氣體放電理論與紫外檢測技術(shù)應(yīng)用

氣體放電理論與紫外檢測技術(shù)應(yīng)用第一頁，共106頁。主要內(nèi)容第一部分氣體放電理論基礎(chǔ)知識第二部分紫外檢測技術(shù)及其應(yīng)用1.紫外6D二號機(jī)位-干燥加壓試驗(yàn)-002_2015_05_22_04_31_53.avi第二頁，共106頁。第一部分氣體放電理論基礎(chǔ)知識1.1氣體中帶電質(zhì)點(diǎn)的產(chǎn)生和消失1.2氣體放電過程的一般描述1.3均勻電場氣隙的擊穿1.4不均勻電場氣隙的擊穿1.5氣隙的擊穿特性1.6固體介質(zhì)的沿面放電1.7固體介質(zhì)的局部放電1.8液體介質(zhì)的放電第三頁，共106頁。1.1氣體中帶電質(zhì)點(diǎn)的產(chǎn)生和消失一、氣體絕緣特征純凈氣體不導(dǎo)電，帶電質(zhì)點(diǎn)導(dǎo)電。

二、氣體帶電質(zhì)點(diǎn)來源

1）光游離：紫外線、X射線等短波射線的光子能量很大，射到中性原子或分子產(chǎn)生光游離。光游離產(chǎn)生的自由電子稱為光電子，帶電質(zhì)點(diǎn)復(fù)合放出光子。第四頁，共106頁。1.1氣體中帶電質(zhì)點(diǎn)的產(chǎn)生和消失

2）撞擊游離：在外加電場作用下，帶電質(zhì)點(diǎn)（電子）被加速，具有一定的能量，與原子或分子碰撞時(shí)產(chǎn)生撞擊游離。3）熱游離：氣體溫度升高時(shí)，產(chǎn)生光游離或產(chǎn)生撞擊游離。4）表面游離：氣體中的電子也可能來源于金屬電極的表面游離。第五頁，共106頁。1.1氣體中帶電質(zhì)點(diǎn)的產(chǎn)生和消失三、氣體中帶電質(zhì)點(diǎn)的消失

帶電質(zhì)點(diǎn)流入電極；帶電質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散；帶電質(zhì)點(diǎn)的復(fù)合。

異號質(zhì)點(diǎn)的濃度愈大，復(fù)合就愈強(qiáng)烈。強(qiáng)烈的游離區(qū)通常也總是強(qiáng)烈的復(fù)合區(qū)，這個(gè)區(qū)的光亮度也就較高。第六頁，共106頁。1.2氣體放電過程的一般描述第七頁，共106頁。1.2氣體放電過程的一般描述

外界游離因素消失，電子崩隨之消失，這種放電稱為非自持放電。當(dāng)場強(qiáng)達(dá)到Ecr值時(shí)，電子崩僅由電場的作用自行維持和發(fā)展，這種性質(zhì)的放電稱為自持放電。由非自持放電轉(zhuǎn)入自持放電的場強(qiáng)稱為臨界場強(qiáng)Ecr。在均勻電場中，氣隙的擊穿電壓實(shí)際上就等于形成自持放電的臨界電壓。第八頁，共106頁。1.2氣體放電過程的一般描述

在很不均勻電場中，如尖端電極，在電壓較低時(shí)，尖端處的場強(qiáng)已可能超過臨界值，出現(xiàn)自持電暈放電。離尖端稍遠(yuǎn)處，場強(qiáng)大為減小。當(dāng)電壓再提高時(shí)，如電極間距不大，則可能從電暈放電直接轉(zhuǎn)變成整個(gè)間隙的火花擊穿。如電極間距離大時(shí)，則從電暈轉(zhuǎn)到刷形放電階段。當(dāng)電壓再增高時(shí)，刷形放電增長到達(dá)對面的電極，就轉(zhuǎn)變?yōu)榛鸹〒舸?。?dāng)電源功率足夠大時(shí)，火花擊穿迅速即轉(zhuǎn)變成電弧。第九頁，共106頁。+-大小E=kQr2QQ1.3均勻電場氣隙的擊穿一、電場均勻電場與非均勻電場。第十頁，共106頁。+Q-QE1E2E+Q+QE1E1E2E2E1.3均勻電場氣隙的擊穿第十一頁，共106頁。1.3均勻電場的氣隙擊穿第十二頁，共106頁。第十三頁，共106頁。1.3均勻電場氣隙的擊穿二、湯森德機(jī)理

