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文檔簡介

本文格式為Word版,下載可任意編輯——單相交流調(diào)壓電路建模仿真

單相交流調(diào)壓電路

一、試驗(yàn)內(nèi)容

1.單相交流調(diào)壓器帶電阻性負(fù)載。

2.單相交流調(diào)壓器帶電阻—電感性負(fù)載。3.單相交流調(diào)功。

二、試驗(yàn)原理(一)純阻性負(fù)載

電阻負(fù)載單相交流調(diào)壓電路中,VT1和VT2可以用一個(gè)雙向晶閘管代替,在交流電源的正半周和負(fù)半周,分別對(duì)晶閘管的開通叫進(jìn)行控制就可以調(diào)理輸出電壓。正負(fù)半周觸發(fā)角時(shí)刻起均為過零時(shí)刻。在穩(wěn)態(tài)狀況下。應(yīng)使正負(fù)半周的觸發(fā)角一致??梢钥闯?。負(fù)載電壓波形是電源電壓波形的一部分,負(fù)載電流和負(fù)載電壓的波形一致。觸發(fā)角的移相范圍為0—π,阻性負(fù)載電路及波形分別如下所示。

圖2-1單相交流調(diào)壓電阻負(fù)載電路圖2-2單相交流調(diào)壓電路波形

晶閘管電流的平均值:

負(fù)載兩端電壓:

(式2)

(式1)

1

流過負(fù)載的電流:

(式3)

功率因數(shù)為:

(式4)

2.1工作過程

正、負(fù)半周α起始時(shí)刻(α=0),均為電壓過零時(shí)刻。在

時(shí),對(duì)VT1施

加觸發(fā)脈沖,當(dāng)VT1正向偏置而導(dǎo)通時(shí),負(fù)載電壓波形與電源電壓波形一致;在

時(shí),電源電壓過零,因電阻性負(fù)載,電流也為零,VT1自然關(guān)斷。在時(shí),對(duì)VT2施加觸發(fā)脈沖,當(dāng)VT2正向偏置而導(dǎo)通時(shí),負(fù)載電壓波形

與電源電壓波形一致;在

時(shí),電源電壓過零,VT2自然關(guān)斷。當(dāng)電

源電壓反向過零時(shí),由于反電動(dòng)勢(shì)負(fù)載阻止電流變化,故電流不能馬上為零,此時(shí)晶閘管導(dǎo)通角的大小,不但與控制角α有關(guān),而且與負(fù)載阻抗角有關(guān)。

兩只晶閘管門極的起始控制點(diǎn)分別定在電源電壓每個(gè)半周的起始點(diǎn)。穩(wěn)態(tài)時(shí),正負(fù)半周的相等,負(fù)載電壓波形是電源電壓波形的一部分,負(fù)載電流(電源電流)和負(fù)載電壓的波形相像。

(二)阻感負(fù)載

當(dāng)電源電壓U2在正半周時(shí),晶閘管VT1承受正向電壓,但是沒有觸發(fā)脈沖

晶閘管VT1沒有導(dǎo)通,在α?xí)r刻來了一個(gè)觸發(fā)脈沖,晶閘管VT1導(dǎo)通,晶閘管VT2在電源電壓是正半周時(shí)承受反向電壓截止,當(dāng)電源電壓反向過零時(shí),由于負(fù)載電感產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)阻止電流變化,故電流不能馬上為零,隨著電源電流下降過零進(jìn)入負(fù)半周,電路中的電感儲(chǔ)存的能量釋放完畢,電流到零,晶閘管VT1關(guān)斷。當(dāng)電源電壓U2在負(fù)半周時(shí),晶閘管VT2承受正向電壓,但是沒有觸發(fā)脈沖晶閘管VT2沒有導(dǎo)通,在π+α?xí)r刻來了一個(gè)觸發(fā)脈沖,晶閘管VT2導(dǎo)通,晶閘管VT1在電源電壓是負(fù)半周時(shí)承受反向電壓截止,當(dāng)電源電壓反向過零時(shí),由于負(fù)載電感產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)阻止電流變化,故電流不能馬上為零,隨著電源電流下降過零進(jìn)入負(fù)半周,電路中的電感儲(chǔ)存的能量釋放完畢,電流到零,晶閘管VT2關(guān)斷。

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圖2-3單相交流調(diào)壓阻感負(fù)載電路圖2-4單相交流調(diào)壓電路波形

三、試驗(yàn)步驟

1.建立一個(gè)仿真模型的新文件。在MATLAB的菜單欄上點(diǎn)擊File,選擇New,再在彈出菜單中選擇Model,這時(shí)出現(xiàn)一個(gè)空白的仿真平臺(tái),在這個(gè)平臺(tái)上可以繪制電路的仿真模型。

