2月，國務(wù)院發(fā)布的《“十三五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》中提出，到2020年中國新能源汽車年產(chǎn)銷200萬輛以上，累計產(chǎn)銷超過500萬輛，整體技術(shù)水平保持與國際同步，形成一批具有國際競爭力的新能源汽車整車和關(guān)鍵零部件企業(yè)。2015年11月，國家發(fā)改委印發(fā)的《電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展指南（2015-2020）》提出，到2020年中國充換電站數(shù)量達(dá)到汽車電氣化為MOSFET帶來巨大的增量空間PC占據(jù)了40%以上的市場份額，每一代CPU（又稱“主板”）、GPU（又稱“顯卡”）的更迭都會帶動一波MOSFET的市場需求。隨著CPU、GPU運算能力的上升，所需供電電流愈高，當(dāng)電流超過電子元件的承受能力后，多相供電就成為了必要。多相供電電路中每一項供電都至少需要上下橋兩個MOSFET。電競的蓬勃發(fā)展促使PC硬件最高配置逐年升級，當(dāng)前英偉達(dá)領(lǐng)先產(chǎn)品NVIDIATITANRTX中搭載的iMOSDrMOS電源高達(dá)13相，遠(yuǎn)高于五年前主流的4-6相供電，CPU與GPU的算力提高使MOSFET用量大幅增加。在低壓MOSFET市場中行業(yè)現(xiàn)狀MOSFET(MOS管)行業(yè)驅(qū)動因素行業(yè)驅(qū)動因素1近五年來，國家對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支持力度持續(xù)加碼，在產(chǎn)業(yè)政策支持和國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的推動作用下，中國功率MOSFET行業(yè)整體的技術(shù)水平、生產(chǎn)工藝、自主創(chuàng)新能力和技術(shù)成果轉(zhuǎn)化率有了較大的提升。政策支持隨著電子整機(jī)、消費類電子產(chǎn)品等產(chǎn)業(yè)鏈下游行業(yè)市場份額的擴(kuò)張，MOSFET市場規(guī)模仍有可觀的發(fā)展空間。汽車電氣化刺激MOSFET帶來巨大的增量，下游電子整機(jī)對節(jié)能環(huán)保的需求在拉動分立器件產(chǎn)品需求量增長的同時，同時帶動產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的快速升級。隨著5G商用化進(jìn)程的開始以及TypeC在移動端的進(jìn)一步覆蓋，寬禁帶MOSFET的需求量將成倍增長。同時有關(guān)SiC基、GsN基及封裝等新技術(shù)新工藝的發(fā)展使新型MOSFET產(chǎn)品展現(xiàn)出良好的性能，工作溫度、電阻、功率、電壓、頻率等屬性的優(yōu)化促使MOSFET可適用于更多應(yīng)用場景。寬禁帶MOSFET芯片的售價與利潤率遠(yuǎn)高于硅基MOSFET芯片，隨著新材料分立器件的應(yīng)用普及，未來MOSFET的整體市場規(guī)模將在現(xiàn)有基礎(chǔ)上進(jìn)一步擴(kuò)大。宏觀環(huán)境助推國產(chǎn)品牌崛起MOSFET(MOS管)行業(yè)驅(qū)動因素行業(yè)驅(qū)動因素2早在2010年，國家發(fā)改委《關(guān)于組織實施2010年新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項的通知》中，確立了功率器件產(chǎn)業(yè)化專項重點，支持MOSFET、IGCT、IGBT、FRO等量大面廣的新型電力電子芯片和器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。