在均勻電場中，當(dāng)·S<0.26cm時(shí)，氣隙的擊穿電壓大體上是δ·S的函數(shù)，即擊穿電壓：

Ub=f（δ·S）。第十四頁，共106頁。1.3均勻電場氣隙的擊穿關(guān)于最小值的解釋：

S不變，δ增大，電子自由行程縮短，電子積聚動(dòng)能減小，Ub增大。反之，δ過小時(shí)，氣體很稀薄，電子與氣體分子相撞的幾率減小，Ub也增大。

δ不變，S值增大，E=U/S，電壓必須增大。S過小時(shí)，場強(qiáng)雖大增，電子的撞擊次數(shù)減小，Ub也增大。第十五頁，共106頁。三、流注機(jī)理

當(dāng)δ·S>0.26cm，空間電荷量達(dá)到很大，使電場強(qiáng)烈畸變，形成局部強(qiáng)場。大量空間電荷的復(fù)合，產(chǎn)生光子，造成空間光游離，在局部強(qiáng)場中，發(fā)展成為衍生電子崩。衍生電子崩與主電子崩匯合發(fā)展，形成流注。

1.3均勻電場氣隙的擊穿第十六頁，共106頁。1）主電子崩階段：電子遷移速度快，集中在崩頭，正離子隨后至崩尾，形成錐形電子崩。1.3均勻電場氣隙的擊穿第十七頁，共106頁。1.崩頭電荷密度大，電離強(qiáng)烈，強(qiáng)場畸變引起大量光子發(fā)射。2.崩頭前后，強(qiáng)場效應(yīng)引發(fā)分子和離子激勵(lì)現(xiàn)象（高能至常態(tài)），發(fā)射光子。3.正負(fù)電荷區(qū)域間的弱電場區(qū)，有助于發(fā)生復(fù)合現(xiàn)象，也引發(fā)光子放射。1.3均勻電場氣隙的擊穿第十八頁，共106頁。2）二次電子崩階段：當(dāng)電子崩走完整個(gè)間隙后，大密度的頭部空間電荷大大加強(qiáng)了后部的電場，引發(fā)大量光子，光子引起光電離，形成二次電子崩。1—主電子崩2—二次電子崩3—流注1.3均勻電場氣隙的擊穿第十九頁，共106頁。3）流注階段：二次電子崩中的電子進(jìn)入主電子崩頭部空間，大多形成負(fù)離子。大量的正、負(fù)帶電質(zhì)點(diǎn)構(gòu)成了等離子體，這就是正流注。流注通道導(dǎo)電性良好，其頭部又是二次電子崩形成的正電荷，因此流注頭部前方出現(xiàn)了很強(qiáng)的電場。1—主電子崩2—二次電子崩3—流注1.3均勻電場氣隙的擊穿第二十頁，共106頁。流注前方出現(xiàn)新的二次電子崩，它們被吸引向流注頭部，延長了流注通道。流注發(fā)展到陰極，間隙被導(dǎo)電良好的等離子通道所貫通，間隙的擊穿完成。1.3均勻電場氣隙的擊穿第二十一頁，共106頁。

負(fù)流注的形成：當(dāng)外施電壓高于擊穿電壓時(shí)，則電子崩發(fā)展無需到達(dá)陰極，其頭部電離（引發(fā)二次電子崩）就可直接形成流注。1.3均勻電場氣隙的擊穿第二十二頁，共106頁。1.4不均勻電場的氣體擊穿1擊穿電壓2電暈起始電壓3刷狀放電電壓4過渡區(qū)域d0

