DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存儲(chǔ)器分析-基礎(chǔ)電子

精品文檔-下載后可編輯DRAM、NANDFLASH、NORFLASH三大存儲(chǔ)器分析-基礎(chǔ)電子內(nèi)存的正式名字叫做“存儲(chǔ)器”，是半導(dǎo)體行業(yè)三大支柱之一。2022年半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為3400億美金，存儲(chǔ)器就占了768億美元。對(duì)于你身邊的手機(jī)、平板、PC、筆記本等所有電子產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器就類似于鋼鐵之于現(xiàn)代工業(yè)，是名副其實(shí)的電子行業(yè)“原材料”。存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如DRAM，主要用來(lái)做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（NandFLASH和NORFLASH），NOR主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而NAND則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。1）DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DynamicRAM），“動(dòng)態(tài)”兩字指的是每隔一段時(shí)間，要刷新充電，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。這是因?yàn)镈RAM的基本單元是一個(gè)晶體管加一個(gè)電容，并用電容有無(wú)電荷來(lái)表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯(cuò)，需要周期性地給DRAM的電容充電，故DRAM速度比SRAM慢。另一方面，這種簡(jiǎn)單的存儲(chǔ)模式也使得DRAM的集成度遠(yuǎn)高于SRAM，一個(gè)DRAM存儲(chǔ)單元僅需一個(gè)晶體管和一個(gè)小電容，而每個(gè)SRAM單元需要四到六個(gè)晶體管和其他零件，故DRAM在高密度（大容量）以及價(jià)格方面均比SRAM有優(yōu)勢(shì)。SRAM多用于對(duì)性能要求極高的地方（如CPU的二級(jí)緩沖），而DRAM則主要用于計(jì)算機(jī)的內(nèi)存條等領(lǐng)域。

圖：DRAM的器件單元圖示及其不同容量的剖面結(jié)構(gòu)圖DRAM每制程的更新?lián)Q代，都需要大量的投入，以制程從30nm更新到20nm為例，后者需要的光刻掩模版數(shù)目增加了30%，非光刻工藝步驟數(shù)翻倍，對(duì)潔凈室廠房面積的要求也隨著設(shè)備數(shù)的上升而增加了80%以上，此前這些成本都可以通過(guò)單晶圓更多的芯片產(chǎn)出和性能帶來(lái)的溢價(jià)所彌補(bǔ)，但隨著制程的不斷微縮，增加的成本和收入之間的差距逐漸縮小。故各大廠商開始研究Z方向的擴(kuò)展能力，三星率先從封裝角度實(shí)現(xiàn)3DDRAM，采用TSV封裝技術(shù)，將多個(gè)DRAM芯片堆疊起來(lái)，從而大幅提升單根內(nèi)存條容量和性能。

圖：DARM的市場(chǎng)規(guī)模2）NANDFlash和NORFlash為更好地講述NANDFlash和NORFlash這兩大存儲(chǔ)產(chǎn)品，我們首先來(lái)認(rèn)識(shí)一下Flash技術(shù)。Flash存儲(chǔ)器：又稱閃存，它是一種非易失性存儲(chǔ)器。閃存的存儲(chǔ)單元是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種受電壓控制的三端器件，由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate），以及襯底組成，在柵極與硅襯底間有二氧化硅絕緣層，用來(lái)保護(hù)浮置柵極中的電荷不會(huì)泄漏。NAND的擦和寫均是基于隧道效應(yīng)，電流穿過(guò)浮置柵極與硅基層之間的絕緣層，對(duì)浮置柵極進(jìn)行充電（寫數(shù)據(jù)）或放電（擦除數(shù)據(jù)）。而NOR擦除數(shù)據(jù)仍是基于隧道效應(yīng)（電流從浮置柵極到硅基層），但在寫入數(shù)據(jù)時(shí)則是采用熱電子注入方式（電流從浮置柵極到源極）。