近五年來，國家出臺了一系列政策扶持民族半導(dǎo)體制造行業(yè)，培養(yǎng)了一批專業(yè)人才，行業(yè)內(nèi)整體科研水平迅速提升，大批分立器件制造企業(yè)在短時間內(nèi)迅速壯大。地緣政治因素也為內(nèi)資產(chǎn)品提供了更大的市場空間。中國是世界上最大的MOSFET市場，對MOSFET有巨大的市場需求，受制于國產(chǎn)產(chǎn)品性能，大部分高端應(yīng)用領(lǐng)域在原材料采購進(jìn)程中不會將國產(chǎn)MOSFET納入選擇范圍。2018年的“中興事件”加速了國內(nèi)各行業(yè)對于半導(dǎo)體器件的國產(chǎn)化進(jìn)程，部分下游企業(yè)開始嘗試使用國產(chǎn)分立器件產(chǎn)品替代進(jìn)口產(chǎn)品，為中國功率器件廠商提供了難得的市場機(jī)遇。宏觀環(huán)境助推國產(chǎn)品牌崛起MOSFET升級之路包括制程縮小、技術(shù)變化、工藝進(jìn)步。MOSFET在工藝線寬、器件結(jié)構(gòu)、生產(chǎn)工藝know-how三個層面的技術(shù)發(fā)化放緩，隨著國內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)線建設(shè)、產(chǎn)品開發(fā)方面速度加快，國內(nèi)外差距將明顯縮窄。另一方面國外廠商逐步退出中低端市場，國內(nèi)企業(yè)有機(jī)會承接市場份額。下游市場需求不斷擴(kuò)張3行業(yè)痛點及發(fā)展建議行業(yè)痛點行業(yè)發(fā)展建議行業(yè)痛點MOSFET(MOS管)行業(yè)缺乏完備的質(zhì)量控制和質(zhì)量保證體系，生產(chǎn)商缺乏統(tǒng)一的生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，行業(yè)內(nèi)產(chǎn)品質(zhì)量良莠不齊，導(dǎo)致產(chǎn)品的可靠性難以保證，喪失產(chǎn)品市場競爭力質(zhì)量參差不齊政府秉承創(chuàng)新開放的態(tài)度，支持和鼓勵科學(xué)研究創(chuàng)新，對科學(xué)研究試驗不設(shè)置嚴(yán)格限制，因此，MOSFET(MOS管)行業(yè)不存在統(tǒng)一的監(jiān)督管理規(guī)范，產(chǎn)品質(zhì)量主要依靠生產(chǎn)企業(yè)自主檢測，MOSFET(MOS管)行業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量的監(jiān)管難度加大行業(yè)監(jiān)管難度大政府秉承創(chuàng)新開放的態(tài)度，支持和鼓勵科學(xué)研究創(chuàng)新，對科學(xué)研究試驗不設(shè)置嚴(yán)格限制，因此，MOSFET(MOS管)行業(yè)不存在統(tǒng)一的監(jiān)督管理規(guī)范，產(chǎn)品質(zhì)量主要依靠生產(chǎn)企業(yè)自主檢測，MOSFET(MOS管)行業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量的監(jiān)管難度加大高端產(chǎn)品發(fā)展落后復(fù)合型人才稀缺MOSFET(MOS管)行業(yè)深陷人才困境。行業(yè)發(fā)展缺乏人才支撐，團(tuán)隊模式的培育機(jī)制弊端明顯導(dǎo)致MOSFET(MOS管)行業(yè)企業(yè)專業(yè)人才留存難度加大，制約MOSFET(MOS管)行業(yè)企業(yè)擴(kuò)張。MOSFET(MOS管)行業(yè)對從業(yè)人員的業(yè)務(wù)素質(zhì)要求高，主要表現(xiàn)在以下三方面從業(yè)人員需要具備行業(yè)基礎(chǔ)知識和法律知識，為企業(yè)客戶提供全面、可靠、專業(yè)、多樣的解決方案。