2D；d04D第二十三頁，共106頁。一、電暈放電

在極不均勻電場中，電極曲率半徑較小處附近空間的局部場強(qiáng)已很大，并產(chǎn)生強(qiáng)烈的游離，但由于離電極稍遠(yuǎn)處場強(qiáng)已大為減小，此游離區(qū)只能局限在此電極附近的強(qiáng)場范圍內(nèi)。伴隨著游離而存在的復(fù)合和反激勵(lì)，發(fā)出大量的光輻射，使在黑暗中可以看到，在該電極附近空間發(fā)出藍(lán)色的暈光，這就是電暈。1.4不均勻電場的氣體擊穿第二十四頁，共106頁。負(fù)尖－正板低壓時(shí)，電流極小，波形不規(guī)則。電壓升高，出現(xiàn)規(guī)律的重復(fù)脈沖放電電流(b)。電壓再高，電流脈沖幅值不變，頻率增大(c)。電壓再高，高頻脈沖消失，轉(zhuǎn)持續(xù)電暈，電流增大。電壓再高，出現(xiàn)刷狀放電，不規(guī)則的強(qiáng)脈沖電流，直至擊穿。正尖－負(fù)板重復(fù)放電脈沖，但不整齊。電壓升高，電流增加，脈沖特性不明顯，轉(zhuǎn)持續(xù)電流。電壓再高，出現(xiàn)幅值極大的不規(guī)則的刷狀放電電流脈沖現(xiàn)象。1.4不均勻電場的氣體擊穿第二十五頁，共106頁。影響電暈的因素及電暈的危害：電暈損耗、噪聲污染。防止和減輕電暈的方法：降低導(dǎo)線的表面電場強(qiáng)度?？招膶?dǎo)線、分裂導(dǎo)線。電暈的積極意義：抑制雷電、操作過電壓的幅值。1.4不均勻電場的氣體擊穿第二十六頁，共106頁。二、極不均勻電場的放電過程（短間隙）1）非自持放電階段：

（正棒－負(fù)板）電子向正棒極運(yùn)動(dòng)，電離開始。電子崩到達(dá)棒極，電子進(jìn)入棒極，正離子在棒極附近積累，減弱了棒極附近的電場，而加強(qiáng)了外部空間的電場。Eex—外電場Esp—空間電荷的電場1.4不均勻電場的氣體擊穿第二十七頁，共106頁。

負(fù)棒－正板陰極電子進(jìn)入強(qiáng)場區(qū)，形成電子崩，部分消失于陽極，部分形成負(fù)離子。正離子向負(fù)棒極緩慢運(yùn)動(dòng)，棒極附近積累正空間電荷，使棒極附近的電場加強(qiáng)，容易滿足自持放電條件，轉(zhuǎn)入流注與電暈。Eex—外電場

Esp—空間電荷的電場1.4不均勻電場的氣體擊穿第二十八頁，共106頁。2）流注發(fā)展階段：（正棒－負(fù)板）空間正離子的分布，減弱了后方等離子體中電場，而加強(qiáng)了其頭部電場，產(chǎn)生新電子崩，其電子吸引入流注頭部正電荷區(qū)內(nèi)，頭部的正電荷使強(qiáng)電場區(qū)更向前移（曲線3），促進(jìn)流注通道進(jìn)一步向陰極擴(kuò)展。1.4不均勻電場的氣體擊穿第二十九頁，共106頁。

負(fù)棒－正板多次電子崩產(chǎn)生的電子匯入正電荷區(qū)，使前方電場削弱，某種程度上阻礙了放電發(fā)展。外電壓較低時(shí)，流注通道深入間隙一段距離后，就停止不前了，形成電暈放電或刷狀放電。外電壓足夠高時(shí)，流注通道將一直達(dá)到另一電極，從而導(dǎo)致間隙完全擊穿。1.4不均勻電場的氣體擊穿第三十頁，共106頁。三、極不均勻電場中的放電過程（長間隙）較長間隙放電過程：電暈放電、先導(dǎo)放電、主放電。

1.4不均勻電場的氣體擊穿(a)先導(dǎo)和其頭部的流注km；(b)流注頭部電子崩的形成；(c)km由流注轉(zhuǎn)變?yōu)橄葘?dǎo)和形成流注mn；(d)流注頭部電子崩的形成；(e)沿著先導(dǎo)和空氣間隙電場強(qiáng)度的分布。第三十一頁，共106頁。