圖：Flash存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)單元示意圖NANDFlash是目前閃存中主要的產(chǎn)品，具備非易失，高密度，低成本的優(yōu)勢(shì)。在NAND閃存中，數(shù)據(jù)是以位（bit）的方式保存在MemoryCell中，一個(gè)Cell存儲(chǔ)一個(gè)bit，這些Cell或8個(gè)或16個(gè)為單位，連成bitline，而這些line組合起來(lái)會(huì)構(gòu)成Page，而NAND閃存就是以頁(yè)為單位讀寫數(shù)據(jù)，以塊為單位擦除數(shù)據(jù)，故其寫入和擦除速度雖比DRAM大約慢3-4個(gè)數(shù)量級(jí)，卻也比傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤快3個(gè)數(shù)量級(jí)，被廣泛用于eMMC/EMCP，U盤，SSD等市場(chǎng)。NORFlash的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP，ExecuteInPlace），即應(yīng)用程序不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中，而是可以直接在Flash閃存內(nèi)運(yùn)行。NOR的傳輸效率很高，讀取速度也比NAND快很多，在1~4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益，然而其擦除是以64-128KB的塊為單位進(jìn)行的，執(zhí)行一個(gè)寫入/擦除操作的時(shí)間為5s，而NAND器件的擦除則是以8-32KB的塊為單位進(jìn)行，執(zhí)行相同的操作多只需要4ms，故其很低的寫入和擦除速度大大影響到它的性能。此外，NOR的單元尺寸幾乎是NANDflash的兩倍，故在成本上也不具備優(yōu)勢(shì)，這使得NOR的使用范圍受到了更大的限制，不少曾屬于NOR的市場(chǎng)也慢慢被其他存儲(chǔ)器所奪取，但NORflash廠商也并沒有坐以待斃，而是積極開拓汽車電子等物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)。近年來(lái)NORflash市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)萎縮。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)被三星、海力士、美光等寡頭壟斷半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一個(gè)高度壟斷的市場(chǎng)，其三大主流產(chǎn)品DRAM，NANDFlash，NORFlash更是如此，尤其是前兩者，市場(chǎng)基本被前三大公司占據(jù)，且近年來(lái)壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲(chǔ)芯片為例，DRAM市場(chǎng)由韓國(guó)三星、海力士和美國(guó)美光科技三家占據(jù)，而NANDFlash市場(chǎng)幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。其中三星居壟斷地位，2022年它的DRAM占的45.8%及NAND占37%。DRAM市場(chǎng)發(fā)展史DRAM領(lǐng)域經(jīng)過(guò)幾十年的周期循環(huán)，玩家從80年代的40~50家，逐漸減少到了08年金融危機(jī)之前的五家，分別是：三星(韓)、SK海力士(韓)、奇夢(mèng)達(dá)(德)、鎂光(美)和爾必達(dá)(日)，五家公司基本控制了DRAM供給，終端產(chǎn)品廠商如金士頓，幾乎沒有DRAM生產(chǎn)能力，都要向它們采購(gòu)原材料。按照常理來(lái)說(shuō)，格局已經(jīng)趨穩(wěn)，價(jià)格戰(zhàn)理應(yīng)偃旗息鼓，可惜的是，韓國(guó)人并不答應(yīng)，尤其是三星。三星充分利用了存儲(chǔ)器行業(yè)的強(qiáng)周期特點(diǎn)，依靠政府的輸血，在價(jià)格下跌、生產(chǎn)過(guò)剩、其他企業(yè)削減投資的時(shí)候，逆勢(shì)瘋狂擴(kuò)產(chǎn)，通過(guò)大規(guī)模生產(chǎn)進(jìn)一步下殺產(chǎn)品價(jià)格，從而逼競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手退出市場(chǎng)甚至直接破產(chǎn)，世人稱之為“反周期定律”。