從業(yè)人員需要懂行業(yè)的專業(yè)知識，包括：MOSFET(MOS管)行業(yè)產(chǎn)品得用途與優(yōu)缺點，行業(yè)特征、市場環(huán)境和產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略規(guī)劃等。從業(yè)人員需要具有優(yōu)秀的營銷談判能力、風(fēng)控反控能力及報告溝通能力。目前該行業(yè)在人才招聘時能夠匹配上述要求的人才寥寥無幾，限制行業(yè)發(fā)展。由于復(fù)合型人才稀缺，MOSFET(MOS管)行業(yè)企業(yè)通常采用團(tuán)隊培育的方式進(jìn)行專業(yè)能力建設(shè)，而該模式亦存在一定的弊端，企業(yè)的中高端人才若大量流失，初級員工的業(yè)務(wù)技能培訓(xùn)將面臨能力傳承的斷層，導(dǎo)致企業(yè)人才培養(yǎng)難度加大，制約MOSFET(MOS管)行業(yè)企業(yè)發(fā)展。質(zhì)量提升在資本的加持下，MOSFET(MOS管)的跑馬圈地仍在持續(xù)，預(yù)計2021年將會更加殘酷和激烈。同時，在線教育也面臨著更嚴(yán)格的監(jiān)管，合規(guī)成本提升。MOSFET(MOS管)行業(yè)產(chǎn)品品種多、批量小、附加值高，產(chǎn)品質(zhì)量要求也較為嚴(yán)格。MOSFET(MOS管)行業(yè)市場產(chǎn)品質(zhì)量參差不齊，假冒偽劣等亂象仍普遍存在，嚴(yán)重阻礙MOSFET(MOS管)行業(yè)發(fā)展進(jìn)步。未來，提升MOSFET(MOS管)行業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量是發(fā)展MOSFET(MOS管)行業(yè)的核心任務(wù)，具體措施可分為以下兩大部分：（1）政府方面：政府應(yīng)當(dāng)制定行業(yè)生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)范MOSFET(MOS管)行業(yè)生產(chǎn)流程，并成立相關(guān)部門，對科研用MOSFET(MOS管)行業(yè)的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售等各個環(huán)節(jié)進(jìn)行監(jiān)督，形成統(tǒng)一的監(jiān)督管理體系，完善試劑流通環(huán)節(jié)的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，重點加強(qiáng)冷鏈運輸環(huán)節(jié)的基礎(chǔ)設(shè)施升級，保證MOSFET(MOS管)行業(yè)產(chǎn)品的質(zhì)量，促進(jìn)行業(yè)長期穩(wěn)定的發(fā)展；（2）生產(chǎn)企業(yè)方面：MOSFET(MOS管)行業(yè)生產(chǎn)企業(yè)應(yīng)嚴(yán)格遵守行業(yè)生產(chǎn)規(guī)范，保證產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性。目前市場上已有多個本土MOSFET(MOS管)行業(yè)企業(yè)加強(qiáng)生產(chǎn)質(zhì)量的把控，對標(biāo)優(yōu)質(zhì)、高端的進(jìn)口產(chǎn)品，并憑借價格優(yōu)勢逐步替代進(jìn)口。此外，MOSFET(MOS管)行業(yè)企業(yè)緊跟行業(yè)研發(fā)潮流，加大創(chuàng)新研發(fā)力度，不斷推出新產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)大市場占有率，也是未來行業(yè)發(fā)展的重要趨勢提升產(chǎn)品質(zhì)量生產(chǎn)企業(yè)方面政府方面新鮮有趣的玩法與促銷節(jié)日的緊密融合將有效增加用戶黏性，隨著網(wǎng)民的社交、娛樂需求在電商場景不斷得到釋放，電商平臺應(yīng)推出更多貼合用戶口味的創(chuàng)意玩法，從而推動促銷節(jié)日的高效傳播與轉(zhuǎn)化。