1—主放電通道；2—主放電和先導(dǎo)通道的交界區(qū)；3—先導(dǎo)通道主放電發(fā)展和通道中軸向電場強(qiáng)度分布圖1.4不均勻電場的氣體擊穿第三十二頁，共106頁。一、氣隙的擊穿時(shí)間氣隙的最低靜態(tài)擊穿電壓：長時(shí)間作用在間隙上能使間隙擊穿的最低（U0）。欲使間隙擊穿，外加電壓必須不小于這靜態(tài)擊穿電壓。1.5氣隙分擊穿特性第三十三頁，共106頁。

二、氣隙的伏秒特性不論是在直流電壓、交流電壓、雷電沖擊或操作沖擊電壓的作用下，氣隙的擊穿電壓都有一定的分散性。氣隙擊穿的幾率分布接近正態(tài)分布。例如ψ=0.7的曲線表示有70％的擊穿次數(shù)。1.5氣隙分擊穿特性第三十四頁，共106頁。三、提高氣隙擊穿電壓的方法改進(jìn)電極形狀以改善電場分布；覆蓋固體絕緣層；利用空間電荷以改善電場分布；增高氣壓；高真空的采用；高電強(qiáng)度氣體的采用。1.5氣隙分擊穿特性第三十五頁，共106頁。1.6固體介質(zhì)沿面放電

均勻電場中，固體介質(zhì)的引入并不影響電極間的電場分布，但放電總是發(fā)生在界面，且閃絡(luò)電壓比空氣間隙的擊穿電壓要低得多。

閃絡(luò)電壓低于純氣隙擊穿電壓的原因：固體介質(zhì)表面不光滑，導(dǎo)致介質(zhì)場強(qiáng)不均勻，其中凸起處場強(qiáng)高，易發(fā)生放電。介質(zhì)吸收水分形成水膜，導(dǎo)致沿面電壓不均勻，因而使閃絡(luò)電壓低于純氣隙擊穿電壓。介質(zhì)與介質(zhì)間易有小氣隙，氣隙中的場強(qiáng)高，氣隙放電致界面電場畸變。第三十六頁，共106頁。1.6固體介質(zhì)沿面放電第三十七頁，共106頁。1.6固體介質(zhì)沿面放電第三十八頁，共106頁。1.6固體介質(zhì)沿面放電第三十九頁，共106頁。1.6固體介質(zhì)沿面放電污閃的發(fā)展過程：（1）污層剛受潮時(shí)，介質(zhì)表面有明顯的泄漏電流流過，電壓分布是較均勻；（2）污層不均，電阻不均，高電阻的發(fā)熱多，形成的“干燥帶”，使泄漏電流減小，并在干燥帶形成很大的電壓降；（3）當(dāng)干燥帶的電位梯度超過沿面閃絡(luò)場強(qiáng)時(shí)，干燥帶發(fā)生放電，出現(xiàn)局部電弧的階段。

3紫外6D二號機(jī)位-.污穢加壓試驗(yàn)002_2015_05_22_05_15_02.avi第四十頁，共106頁。1.7固體介質(zhì)局部放電

以三個(gè)電容來表征介質(zhì)內(nèi)部存在缺陷時(shí)的局部放電的機(jī)理 Cg：氣泡的電容； Cb：和Cg相串聯(lián)部分的介質(zhì)電容； Cm：其余大部分絕緣的電容

介質(zhì)內(nèi)部氣隙放電的三電容模型(a)具有氣泡的介質(zhì)剖面(b)等值電路氣泡介質(zhì)1212第四十一頁，共106頁。當(dāng)u上升到Us瞬時(shí)值時(shí)，ug到達(dá)Cg的放電電壓Ub，Cg氣隙放電。于是Cg上的電壓一下子從Ub下降到Ur（殘余電壓）。放電后，氣泡中的電荷重新分布，產(chǎn)生反向電場，使得氣泡中總的電場強(qiáng)度小于原先的電場強(qiáng)度，放電停止。1.7固體介質(zhì)局部放電第四十二頁，共106頁。：氣泡總電場：外加電場：氣泡擊穿電場UU1.7固體介質(zhì)局部放電第四十三頁，共106頁。UU1.7固體介質(zhì)局部放電第四十四頁，共106頁。

液體中的雜質(zhì)和水分在電場力的作用下，沿電場方向排列成“小橋”，水分及纖維雜質(zhì)的電導(dǎo)大，泄漏電流增大、發(fā)熱增多，促使水分汽化，形成氣泡。