在存儲(chǔ)器這個(gè)領(lǐng)域，三星一共祭出過(guò)三次“反周期定律”，前兩次分別發(fā)生在80年代中期和90年代初，讓三星從零開始，做到了存儲(chǔ)器老大的位置。但三星顯然覺得玩的還不夠大，于是在2022年金融危機(jī)前后，第三次舉起了“反周期”屠刀。2022年初，微軟推出了狂吃內(nèi)存的Vista操作系統(tǒng)，DRAM廠商判斷內(nèi)存需求會(huì)大增，于是紛紛上產(chǎn)能，結(jié)果Vista銷量不及預(yù)期，DRAM供過(guò)于求價(jià)格狂跌，加上08年金融危機(jī)的雪上加霜，DRAM顆粒價(jià)格從2.25美金雪崩至0.31美金。就在此時(shí)，三星做出令人瞠目結(jié)舌的動(dòng)作：將2022年三星電子總利潤(rùn)的118%投入DRAM擴(kuò)張業(yè)務(wù)，故意加劇行業(yè)虧損，給艱難度日的對(duì)手們，加上一根稻草。效果是顯著的。DRAM價(jià)格一路飛流直下，08年中跌破了現(xiàn)金成本，08年底更是跌破了材料成本。2022年初，第三名德系廠商奇夢(mèng)達(dá)首先撐不住，宣布破產(chǎn)，歐洲大陸的內(nèi)存玩家就此消失。2022年初，第五名爾必達(dá)宣布破產(chǎn)，曾經(jīng)占據(jù)DRAM市場(chǎng)50%以上份額的日本，也輸?shù)袅艘粡埮?。在爾必達(dá)宣布破產(chǎn)當(dāng)晚，京畿道的三星總部徹夜通明，次日股價(jià)大漲，全世界都知道韓國(guó)人這次又贏了。至此，DRAM領(lǐng)域終只剩三個(gè)玩家：三星、海力士和鎂光。爾必達(dá)破產(chǎn)后的爛攤子，在2022年被換了新CEO的鎂光以20多億美金的價(jià)格打包收走。20億美金實(shí)在是個(gè)跳樓價(jià)，5年之后，鎂光市值從不到100億美元漲到460億，20億美元差不多是它市值一天的振幅。三大DRAM廠面臨中國(guó)反壟斷調(diào)查，或開出天價(jià)罰金

5月31日，有多家媒體報(bào)道稱中國(guó)反壟斷機(jī)構(gòu)派出多個(gè)工作小組，分別對(duì)三星電子、SK海力士以及美光三家企業(yè)位于北京、上海、深圳的辦公室展開調(diào)查和現(xiàn)場(chǎng)取證。事實(shí)上，從去年發(fā)改委價(jià)檢局約談三星開始，有關(guān)中國(guó)反壟斷機(jī)構(gòu)即將立案調(diào)查三星、美光及海力士三家企業(yè)DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)壟斷的傳聞便不絕于耳。此次中國(guó)反壟斷機(jī)構(gòu)進(jìn)入三地辦公室調(diào)查，也意味著針對(duì)三家公司的反壟斷調(diào)查正式啟動(dòng)。數(shù)據(jù)顯示，在DRAM市場(chǎng)上，三家企業(yè)共占據(jù)了90%以上的市場(chǎng)份額。而中國(guó)作為的電子產(chǎn)品制造基地及主要的存儲(chǔ)芯片消費(fèi)國(guó)，受存儲(chǔ)芯片漲價(jià)影響，近兩年進(jìn)口存儲(chǔ)芯片價(jià)格不斷上漲，此前反壟斷部門便就持續(xù)漲價(jià)問(wèn)題約談過(guò)相關(guān)企業(yè)。有消息指出三家企業(yè)的有礙公平競(jìng)爭(zhēng)行為及部分企業(yè)的舉報(bào)是推動(dòng)此次中國(guó)反壟斷機(jī)構(gòu)發(fā)起調(diào)查的重要原因。這并非事件的發(fā)端，此次突襲調(diào)查半年前，2022年12月底，有中國(guó)手機(jī)廠商因存儲(chǔ)器價(jià)格上漲和供應(yīng)不暢，向發(fā)改委檢舉了三星電子。隨后，發(fā)改委開啟了調(diào)查。2022年底發(fā)改委先召見了三星電子中國(guó)地區(qū)市場(chǎng)負(fù)責(zé)人了解情況，彼時(shí)DRAM正經(jīng)歷破紀(jì)錄的七季連漲，無(wú)論是給下游企業(yè)還是消費(fèi)者都帶來(lái)巨大的壓力。發(fā)改委方面當(dāng)時(shí)表示，已注意到DRAM行業(yè)價(jià)格的飆升，將會(huì)更多關(guān)注未來(lái)可能由行業(yè)“價(jià)格操縱”行為引發(fā)的問(wèn)題，可能存在多家公司協(xié)同行動(dòng)，推高芯片價(jià)格，謀求獲利化的行為。今年5月，中國(guó)反壟斷機(jī)構(gòu)約談了第三大存儲(chǔ)廠商美光，主要就三星電子、SK海力士、美國(guó)美光等是否聯(lián)合操縱DRAM價(jià)格展開調(diào)查。