促銷節(jié)日的實惠程度關(guān)系用戶消費意愿，未來促銷節(jié)日應(yīng)回歸促銷的本質(zhì)，避免過多噱頭和復(fù)雜規(guī)則影響消費體驗，努力實現(xiàn)讓用戶獲益、廠家增收的共贏效果。2019年中國電商促銷節(jié)日用戶消費意愿影響因素占比全面增值服務(wù)1199增值服務(wù)提高產(chǎn)品定制服務(wù)需求日益多樣化行業(yè)同質(zhì)化競爭嚴(yán)重MOSFET(MOS管)行業(yè)企業(yè)服務(wù)模式單一。面對各級消費群體日益多樣的服務(wù)需求，MOSFET(MOS管)行業(yè)企業(yè)提供全面增值服務(wù)，構(gòu)建綜合服務(wù)體系，形成核心競爭力，是當(dāng)前MOSFET(MOS管)行業(yè)發(fā)展的必然趨勢。MOSFET(MOS管)行業(yè)企業(yè)的轉(zhuǎn)型壓力主要源于以下三大方面：單一的資金提供方角色僅能為MOSFET(MOS管)行業(yè)企業(yè)提供“凈利差”的盈利模式，MOSFET(MOS管)行業(yè)同質(zhì)化競爭日趨嚴(yán)重，利潤空間不斷被壓縮，企業(yè)業(yè)務(wù)收入因此受影響，商業(yè)模式亟待轉(zhuǎn)型除傳統(tǒng)的MOSFET(MOS管)行業(yè)需求外，設(shè)備管理、服務(wù)解決方案、貸款解決方案、結(jié)構(gòu)化融資方案、專業(yè)咨詢服務(wù)等方面多方位綜合性的增值服務(wù)需求也逐步增強(qiáng)中國本土MOSFET(MOS管)行業(yè)龍頭企業(yè)開始在定制型服務(wù)領(lǐng)域發(fā)力，鞏固行業(yè)地位多元化融資渠道豐富企業(yè)的債券種類關(guān)鍵詞一深化與核心銀行的合作關(guān)系關(guān)鍵詞二拓展銀行關(guān)系渠道關(guān)鍵詞三MOSFET(MOS管)行業(yè)企業(yè)在保證間接融資渠道通暢的同時，能夠綜合運用發(fā)債和資產(chǎn)證券化等方式促進(jìn)自身融資渠道的多元化，降低對單一產(chǎn)品和市場的依賴程度，實現(xiàn)融資地域的分散化，從而降低資金成本，提升企業(yè)負(fù)債端的市場競爭力。以遠(yuǎn)東宏信為例，公司依據(jù)自身戰(zhàn)略發(fā)展需求，堅持“資源全球化”戰(zhàn)略，結(jié)合實時國內(nèi)外金融環(huán)境，有效調(diào)整公司直接融資和間接融資的分布結(jié)構(gòu)，在融資成本方面與同業(yè)相比優(yōu)勢突出企業(yè)獲取各業(yè)態(tài)銀行如國有銀行、政策性銀行、外資銀行以及其他中資行的授信額度，確保了銀行貸款資金來源的穩(wěn)定性可持續(xù)公司債等創(chuàng)新產(chǎn)品，擴(kuò)大非公開定向債務(wù)融資工具（PPN）、公司債等額度獲取，形成了公司債、PPN、中期票據(jù)、短融、超短融資等多產(chǎn)品、多市場交替發(fā)行的新局面；MOSFET(MOS管)行業(yè)需要通過杠桿推動業(yè)務(wù)運轉(zhuǎn)，從負(fù)債端看，MOSFET(MOS管)行業(yè)企業(yè)的融資能力對資金成本和資金流動性具有決定性作用，因此，MOSFET(MOS管)行業(yè)企業(yè)打通多元化融資渠道，提高資金周轉(zhuǎn)率，將是促進(jìn)MOSFET(MOS管)行業(yè)業(yè)務(wù)發(fā)展的重要舉措。融資渠道拓展的主要方式主要包括以下三點：