串聯(lián)介質(zhì)中，場強(qiáng)的分布與介質(zhì)的介電常數(shù)成反比，氣泡承擔(dān)比液體更高的場強(qiáng)（氣泡r=1，液體r>1），且氣體耐電強(qiáng)度低，氣泡先行電離。當(dāng)電離的氣泡在電場中堆積成氣體通道，擊穿在此通道內(nèi)發(fā)生。1.8液體介質(zhì)擊穿放電第四十五頁，共106頁。變壓器油的工頻擊穿電壓和含水量的關(guān)系1.8液體介質(zhì)擊穿放電第四十六頁，共106頁。第二部分紫外檢測技術(shù)及其應(yīng)用2.1紫外檢測技術(shù)基本原理2.2電氣設(shè)備紫外檢測對象及周期2.3電氣設(shè)備紫外檢測內(nèi)容及方法2.4電氣設(shè)備紫外檢測診斷方法2.5紫外檢測典型案例分析2.6紫外成像儀的操作培訓(xùn)2.7紫外檢測報(bào)告的制作第四十七頁，共106頁。2.1紫外線基礎(chǔ)知識一、紫外線

紫外線是電磁波譜中波長從10nm到400nm輻射的總稱，是位于日光高能區(qū)的不可見光線。

第四十八頁，共106頁。日常生活中可發(fā)出紫外線的物體或現(xiàn)象：太陽、火焰、電焊、閃電、放電。這些現(xiàn)象有什么共同點(diǎn)？都有一個(gè)其他能量激烈地轉(zhuǎn)換成光能的過程。發(fā)光？發(fā)熱？燃燒？2.1紫外線基礎(chǔ)知識第四十九頁，共106頁。二、局部放電及紫外檢測機(jī)理

在導(dǎo)體曲率半徑小的地方，特別是尖端，其電荷密度大，電場強(qiáng)度也大，形成電暈放電。當(dāng)絕緣體表面污穢或內(nèi)部存在洞隙、裂痕缺陷時(shí)，受導(dǎo)致局部場強(qiáng)的改變，形成局部放電。2.1紫外線基礎(chǔ)知識第五十頁，共106頁。在發(fā)生電暈或局部放電的過程中，氣體被擊穿而電離，空氣中的主要成分是氮?dú)猓∟2），電離的氮原子在復(fù)合時(shí)發(fā)射的光譜（波長λ=280~400nm），主要落在紫外光波段。氣體放射光波的頻率與氣體的種類有關(guān)。2.1紫外線基礎(chǔ)知識第五十一頁，共106頁。三、

紫外成像儀的基本原理2.1紫外線基礎(chǔ)知識

日冕和太陽的能量的光譜輻射第五十二頁，共106頁。太陽發(fā)出各種波長的紫外線臭氧層太陽光透過大氣層時(shí)波長短于

290nm

的紫外線為大氣層中的臭氧吸收掉。240-280納米這個(gè)波段被稱為太陽盲區(qū)（SolarBlind）地面上的紫外源發(fā)出各種波長的紫外線CoroCAM504/6D只接收240-280納米的紫外線2.1紫外線基礎(chǔ)知識第五十三頁，共106頁。背景環(huán)境及設(shè)備放電產(chǎn)生的紫外線及可見光光學(xué)上分成兩路TVCameraUVDetector視頻疊加最后得到紫外圖像UV濾片2.1紫外線基礎(chǔ)知識第五十四頁，共106頁。四、

紫外成像儀發(fā)展歷程第一代紫外成像儀結(jié)構(gòu)比較簡單，儀器內(nèi)部有寬帶通濾波器，成像后與可見光疊加。由于工作波段沒有避開太陽盲區(qū)波段（SolarBlind），所以儀器不能在陽光下進(jìn)行操作，主要用于在夜間、陰天或者室內(nèi)檢測高壓設(shè)備的電氣放電。這代產(chǎn)品以南非CoroCAMI和俄羅斯的菲林-6為典型代表。CoroCAMI紫外圖像2.1紫外線基礎(chǔ)知識第五十五頁，共106頁。