同時(shí)，美光涉嫌限制設(shè)備商供貨給福建晉華，濫用市場(chǎng)支配地位，妨礙公平競(jìng)爭(zhēng)。行業(yè)分析人士指出，由于DRAM生產(chǎn)周期長(zhǎng)達(dá)八周以上，從投入資本支出后，到新增產(chǎn)能、顆粒產(chǎn)出更長(zhǎng)達(dá)至少一年，DRAM廠商容易在反壟斷條文中“限制商品中銷售數(shù)量”被調(diào)查。記者了解，去年，三星電子、SK海力士、美國(guó)美光三家芯片企業(yè)占DRAM市場(chǎng)的份額總和的96%，2022財(cái)年，三家公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)在中國(guó)營(yíng)收依次分別為253.86億美元、89.08億美元、103.88億美元，總計(jì)446.8億美元，同比2022財(cái)年的321億美元增長(zhǎng)39.16%。而更早前的2022年下半年，DRAM價(jià)格便開啟了持續(xù)上漲模式，今年4、5月份，一起美國(guó)消費(fèi)者起訴三星電子、SK海力士、美國(guó)美光等廠商人為操控零售價(jià)格的訴訟發(fā)起，訴訟人表示，上述三家公司的行動(dòng)導(dǎo)致4G內(nèi)存價(jià)格，在2022年7月1日至2022年2月1日內(nèi)，DRAM芯片價(jià)格上漲了130%。

數(shù)據(jù)顯示，2022年6月1日到2022年2月1日，4GB的DRAM內(nèi)存價(jià)格上漲了130%。僅在2022年，DRAM內(nèi)存價(jià)格就上漲了47%，創(chuàng)下近30年來(lái)漲幅。在整個(gè)中國(guó)市場(chǎng)手機(jī)出貨量不斷下降的背景下，2022年，中國(guó)進(jìn)口存儲(chǔ)芯片889.21億美元，同比2022年的637.14億美元增長(zhǎng)39.56%。中國(guó)反壟斷機(jī)構(gòu)的此次調(diào)查，是在中美貿(mào)易戰(zhàn)的關(guān)口，三星電子和SK海力士都是韓國(guó)企業(yè)，而美光則是美國(guó)企業(yè)，中國(guó)此舉的用意非常巧妙。與此同時(shí)，值得關(guān)注的是，如果存在價(jià)格壟斷行為，國(guó)內(nèi)來(lái)說(shuō)，根據(jù)《反壟斷法》、《反價(jià)格壟斷規(guī)定》，如果考慮經(jīng)營(yíng)者從2022年至今的市場(chǎng)行為，以2022-2022年度銷售額進(jìn)行處罰，三家公司將面臨8-80億美金的罰金。中國(guó)存儲(chǔ)器三大陣營(yíng)成形：長(zhǎng)江存儲(chǔ)、福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫扛起大旗2022年季三星、海力士、美光在DRAM產(chǎn)業(yè)的市占率合計(jì)共占95.4%的市場(chǎng)份額，而中國(guó)存儲(chǔ)廠商在該市場(chǎng)的份額依然為零。目前，我國(guó)存儲(chǔ)領(lǐng)域已形成包括發(fā)展NANDFlash的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，專注移動(dòng)式內(nèi)存的合肥長(zhǎng)鑫以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營(yíng)。值得注意的是，今年將是中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，那么三家廠商目前的進(jìn)度如何？長(zhǎng)江存儲(chǔ)長(zhǎng)江存儲(chǔ)于2022年7月26日在武漢新芯集成電路制造有限公司的基礎(chǔ)上正式成立，公司主要股東包括大基金和紫光集團(tuán)、湖北省科投以及湖北國(guó)芯產(chǎn)業(yè)投資基金等，目前為清華紫光集團(tuán)的子公司。作為存儲(chǔ)項(xiàng)目基地，長(zhǎng)江存儲(chǔ)總投資金額達(dá)240億美元。預(yù)計(jì)項(xiàng)目一期建成后總產(chǎn)能將達(dá)到30萬(wàn)片/月，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元。目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)首批400萬(wàn)美元的精密儀器已于4月5日抵達(dá)武漢，未來(lái)兩年內(nèi)將從多地進(jìn)口近3萬(wàn)噸精密儀器至漢。