2.在simulink菜單下面找到simpowersystems,從中找出所需的晶閘管,交流電源,電壓表,電流表,示波器,阻感負(fù)載等。3.將找到的模型依照電路圖連接起來,如下圖所示:圖3-1交流調(diào)壓電路電阻負(fù)載搭建電路

3

圖3-2交流調(diào)壓電路阻感負(fù)載搭建電路

(4)分別雙擊開啟晶閘管IGBT1和IGBT2設(shè)置窗口,參數(shù)設(shè)置為:R=0.001Ω;L=0H;Vf=0.8,R=500Ω;C=250e-9F,

(5)雙擊開啟圖3-1和3-2中的電壓源模塊,開啟參數(shù)設(shè)置對(duì)話框,按要求設(shè)置參數(shù)電阻性負(fù)載中:Peakamplitude=200V,Phase=0,F(xiàn)requency=50Hz;阻感性負(fù)載Peakamplitude=100V,Phase=0,F(xiàn)requency=50Hz;

(6)雙擊開啟圖3-1中的R,開啟參數(shù)設(shè)置對(duì)話框,按要求設(shè)置參數(shù):Resistance=10Ω、Inductance=10mH、Capaaitance=inf;

(7)雙擊開啟圖3-9中的Pulse,開啟參數(shù)設(shè)置對(duì)話框,按要求設(shè)置參數(shù):Amplitude=,Period=0.02secs,PulseWidth=40。

(8)雙擊開啟圖3-9中的Pulse1,開啟參數(shù)設(shè)置對(duì)話框,按要求設(shè)置參數(shù):Amplitude=1,Period=0.02s,PulseWidth=40。(9)脈沖觸發(fā)角的設(shè)置:

α=0°表示VT1觸發(fā)脈沖不延遲。α=30°表示VT1觸發(fā)脈沖延遲0.0017s。α=60°表示VT1觸發(fā)脈沖延遲0.0033s。α=90°表示VT1觸發(fā)脈沖延遲0.0050s。α=120°表示VT1觸發(fā)脈沖延遲0.0067s。

(10)參數(shù)設(shè)置完后,單擊圖標(biāo)“得到如圖4-1到4-7所示的仿真圖。

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〞,然后雙擊示波器,并單擊“〞,就

四、仿真結(jié)果

(一)電阻負(fù)載仿真波形

圖4-1觸發(fā)角為30°時(shí)的仿真波形

圖4-2觸發(fā)角為90°時(shí)的仿真波形

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圖4-3觸發(fā)角為120°時(shí)的仿真波形

圖4-4觸發(fā)角為180°時(shí)的仿真波形

4.1仿真結(jié)果分析

由仿真波形可得到隨著觸發(fā)角的增大,負(fù)載兩端電壓U的波形的曲線部分的寬度越來越窄,則其有效值將不斷減小。

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由此可知,理論分析與仿真結(jié)果是一致的。在Sim庫環(huán)境下利用電力系統(tǒng)模塊庫中的電力電子器件組建單相交流調(diào)壓純電阻電路,并對(duì)電路進(jìn)行相應(yīng)的理論分夠得到很好的調(diào)壓結(jié)果。

(二)阻感負(fù)載仿真波形

圖4-5觸發(fā)角為60°時(shí)的仿真波形

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圖4-6觸發(fā)角為90°時(shí)的仿真波形

圖4-7觸發(fā)角為120°時(shí)的仿真波形

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五、

試驗(yàn)報(bào)告體會(huì)與心得

這次電力電子技術(shù)試驗(yàn),讓我有機(jī)遇將課堂上所學(xué)的理論知識(shí)運(yùn)用到實(shí)際中。并通過對(duì)知識(shí)的綜合運(yùn)用,進(jìn)行必要的分析、比較。從而進(jìn)一步驗(yàn)證了所學(xué)的理論知識(shí)。同時(shí),這次試驗(yàn)報(bào)告,還讓我知道了最重要的是心態(tài),在剛開始會(huì)覺得困難,但是只要充滿信心,就確定會(huì)完成的。

通過電力電子技術(shù)試驗(yàn),我加深了對(duì)課本專業(yè)知識(shí)的理解,平常都是理論知識(shí)的學(xué)習(xí),在此次試驗(yàn)過程中,我更進(jìn)一步地熟悉了單相交流調(diào)壓電路的原理和當(dāng)然,在這個(gè)過程中我也遇到了困難,查閱資料,相互通過探討。我確鑿地找出了我們的錯(cuò)誤并改正了錯(cuò)誤,這更是我們的收獲,不但使我們進(jìn)一步提高了我們的實(shí)踐能力,也讓我們?cè)谝院蟮墓ぷ鲗W(xué)習(xí)有了更大的信心。通過這次課程設(shè)計(jì)試驗(yàn)使我懂得了只有理論知識(shí)是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的,只有把所學(xué)的理論

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