第二代紫外成像儀采用了窄帶通紫外濾波技術(shù)，通過紫外濾波，使儀器只工作在240-280nm的太陽盲區(qū)波段。由于該波段避開了陽光的干擾，儀器可以直接在強(qiáng)太陽光下正常操作，實(shí)現(xiàn)了白天戶外檢測，更加適合于現(xiàn)場應(yīng)用。這一代產(chǎn)品主要是南非CoroCAMIV+和以色列的Daycor2，它具有初步的紫外圖像數(shù)字處理功能。CoroCAMIV+紫外圖像2.1紫外線基礎(chǔ)知識第五十六頁，共106頁。

第三代紫外成像儀CoroCAM504，它在第二代的基礎(chǔ)上進(jìn)行了較大改進(jìn)，主要有：（1）增加了數(shù)字積分濾波器，操作者通過調(diào)節(jié)積分參數(shù)，可有效避開來自地面的紫外線干擾；（2）同時(shí)保留了太陽盲區(qū)工作波段和全紫外工作波段，可在兩種波段范圍之間進(jìn)行切換。CoroCAM504紫外圖像2.1紫外線基礎(chǔ)知識第五十七頁，共106頁。

第四代紫外成像儀CoroCAM6D，特點(diǎn):（1）體積小，操作簡便；（2）可存儲AVI視頻和JPEQ圖像（無需外接存儲設(shè)備）。CoroCAM6D紫外圖像2.1紫外線基礎(chǔ)知識第五十八頁，共106頁。一、電氣設(shè)備紫外檢測的對象1）導(dǎo)電體表面電暈放電，有下列情況：由于設(shè)計(jì)、制造、安裝或檢修等原因，形成的銳角或尖端；運(yùn)行中導(dǎo)線斷股（或散股）；均壓、屏蔽措施不當(dāng)；導(dǎo)電體截面偏?。粦腋〗饘傥矬w產(chǎn)生的放電；導(dǎo)電體對地或?qū)щ婓w間間隙偏小；設(shè)備接地不良。2.2紫外檢測對象第五十九頁，共106頁。導(dǎo)線斷股放電導(dǎo)線放電.mpg均壓環(huán)局部放電2.2紫外檢測對象第六十頁，共106頁。2）絕緣體表面電暈放電，有下列情況：絕緣子表面破損或裂紋；在潮濕情況下，絕緣子表面污穢；絕緣子表面不均勻覆冰；絕緣子表面金屬異物短接。2.2紫外檢測對象第六十一頁，共106頁。玻璃絕緣子表面放電玻璃絕緣子.mpg瓷質(zhì)絕緣子表面放電阻波器懸式絕緣子.avi復(fù)合絕緣子表面電暈2.2紫外檢測對象第六十二頁，共106頁。表面局部放電發(fā)光侵蝕和碳化道2.2紫外檢測對象第六十三頁，共106頁。一、電氣設(shè)備紫外檢測周期建議

運(yùn)行電氣設(shè)備的紫外檢測周期應(yīng)根據(jù)電氣設(shè)備的重要性，電壓等級及環(huán)境條件等因素確定：

220kV及以上變電設(shè)備檢測每年不少于1次。

220kV及以上輸電線路，宜1～3年1次。重要的新建、改擴(kuò)建和大修的設(shè)備，宜在投運(yùn)后1月內(nèi)進(jìn)行檢測。特殊情況下，如電氣設(shè)備出現(xiàn)電暈放電聲異常時(shí)、冰雪天氣（特別是凍雨）、在污穢嚴(yán)重且大氣濕度大于90％，宜及時(shí)檢測。2.3紫外檢測周期及方法第六十四頁，共106頁。二、紫外成像檢測方法電暈放電強(qiáng)度。紫外成像儀檢測的單位時(shí)間內(nèi)光子數(shù)與電氣設(shè)備電暈放電量具有一致的變化趨勢和統(tǒng)計(jì)規(guī)律。電暈放電形態(tài)和頻度。電氣設(shè)備電暈放電從連續(xù)穩(wěn)定形態(tài)向刷狀放電過渡，刷狀放電呈間歇性爆發(fā)形態(tài)。電暈放電長度范圍。紫外成像儀在最大增益下觀測到短接絕緣子干弧距離的電暈放電長度。2.3紫外檢測周期及方法第六十五頁，共106頁。一、診斷方法主要根據(jù)電氣設(shè)備電暈狀態(tài)、發(fā)生部位和嚴(yán)重程度進(jìn)行綜合判斷和缺陷定級。常見放電缺陷紫外圖譜如下：（1）外絕緣表面污穢引起的放電此類缺陷較為常見，通常因?yàn)榻^緣表面積污比較嚴(yán)重，遇到大霧、小雨或積雪等潮濕天氣條件，容易形成表面放電。若表面爬電超過絕緣長度1/3，通常需要停電處理。2.4