4月11日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢基地芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段。據(jù)了解，設(shè)備搬入、調(diào)試將耗費(fèi)3個(gè)月左右的時(shí)間，然后開始小規(guī)模試產(chǎn)，如順利，今年四季度，中國(guó)首批擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片有望在光谷實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。值得一提的是，當(dāng)天搬入的設(shè)備只是臺(tái)，隨后要陸續(xù)從世界各地搬入各類高精密的芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)進(jìn)行調(diào)試，數(shù)量達(dá)2000多臺(tái)。設(shè)備調(diào)試完成后，才可以規(guī)模量化生產(chǎn)芯片。此外，5月19日長(zhǎng)江存儲(chǔ)的首臺(tái)光刻機(jī)已運(yùn)抵武漢天河機(jī)場(chǎng)，設(shè)備相關(guān)的海關(guān)、商檢及邊防口岸的相關(guān)手續(xù)辦理完成后，即可運(yùn)至長(zhǎng)江存儲(chǔ)的工廠。這臺(tái)光刻機(jī)為ASML的193nm浸潤(rùn)式光刻機(jī)，售價(jià)7200萬(wàn)美元，用于14nm~20nm工藝。這也從側(cè)面透露了長(zhǎng)江存儲(chǔ)3DNAND閃存芯片的工藝制程。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的臺(tái)光刻機(jī)，陸續(xù)還會(huì)有多臺(tái)運(yùn)抵。同時(shí)，紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)兼長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)強(qiáng)調(diào)，在生產(chǎn)廠房于去年9月提前一個(gè)月封頂、32層三維NAND閃存芯片自主研發(fā)取得重大突破的基礎(chǔ)上，現(xiàn)在我們又提前20天實(shí)現(xiàn)了芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)搬入。未來(lái)十年，紫光計(jì)劃至少將投資1000億美元，相當(dāng)于平均每年投入100億美元。紫光集團(tuán)執(zhí)行副總裁暨長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)高啟全透露，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3DNAND閃存已經(jīng)獲得筆訂單，總計(jì)10776顆芯片，將用于8GBUSD存儲(chǔ)卡產(chǎn)品。今年底，基地就將實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)3D閃存的小規(guī)模量產(chǎn)，用不了多久就能看到基于國(guó)產(chǎn)閃存的智能手機(jī)、SSD固態(tài)硬盤。明年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)還將開始64層堆疊閃存，單顆容量128Gb(16GB)。據(jù)某存儲(chǔ)器儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)指出，從中國(guó)廠商N(yùn)ANDFlash的發(fā)展進(jìn)程來(lái)看，2022年12月底，由長(zhǎng)江存儲(chǔ)主導(dǎo)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地正式動(dòng)土，預(yù)期分3階段，共建立3座3DNANDFlash廠房。階段廠房已于2022年9月完成興建，預(yù)定2022年第3季開始移入機(jī)臺(tái)，并于第4季進(jìn)行試產(chǎn)，初期投片不超過(guò)1萬(wàn)片，用于生產(chǎn)32層3DNANDFlash產(chǎn)品，并預(yù)計(jì)于自家64層技術(shù)成熟后，再視情況擬定第2、3期生產(chǎn)計(jì)劃。當(dāng)然，在人才方面，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也十分重視。