拓展技術(shù)服務(wù)領(lǐng)域MOSFET(MOS管)行業(yè)屬于領(lǐng)域中發(fā)展最快的細(xì)分領(lǐng)域之一，隨著MOSFET(MOS管)的市場環(huán)境日趨成熟，行業(yè)競爭日趨激烈，多家MOSFET(MOS管)企業(yè)開始擴(kuò)張產(chǎn)品相關(guān)服務(wù)領(lǐng)域，提升企業(yè)的行業(yè)競爭力，主要舉措包括：提高產(chǎn)品定制服務(wù)能力提升技術(shù)服務(wù)能力供科研咨詢服務(wù)MOSFET(MOS管)行業(yè)企業(yè)開始在定制型服務(wù)領(lǐng)域發(fā)力，鞏固行業(yè)地位MOSFET(MOS管)行業(yè)企業(yè)面向多元化的科研實驗需求，建立多種技術(shù)服務(wù)平臺，向客戶提供除了所需的原材料以外的提取、分析等技術(shù)服務(wù)，形成企業(yè)特有競爭力通過進(jìn)行細(xì)化分工，為客戶制定科研問題解決方案，使客戶能更加專注于其擅長的領(lǐng)域，提高科研效率，且?guī)椭袠I(yè)大幅節(jié)省醫(yī)學(xué)科研投入聚焦投資業(yè)務(wù)行業(yè)資源優(yōu)勢金融資源優(yōu)勢服務(wù)優(yōu)勢MOSFET(MOS管)行業(yè)廠商長期參與采購與評估，積累了較為豐富的上游廠商資源儲備，且與多家廠商建立長期合作關(guān)系MOSFET(MOS管)行業(yè)商依托本身提供的資金服務(wù)，具備融資渠道暢通的資金優(yōu)勢，可為行業(yè)建設(shè)提供初期資金支持，且可通過杠桿提升資金效率MOSFET(MOS管)行業(yè)企業(yè)憑借多年的客戶服務(wù)經(jīng)驗，服務(wù)體系日趨完備，信息化服務(wù)于一身的綜合服務(wù)體系，能夠進(jìn)行有效遷移，為投資業(yè)務(wù)的長期健康發(fā)展提供有力支持MOSFET(MOS管)行業(yè)頭部企業(yè)已形成完善的的服務(wù)體系，在中國政府逐步放寬企業(yè)的準(zhǔn)入條件，鼓勵并支持的政策背景下，MOSFET(MOS管)行業(yè)企業(yè)開拓投資業(yè)務(wù)，通過產(chǎn)融結(jié)合向?qū)崢I(yè)運營縱深發(fā)展，MOSFET(MOS管)行業(yè)未來的重要發(fā)展趨勢。&&&

頁巖氣革命后，乙烷價格持續(xù)走低。美國是世界上最大的乙烷生產(chǎn)國，也是唯一的乙烷出口國。美國乙烷主要來自濕天然氣經(jīng)過天然氣廠分離后得到的天然氣液（NGL,Naturalgasliquids）和原油開采副產(chǎn)的凝析油經(jīng)過煉廠處理后得到的液化煉廠氣（LRG,Liquefiedrefinerygases），其中前者貢獻(xiàn)了絕大部分。自2010年以來，美國NGL產(chǎn)量幾乎翻了一番，超過了天然氣產(chǎn)量增長率，并創(chuàng)下了2017年370萬桶/天的年度記錄。由于頁巖氣產(chǎn)量不斷增加，同時受管道運輸中乙烷比例不能超過12%的限制，美國乙烷產(chǎn)量也持續(xù)提升。并且乙烷相對較低的熱值及沸點使其作為液化燃料無法與丙烷和丁烷競爭，分離費用也降低了其作為管道氣的吸引力，乙烷自身產(chǎn)量又高于其它NGL組分，其供給過剩的情況日益凸顯。這導(dǎo)致美國乙烷價格在2011年底開始下降，并且在2013年至2015年由于乙烷產(chǎn)量超過消費量，乙烷價格一度低于天然氣價格，直到隨后乙烷需求增加價格才逐漸回升至2016年平均150美元/噸和2017年平均184美元/噸。2018年6月份開始乙烷價格受供需影響迎來一波大漲，目前處于高位回落階段。

競爭趨勢隨著科技不斷發(fā)展，MOSFET(MOS管)企業(yè)對MOSFET(MOS管)行業(yè)產(chǎn)品的研發(fā)投入不斷加大，企業(yè)形成自己的技術(shù)堡壘是在未來市場中取得市場份額的重要收到，因此技術(shù)競爭也是未來行業(yè)競爭的重要方向之一。MOSFET(MOS管)行業(yè)的競爭促進(jìn)了產(chǎn)品質(zhì)量與服務(wù)的持續(xù)優(yōu)化與創(chuàng)新，在滿足客戶需求的同時也給行業(yè)服務(wù)帶來不斷的新體驗。優(yōu)質(zhì)的服務(wù)是MOSFET(MOS管)行業(yè)競爭的重要焦點與未來趨勢。