IntegratedCircuits(集成電路)電子信息類(lèi)專(zhuān)業(yè)英語(yǔ)、計(jì)算機(jī)類(lèi)專(zhuān)業(yè)英語(yǔ)文章

Circuits(集成電路TheIntegratedCircuitDigitalcircuitsderivetheirfunctionalityfromswitchestransistor.Roughlyspeaking,transistorcanlikenedtoanelectronicallycontrolledwherebyenergyvalveenablestwoothermultipledigitallogicbuildingflip-flopsareTransistors,inarefromtableofelementsinchemistryandwillsemiconductorsofseparatingthemetalsandnonmetals.Theyaresemiconductorsofabilitytobehaveasmetalsnonmetals.Abemadetoconductelectricitylikeortoasdoes.Thesedifferingelectricalbemixingsemiconductorwithsmallofotherelements.Thismixingiscalleddoping.Acandopedcontainelectrons(N-type)electrons(P-type).ofcommonlysemiconductorsareandaretwoareandsilicon,AconstructedasandwichdifferentlydopedsemiconductorThecommonoftransistors,thebipolar-junctiontransistor(BJT)andthefield-effecttransistor(FET)schematicallyfigureboththesiliconstructuresofandrepresentationwouldbeincircuitdiagram.TheBJTisitcomposedofasandwichofdopedsilicon.currentisinjectedintotheterminal,largerisenabledthecollectortotheFETisFET,whichisoftwoN-typeseparatedbyaWhenavoltageinsulatedgatecurrentflowfromdrainthesource.ItN-channel,gatevoltageinducesanwithinsubstrate,currenttoflowbetweenN-regions.basicsemiconductorstructureisawhichbyajunctionsilicon.likeone-waybycurrentN.diodeslightvoltageisapplied.arelightemittingdiodes,orThesesmallmanufacturedbythemillionsarefoundindiverseapplicationstrafficTheresultingofmaterialwhichtransistororisfabricatedcanencasedinplasticpackageforprotectionagainstcontaminationthewiresarewithinthispackagebetweenpinsthatprotrudethepackagemakewithpartsofcircuit.Oncediscretetransistors,digitalbuiltbywiringthesecomponentstogether.circuitwillfunction,anysubstantialamountdigitallogicwillverybulky,becauseseveralaretoofgates.Attheoftransistorin1947byJohnBardeen,WalterBrattain,WilliamShockley,onlyassemblemultipletransistorsintosinglecircuitbuy

separatewireIn1959,KilbyandoffabricatingmultipleslabofTheircomebeknownasthecircuit,IC,whichistheofourworld.AnICisitintegratesdiodesontothesamechip.ofhavingtobetweendiscretecomponents,anICsmallalreadytogetherinthedesiredtopologyformcircuit.AtypicalIC,withoutitsceramicpackage,asquarerectangularsilicontommtheleveloftomanufacturetheIC,beadozentoofmillionsofonthissmallchip.amazingdensityofthewiresthatareinsize.anICareinunitsofmicrometers,withone(1mm)onemillionthofaTohumanhairis100mminSomemodernICswiresareinas0.1mm!anICdesignedanditfollowsoftwotransistormetal-oxide(MOS).processesMOSBipolarwascommonthe1980s,MOStechnologiesaccountedthemajorityofdigitallogicICs.N-channelFETsfabricatedinanNMOSFETsfabricatedinaPMOSIncomplementary-MOS,CMOS,thedominanttechnologyandsothisICsincorporateNMOSandPMOSApplicationSpecificIntegratedapplication-specificcircuitiscircuit(IC)customizedforause,ratherthanintendedforForexample,chiprunacellanInthe7400seriesandseriesarelogicbuildingcanbetogetherforinmanyapplications.featureimprovedoverthemaximumcomplexityfunctionality)possibleinanASIChasgrownfrom5,000million.ModernASICsoftenincludeprocessors,blocksincludingROM,RAM,EEPROM,Flashotherlargebuildingblocks.SuchASICisoftena(System-on-Chip).ofdigitallanguage(HDL),suchasVerilogorVHDL,todescribethefunctionalitymoderndayequivalentserieslogicabreadboard,containinglogicblocksprogrammableinterconnectssamebeinmanyapplications.Forvolumes,beASICdesign.costcostfactorytoaASIC)intohundredsofthousandsofdollars.ThetermapplicationspecificintegratedcircuitincludesFPGAs,butdesignersASIConlyfornon-fieldprogrammabledevicesadistinctionASICFPGAs.