前電子信息司副司長(zhǎng)彭紅兵已經(jīng)出任大基金副總裁兼長(zhǎng)江存儲(chǔ)監(jiān)事會(huì)主席。除此之外，據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報(bào)道，在日本川崎市有一家新成立的企業(yè)名為JYM技術(shù)株式會(huì)社，而實(shí)際上就是長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）。相關(guān)人士透露，川崎市基地的面積可供100人工作，剛剛在日本啟動(dòng)了招聘活動(dòng)。同時(shí)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技2022年秋在美國(guó)硅谷開設(shè)了研發(fā)基地，從存儲(chǔ)器巨頭美國(guó)美光科技等處挖來(lái)技術(shù)人員，以40人的規(guī)模啟動(dòng)研發(fā)工作。福建晉華福建省晉華集成電路有限公司(簡(jiǎn)稱晉華集成電路，JHICC)是由福建省電子信息集團(tuán)、及泉州、晉江兩級(jí)政府共同出資設(shè)立，被納入我國(guó)“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃。按計(jì)劃，6月工程建設(shè)竣工，9月正式投產(chǎn)，預(yù)計(jì)投產(chǎn)后的一期項(xiàng)目可實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)6萬(wàn)片12英寸晶圓的產(chǎn)能。晉華項(xiàng)目進(jìn)展：

晉華項(xiàng)目宣傳片指出，晉華以三星海力士等行業(yè)巨頭為標(biāo)桿，力爭(zhēng)通過(guò)自主研發(fā)實(shí)現(xiàn)對(duì)行業(yè)制造工藝的趕超。對(duì)比國(guó)內(nèi)同類項(xiàng)目晉華項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度優(yōu)勢(shì)明顯，有望成為國(guó)內(nèi)擁有自主技術(shù)的內(nèi)存。據(jù)悉，晉華集成電路在人才團(tuán)隊(duì)方面，采取海內(nèi)外人才招聘與人才培訓(xùn)相結(jié)合的方式。按計(jì)劃，2022年人才隊(duì)伍將達(dá)1200人，目前已招募人員800多人。由于晉江集成電路產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)較薄弱，晉江市以晉華項(xiàng)目為龍頭，構(gòu)建“三園一區(qū)”產(chǎn)業(yè)發(fā)展空間載體，打造設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試、裝備與材料、終端應(yīng)用的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)圈，其目標(biāo)是到2025年可形成1000億產(chǎn)業(yè)規(guī)模。據(jù)悉，臺(tái)灣矽品、臺(tái)灣芝奇、美國(guó)空氣化工等20多個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目已落地晉江，總投資近600億元，產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)圈正逐步形成。正在建設(shè)的臺(tái)灣矽品位于晉華集成電路對(duì)面，將以DRAM封測(cè)業(yè)務(wù)為主。合肥長(zhǎng)鑫睿力集成電路有限公司由北京兆易創(chuàng)新與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股集團(tuán)合資，兆易創(chuàng)新出資20%，公司主要研發(fā)19納米制程的12英寸晶圓DRAM，目標(biāo)2022年12月底研發(fā)成功。當(dāng)前，合肥長(zhǎng)鑫12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目正處在加快建設(shè)的階段，該項(xiàng)目一旦正式投產(chǎn)，預(yù)計(jì)將在DRAM市場(chǎng)占得約8%的市場(chǎng)份額，從而填補(bǔ)國(guó)產(chǎn)DRAM存儲(chǔ)器在本國(guó)市場(chǎng)的空白。

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