紫外檢測診斷方法第六十六頁，共106頁。支柱絕緣子表面放電阻波器支柱絕緣子.mp42.4

紫外檢測診斷方法第六十七頁，共106頁。220kV隔離刀閘中間發(fā)蘭部位放電及清掃后紫外檢測圖譜2.4

紫外檢測診斷方法第六十八頁，共106頁。500kV絕緣子第2、3、4片形成貫通放電（母線懸式絕緣子.mp4）2.4

紫外檢測診斷方法第六十九頁，共106頁。（2）外瓷絕緣局部缺陷引起的表面放電

此類缺陷通常由于瓷絕緣存在裂紋、破損或斷裂等情況，導(dǎo)致局部電場強(qiáng)度發(fā)生變化，產(chǎn)生局部放電。缺陷部位通常發(fā)生在瓷套與法蘭結(jié)合處，此處應(yīng)力比較集中。這類放電就需要非常關(guān)注，有條件的情況下盡快進(jìn)行處理或更換。2.4

紫外檢測診斷方法第七十頁，共106頁。瓷套底部放電2.4

紫外檢測診斷方法第七十一頁，共106頁。SF６斷路器可見光、紅外和紫外檢測2.4

紫外檢測診斷方法第七十二頁，共106頁。（3）復(fù)合絕緣局部缺陷引起的表面放電這類絕緣子出現(xiàn)電暈的情況比較少見，并且放電強(qiáng)度比較弱，不容易檢測到。常見的原因是復(fù)合絕緣出線破損，或內(nèi)部導(dǎo)電回路存在缺陷，內(nèi)部放電部位擊穿外復(fù)合絕緣。此類缺陷易導(dǎo)致設(shè)備內(nèi)部受潮或形成貫穿性設(shè)備故障，應(yīng)及時(shí)停電處理。2.4

紫外檢測診斷方法第七十三頁，共106頁。管母外護(hù)套局部放電2.4

紫外檢測診斷方法第七十四頁，共106頁。35kV電纜叉口絕緣劣化缺陷2.4

紫外檢測診斷方法第七十五頁，共106頁。復(fù)合絕緣子芯棒護(hù)套開裂及在工頻運(yùn)行電壓下電暈放電（合成絕緣子擊穿2.MPG）

2.4

紫外檢測診斷方法第七十六頁，共106頁。（4）均壓、屏蔽措施不當(dāng)導(dǎo)致的局部放電。均壓環(huán)異常放電對日常設(shè)備的運(yùn)行不會(huì)造成太大的影響。通常是均壓環(huán)由于結(jié)構(gòu)、安裝工藝、表面缺陷等原因。

可結(jié)合停電進(jìn)行處理或更換。2.4

紫外檢測診斷方法第七十七頁，共106頁。500kV母線接地刀閘均壓環(huán)對外瓷放電隔離刀閘支柱絕緣子.mp42.4

紫外檢測診斷方法第七十八頁，共106頁。支柱絕緣子端部均壓環(huán)偏小2.4

紫外檢測診斷方法第七十九頁，共106頁。輸電線路均壓環(huán)表面電暈2.4

紫外檢測診斷方法第八十頁，共106頁。隔離刀閘端部均壓環(huán)電暈放電2.4

紫外檢測診斷方法第八十一頁，共106頁。復(fù)合絕緣子未裝均壓環(huán)端部放電2.4

紫外檢測診斷方法第八十二頁，共106頁。（5）變電設(shè)備導(dǎo)電部局部放電

存在尖端、毛刺、松動(dòng)等原因?qū)е碌木植糠烹?。此類缺陷通常不影響設(shè)備運(yùn)行，可結(jié)合停電進(jìn)行處理，采取均壓措施或?qū)Ρ砻孢M(jìn)行處理。