中文翻譯：集成電路集成電數(shù)字邏輯和電子電路由稱(chēng)為晶體管的電子開(kāi)關(guān)得到它們各種功粗地說(shuō)晶體管好似一種電子控制閥，由此加在閥一端的能量可以使能量在另外兩個(gè)連接端之間流動(dòng)。通過(guò)多個(gè)晶體管的組合就可以構(gòu)成數(shù)字邏輯模塊與和觸發(fā)電路等晶管是由半導(dǎo)體構(gòu)成的查閱大學(xué)化學(xué)書(shū)中的素周期表會(huì)查到半導(dǎo)體是介于金屬與非金屬之間的一類(lèi)元素們所以被叫做半導(dǎo)是由于它們表現(xiàn)出來(lái)的性質(zhì)類(lèi)似于金屬和非金屬使導(dǎo)體像金屬那樣導(dǎo)電者非屬那樣絕緣過(guò)半導(dǎo)體和少量其它元素的混合可以精確地控制這些不同的電特性，這種混合技術(shù)稱(chēng)之為“半導(dǎo)體摻雜導(dǎo)體通過(guò)摻雜可以包含更多的電子N型或更少的電P型用半導(dǎo)體是硅和鍺N型硅導(dǎo)體摻入磷元素，而型半導(dǎo)體摻入硼元素。不同摻雜的半導(dǎo)體層形成的三明治狀?yuàn)A層結(jié)構(gòu)可以構(gòu)成一個(gè)晶體管的兩類(lèi)晶體管是雙極型晶體管（BJT）場(chǎng)應(yīng)晶體管FET些晶體管的硅結(jié)構(gòu)，以及它們用于電路圖中的符號(hào)是晶管為由摻雜硅三層構(gòu)成小流注入基極時(shí)，可使較大的電流從集電極流向發(fā)射極示的FETN溝道的場(chǎng)效應(yīng)型晶體管由塊被P型底分離的N型成。將電壓加在絕緣的柵極上時(shí)，可使電流由漏極流向源極。它被叫做N溝是因?yàn)闁艠O電壓誘導(dǎo)基底上的N通道使電流能在兩個(gè)N區(qū)域間流動(dòng)。另一個(gè)基本的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是二極管N型和P硅連接而成的結(jié)組成極的作用就像一個(gè)單向閥門(mén)，由于電流只能從P向N?？梢詷?gòu)建一些特殊二極管，在加電壓時(shí)可以發(fā)光些器件非常合適地被叫做發(fā)光二極管或LED種小燈泡數(shù)以百萬(wàn)計(jì)地被制造出來(lái)，有各種各樣的應(yīng)用，從電話(huà)機(jī)到交通燈。半導(dǎo)體材料上制作晶體管或二極管所形成的小芯片用塑料封裝以防損傷和被外界污染。在這封裝里一些短線(xiàn)連接半導(dǎo)體夾層和從封裝內(nèi)伸出的插腳以便使用該晶體管的路其余部分連接旦你有了一些分立的晶體管接用電線(xiàn)將這些器件連線(xiàn)在一起就可以構(gòu)建數(shù)字邏輯（電路路工，但任何實(shí)質(zhì)性的數(shù)字邏輯（電路）都將十分龐大，因?yàn)橐诟鞣N邏輯門(mén)中每實(shí)現(xiàn)一種都需要多個(gè)晶體管。1947年，JohnBardeen、WalterBrattain和andWilliamShockley發(fā)明晶體管的時(shí)候多晶體管組裝在一個(gè)電上的唯一方法就是購(gòu)買(mǎi)多個(gè)分離的晶體管它們連在一起。1959年，JackKilby和RobertNoyce各自獨(dú)立地發(fā)明了一種將多個(gè)晶體管做在同一片半導(dǎo)體材料上的方法。這個(gè)發(fā)明就是集成電路，或IC，是我們現(xiàn)代電腦化世界的基礎(chǔ)。集成電路之所以被這樣命名為它將多個(gè)晶體管和二極管集成到同一塊小的半導(dǎo)體芯片上。包含照形成電路所要的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)連在一起的許多小元件，而無(wú)需再將分立元件

的導(dǎo)線(xiàn)焊接起來(lái)。去除了塑料或陶瓷封裝后，一個(gè)典型的集成電路就是每一邊2mm至的形或矩形硅片制集成電路的技術(shù)平的不同種片上可能有幾十個(gè)到幾百萬(wàn)個(gè)晶體管，電子器件這種令人驚異的密度表明那些晶體管以及連接它們線(xiàn)是極其微小的路的尺寸是以微米為單位測(cè)量的1微是1的百萬(wàn)分之一。作為參照，一根人的頭發(fā)其直徑大約為100微米。一些現(xiàn)代集成電包含的元件和連線(xiàn)，是以小到0.1微的增量來(lái)測(cè)量的。在集成電路的設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中，常用兩種主要晶體管技術(shù)是：雙極和金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS極藝生產(chǎn)出來(lái)的是B（雙極型晶體管MOS工藝生產(chǎn)出來(lái)的是（效應(yīng)晶體管20世80年以前更常用的集成電路是雙極邏輯，但是此后MOS技術(shù)在數(shù)字邏輯集成電路中占據(jù)了大多數(shù)N溝道