客戶是上帝，滿足客戶的需求是MOSFET(MOS管)行業(yè)企業(yè)的價值實現(xiàn)，MOSFET(MOS管)行業(yè)競爭趨勢首先在需求的分析與客戶痛點的把握。小眾運動場景日益崛起，帶動了新的MOSFET(MOS管)行業(yè)產(chǎn)品需求。隨著行業(yè)的競爭不斷加劇，企業(yè)競爭的本質(zhì)是人才的競爭，MOSFET(MOS管)行業(yè)企業(yè)都在不斷提升專業(yè)員工的技術(shù)水平。通過專項培訓(xùn)、高薪招聘吸引高端優(yōu)質(zhì)人才加入。人才競爭是未來MOSFET(MOS管)行業(yè)競爭的核心點之一。

服務(wù)技術(shù)需求人才投資機(jī)會專家服務(wù)模式更側(cè)重借助專家的實際從業(yè)經(jīng)驗與洞察，針對企業(yè)遇到的實際問題給出一針見血的建議。全方位賦能，尤其是在服務(wù)能力的提升上，以更加完善的服務(wù)體系建設(shè)，為消費者帶來更好的產(chǎn)品體驗。010203投資機(jī)會投資機(jī)會投資機(jī)會MOSFET(MOS管)行業(yè)資源整合MOSFET(MOS管)行業(yè)咨詢管理MOSFET(MOS管)行業(yè)產(chǎn)品服務(wù)根據(jù)企業(yè)的發(fā)展戰(zhàn)略和市場需求對有關(guān)的資源進(jìn)行重新配置，以突顯企業(yè)的核心競爭力，并尋求資源配置與客戶需求的最佳結(jié)合點。目的是要通過組織制度安排和管理運作協(xié)調(diào)來增強(qiáng)企業(yè)的競爭優(yōu)勢，提高客戶服務(wù)水平。行業(yè)發(fā)展建議ABC發(fā)展建議1發(fā)展建議2發(fā)展建議3提升產(chǎn)品質(zhì)量（1）政府方面：政府應(yīng)當(dāng)制定行業(yè)生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)范MOSFET(MOS管)行業(yè)生產(chǎn)流程，并成立相關(guān)部門，對科研用MOSFET(MOS管)行業(yè)的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售等各個環(huán)節(jié)進(jìn)行監(jiān)督，形成統(tǒng)一的監(jiān)督管理體系，完善試劑流通環(huán)節(jié)的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，重點加強(qiáng)冷鏈運輸環(huán)節(jié)的基礎(chǔ)設(shè)施升級，保證MOSFET(MOS管)行業(yè)產(chǎn)品的質(zhì)量，促進(jìn)行業(yè)長期穩(wěn)定的發(fā)展；（2）生產(chǎn)企業(yè)方面：MOSFET(MOS管)行業(yè)生產(chǎn)企業(yè)應(yīng)嚴(yán)格遵守行業(yè)生產(chǎn)規(guī)范，保證產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性。目前市場上已有多個本土MOSFET(MOS管)行業(yè)企業(yè)加強(qiáng)生產(chǎn)質(zhì)量的把控，對標(biāo)優(yōu)質(zhì)、高端的進(jìn)口產(chǎn)品，并憑借價格優(yōu)勢逐步替代進(jìn)口。此外，MOSFET(MOS管)行業(yè)企業(yè)緊跟行業(yè)研發(fā)潮流，加大創(chuàng)新研發(fā)力度，不斷推出新產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)大市場占有率，也是未來行業(yè)發(fā)展的重要趨勢。