2.4

紫外檢測診斷方法第八十三頁，共106頁。管母端部電暈放電

2.4

紫外檢測診斷方法第八十四頁，共106頁。支柱絕緣子金具尖端放電避雷器.mp4

2.4

紫外檢測診斷方法第八十五頁，共106頁。35kV母線支柱絕緣子端部放電

2.4

紫外檢測診斷方法第八十六頁，共106頁。（6）輸電設(shè)備導(dǎo)線、金具等局部放電導(dǎo)線的放電會(huì)有四種原因，污染、毛刺、斷股或散股。在日常檢測中如果檢測到導(dǎo)線的放電就需要首先判斷是否是由于污染，這個(gè)可以通過高倍望遠(yuǎn)鏡進(jìn)行外表面觀察或者在雨后進(jìn)行復(fù)測，這樣就基本可以排除污染導(dǎo)致的放電。

2.4

紫外檢測診斷方法第八十七頁，共106頁。導(dǎo)線線夾電暈放電

2.4

紫外檢測診斷方法第八十八頁，共106頁。導(dǎo)線斷股電暈放電

2.4

紫外檢測診斷方法第八十九頁，共106頁。導(dǎo)線表面尖端放電

2.4

紫外檢測診斷方法第九十頁，共106頁。2.4

紫外檢測診斷方法線路避雷器局部放電第九十一頁，共106頁。二、

缺陷類型分類一般缺陷：指設(shè)備存在的電暈放電異常，對設(shè)備產(chǎn)生老化影響，但還不會(huì)引起事故，一般要求記錄在案，注意觀察其缺陷的發(fā)展。嚴(yán)重缺陷：指設(shè)備存在的電暈放電異常突出，或?qū)е略O(shè)備加速老化，但還不會(huì)馬上引起事故。應(yīng)縮短檢測周期并利用停電檢修機(jī)會(huì)，有計(jì)劃安排檢修，消除缺陷。危急缺陷：指設(shè)備存在的電暈放電嚴(yán)重，可能導(dǎo)致設(shè)備迅速老化或影響設(shè)備正常運(yùn)行，在短期內(nèi)可能造成設(shè)備事故，應(yīng)盡快安排停電處理。2.4

紫外檢測診斷方法第九十二頁，共106頁。紫外線檢測診斷標(biāo)準(zhǔn)（推薦）放電部位放電形態(tài)、放電量缺陷性質(zhì)外絕緣表面局部放電量不超過5000光子/分，放電距離不超過外絕緣1/3部位。一般缺陷局部放電量超過5000光子/分，或放電距離超過外絕緣1/3長度。嚴(yán)重缺陷局部放電量超過5000光子/分，且放電距離超過外絕緣1/3長度。危急缺陷金屬帶電部位放電量不超過5000光子/分。一般缺陷放電量在5000-10000光子/分范圍。嚴(yán)重缺陷放電量超過10000光子/分。危急缺陷2.4

紫外檢測診斷方法第九十三頁，共106頁。

一.紫外成像檢測發(fā)現(xiàn)35kV避雷器線夾接觸不良缺陷1.發(fā)現(xiàn)經(jīng)過紫外成像檢測發(fā)現(xiàn)，某變電站2號主變35kV側(cè)避雷器B相與母線橋連接線夾處有放電信號，如圖所示：2.5案例分析第九十四頁，共106頁。

2.檢測分析現(xiàn)場用望遠(yuǎn)鏡觀察發(fā)現(xiàn)，2號主變35kV側(cè)避雷器A、B、C三相線夾固定至母線絕緣層外，接觸不可靠，因此在線夾上產(chǎn)生懸浮電位放電。3.處理情況停電后，將避雷器線夾處母線絕緣層割開接口并重新連接緊固線夾，恢復(fù)正常，局放信號消失，見圖：2.5案例分析第九十五頁，共106頁。

二.紫外檢測發(fā)現(xiàn)500kV出線場阻波器支柱絕緣子上端有電暈放電1.發(fā)現(xiàn)經(jīng)過

2012年4月，對500kV出線場設(shè)備5405/54