全面增值服務(wù)單一的資金提供方角色僅能為MOSFET(MOS管)行業(yè)企業(yè)提供“凈利差”的盈利模式，MOSFET(MOS管)行業(yè)同質(zhì)化競爭日趨嚴(yán)重，利潤空間不斷被壓縮，企業(yè)業(yè)務(wù)收入因此受影響，商業(yè)模式亟待轉(zhuǎn)型除傳統(tǒng)的MOSFET(MOS管)行業(yè)需求外，設(shè)備管理、服務(wù)解決方案、貸款解決方案、結(jié)構(gòu)化融資方案、專業(yè)咨詢服務(wù)等方面多方位綜合性的增值服務(wù)需求也逐步增強(qiáng)。中國本土MOSFET(MOS管)行業(yè)龍頭企業(yè)開始在定制型服務(wù)領(lǐng)域發(fā)力，鞏固行業(yè)地位多元化融資渠道可持續(xù)公司債等創(chuàng)新產(chǎn)品，擴(kuò)大非公開定向債務(wù)融資工具（PPN）、公司債等額度獲取，形成了公司債、PPN、中期票據(jù)、短融、超短融資等多產(chǎn)品、多市場交替發(fā)行的新局面；企業(yè)獲取各業(yè)態(tài)銀行如國有銀行、政策性銀行、外資銀行以及其他中資行的授信額度，確保了銀行貸款資金來源的穩(wěn)定性。MOSFET(MOS管)行業(yè)企業(yè)在保證間接融資渠道通暢的同時，能夠綜合運用發(fā)債和資產(chǎn)證券化等方式促進(jìn)自身融資渠道的多元化，降低對單一產(chǎn)品和市場的依賴程度，實現(xiàn)融資地域的分散化，從而降低資金成本，提升企業(yè)負(fù)債端的市場競爭力。以遠(yuǎn)東宏信為例，公司依據(jù)自身戰(zhàn)略發(fā)展需求，堅持“資源全球化”戰(zhàn)略，結(jié)合實時國內(nèi)外金融環(huán)境，有效調(diào)整公司直接融資和間接融資的分布結(jié)構(gòu)，在融資成本方面與同業(yè)相比優(yōu)勢突出。4行業(yè)格局及前景趨勢行業(yè)格局行業(yè)發(fā)展趨勢行業(yè)代表企業(yè)行業(yè)趨勢需求占比調(diào)整中低壓市場國外大廠退出，國內(nèi)廠商有望承接市場份額行業(yè)洗牌，集中度不斷提高在上游晶圓廠產(chǎn)能持續(xù)緊張的情況下，以英飛凌為代表的國際功率器件大廠轉(zhuǎn)向新能源領(lǐng)域高級產(chǎn)品市場，中低端功率器件的市場空白是長期存在的，這為當(dāng)前在中低端領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)進(jìn)口替代的中國MOSFET廠商帶來了機(jī)會，另一方面也加速了行業(yè)洗牌。半導(dǎo)體材料成本占MOSFET的30%-40%，寬禁帶材料MOSFET甚至在60%以上，是至關(guān)重要的一環(huán)。在國際市場中，MOSFET多使用8英寸基片制造半導(dǎo)體二極管，加工技術(shù)成熟，產(chǎn)品性能穩(wěn)定。在12英寸晶圓片領(lǐng)域，當(dāng)前國際功率器件廠商只有英飛凌有相關(guān)技術(shù)，日本東芝、三菱以及臺灣地區(qū)的功率半導(dǎo)體廠商主要產(chǎn)品集中于8英寸領(lǐng)域。近三年來，中國大陸不斷有8寸、12寸先進(jìn)制程的晶圓廠建成并投產(chǎn)，未來8英寸、12英寸大尺寸晶圓片將成為MOSFET的主要原材料。大尺寸晶圓片將成為主要原材料瑞薩電子是全球最大的中低壓MOSFET廠商，公司在該領(lǐng)域市場占比為40%，2013年瑞薩率先退出中低壓MOSFET領(lǐng)域，其他廠商也紛紛開始向毛利率較高的高壓MOSFET領(lǐng)域轉(zhuǎn)型。中國是全球最大的消費電子生產(chǎn)國，對中低壓MOSFET需求巨大，目前士蘭微的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了白色家電領(lǐng)域，國內(nèi)廠商有望承接中低壓MOSFET領(lǐng)域的市場份額，實現(xiàn)國產(chǎn)化。隨著汽車電子化以及工業(yè)系統(tǒng)智能化程度的不斷加深，到2022年MOSFET下游應(yīng)用中，汽車占比為22%，計算機(jī)及存儲占比為19%，工業(yè)占比為14%。同質(zhì)化競爭激烈價格戰(zhàn)